一种适用于Long H触控模式下的GIP电路及其驱动方法
阅读说明：本技术 一种适用于Long H触控模式下的GIP电路及其驱动方法 (GIP circuit suitable for Long H touch mode and driving method thereof ) 是由 刘振东 刘汉龙 郑聪秀 于 2021-10-14 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种适用于Long H触控模式下的GIP电路及其驱动方法,电路包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和电容C1；当进入Long H触控阶段时,保持VGH和VGL处于高电位,并使得下一级GIP的Q点为高电位,其它GIP信号均为低电位。将该驱动方法与9T1C GIP电路进行搭配,有效的防止了GIP电路在Long H触控模式下GIP电路的Q点漏点问题,提高了面板的显示质量。(The invention discloses a GIP circuit suitable for a Long H touch mode and a driving method thereof, wherein the circuit comprises transistors T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7, T8, T9 and a capacitor C1; when entering the Long H touch stage, VGH and VGL are kept at high potential, and the Q point of the next GIP is made to be high potential, and other GIP signals are low potential. The driving method is matched with the 9T1C GIP circuit, so that the problem of Q point leakage of the GIP circuit in the Long H touch mode of the GIP circuit is effectively solved, and the display quality of the panel is improved.)
技术领域
本发明涉及面板技术领域，尤其涉及一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路及其驱动方法。
背景技术
随着时代的发展与技术的进步，人们对手机等产品的外观要求也日趋挑剔，这就促进了电子类产品朝着轻、薄和省功耗的方向不断的发展，利用In-Cell技术有效的减低手机等产品的厚度应用的越来越广泛。
目前触控技术主要分为On-Cell技术和In-Celll技术： On Cell是指将触摸屏嵌入到显示屏和偏光片之间的方法，即在显示面板上配触摸传感器；In-cell是指将触摸面板功能嵌入到Array基板上，这样由于少了一层触控屏的厚度，使得In-Cell面板的厚度得到了很大程度上的降低。
采用In-Cell技术的屏幕具有产品更轻，厚度更低，透光性更好，减少屏幕贴合的时间，提高了生产效率的优点。但是采用In-Cell技术的屏幕在采用不同的方式进行触控时，会存在一些问题。In-Cell面板的在触控显示时分为两种模式：第一种模式就是在显示一帧画面时，将其分为显示时间段和触控时间段，即把触控时间段放在显示时间段之后，两个时间段相加的和为一帧画面的时间（我们可称其为Long V）；另一种就是在显示一帧画面时，将触控时间段分批次的插入到显示限时段中，即在一帧画面下从上到下会分为显示~触控~显示~触控~显示这样的循环方式（我们可称其为Long H）。在进行Long H模式的触控方式时，由于触控阶段会插入在显示阶段，所以在采用GIP设计的面板中，由于在显示中间增加了一段触控时间，会导致下一级GIP的Q点的Holding时间加长，使得Q点存在漏电的问题，从而有可能造成面板显示横纹的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路及其驱动方法。
本发明采用的技术方案是：
一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路，其包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和电容C1；
T1的栅极连接Gn-4/STV，T1的漏极连接Q点，T1的源极连接VGH；
T2的栅极连接Q点，T2的漏极连接P点，T2的源极连接VGL；
T3的栅极连接P点，T3的漏极连接Q点，T3的源极连接VGL；
T4的栅极连接Q点，T4的漏极连接Gn，T4的源极连接CK1；
T5的栅极连接CK5，T5的漏极连接Gn，T5的源极连接VGL；
T6的栅极连接P点，T6的漏极连接Gn，T6的源极连接VGL；
T7的栅极连接Gn+4(RST)，T7的漏极连接Q点，T7的源极连接VGL；
T8的栅极和源极分别连接CK1，T8的漏极连接P点；
T9的栅极连接CK5，T9的漏极连接P点，T9的源极连接VGL；
C1的一极板连接Q点，C1的另一极板连接Gn。
进一步地，GIP驱动电路阵列设置于显示面板上，且位于所述显示面板的一侧。
进一步地，显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
进一步地，还包括驱动IC，Gn-4、Gn和Gn+4与驱动IC连接。
进一步地，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9均为薄膜晶体管。
一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路的驱动方法，当进入Long H触控阶段时，保持VGH和VGL处于高电位，并使得下一级GIP的Q点为高电位，其它GIP信号均为低电位。将该驱动方法与9T1C GIP电路进行搭配，有效的防止了GIP电路在Long H触控模式下GIP电路的Q点漏点问题，提高了面板的显示质量。
本发明采用以上技术方案，提出了一种新型的9T1C GIP电路并搭配对应GIPTimming，有效的防止了GIP电路在Long H触控模式下，GIP电路的Q点漏点问题，提高了面板的显示质量。
附图说明
以下结合附图和
具体实施方式
对本发明做进一步详细说明；
图1为Long H 触控模式工作原理示意图；
图2为本发明一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路示意图；
图3为Long H 触控模式下Long H触控阶段Q点漏电途径示意图；
图4现有技术一般的GIP Timming示意图；
图5为本发明一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路的驱动防范的GIPTimming示意图；
图6为Long H触控模式下现有时序与本发明GIP Timming的Q点仿真模拟对比图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
In-Cell面板的在触控显示时分为两种模式：第一种模式就是在显示一帧画面时，将其分为显示时间段和触控时间段，即把触控时间段放在显示时间段之后，两个时间段相加的和为一帧画面的时间（我们可称其为Long V）；另一种就是在显示一帧画面时，将触控时间段分批次的插入到显示限时段中，即在一帧画面下从上到下会分为显示~触控~显示~触控~显示这样的循环方式（我们可称其为Long H）。在进行Long H模式的触控方式时，由于触控阶段会插入在显示阶段，所以在采用GIP设计的面板中，由于在显示中间增加了一段触控时间，会导致下一级GIP的Q点的Holding时间加长，使得Q点存在漏电的问题，从而有可能造成面板显示横纹的问题。
为了让解决这个问题，如图1至6之一所示，本发明公开了一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路，其包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和电容C1；
T1的栅极连接Gn-4/STV，T1的漏极连接Q点，T1的源极连接VGH；
T2的栅极连接Q点，T2的漏极连接P点，T2的源极连接VGL；
T3的栅极连接P点，T3的漏极连接Q点，T3的源极连接VGL；
T4的栅极连接Q点，T4的漏极连接Gn，T4的源极连接CK1；
T5的栅极连接CK5，T5的漏极连接Gn，T5的源极连接VGL；
T6的栅极连接P点，T6的漏极连接Gn，T6的源极连接VGL；
T7的栅极连接Gn+4(RST)，T7的漏极连接Q点，T7的源极连接VGL；
T8的栅极和源极分别连接CK1，T8的漏极连接P点；
T9的栅极连接CK5，T9的漏极连接P点，T9的源极连接VGL；
C1的一极板连接Q点，C1的另一极板连接Gn。
进一步地，GIP驱动电路阵列设置于显示面板上，且位于所述显示面板的一侧。
进一步地，显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
进一步地，还包括驱动IC，Gn-4、Gn和Gn+4与驱动IC连接。
进一步地，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9均为薄膜晶体管。
一种适用于Long H 触控模式下的GIP电路的驱动方法，当进入Long H触控阶段时，保持VGH和VGL处于高电位，并使得下一级GIP的Q点为高电位，其它GIP信号均为低电位。将该驱动方法与9T1C GIP电路进行搭配，有效的防止了GIP电路在Long H触控模式下GIP电路的Q点漏点问题，提高了面板的显示质量。
下面就本发明的具体工作原理做详细说明：
图1是Long H触控模式：介绍了Long H触控的模式，即在显示一帧画面时，面板从上到下会分为显示~触控~显示~触控~显示这样的循环方式。在GIP Timming中，Long H触控模式在触控阶段中CK等信号均会被拉低，此时面板不再写入显示信号，转而进行触控动作。
图2是本发明提出的9T1C GIP电路：在该GIP电路中，主要分由9个TFT和1个电容组成，即由T1组成的预充模块，由T4和C1组成的输出模块，由T2/T7组成的下拉模块。由T3/T5/T6/T8/T9组成稳压模块。
图3是Long H触控阶段Q点漏电途径：若不考虑其它信号的电位，Q点可能存在的漏电途径为T1/T3/T7三个TFT（图3虚线箭头A/B/C），下面会根据时序图进行详细的介绍。
图4一般的GIP Timming：在该时序图中，当进入Long H触控阶段时，除了VGH与下一级GIP的Q点为高电位外，其它GIP信号均为低电位，此时Q点存在的漏电路径为图3中的B和C两个路径，即Q点会通过T3和T7向VGL方向进行漏电，使得Q点一倍压下降，。
图5本发明提出的GIP Timming：在本发明提出的时序图中，当进入Long H触控阶段时，不仅VGH与下一级GIP的Q点为高电位外，同时在该阶段中VGL也为高电位，其它GIP信号均为低电位，由于Q点漏电途径为T1、T3和T7（A/B/C）三个路径，但该三个漏电途径的另一端为VGH或VGL（此时均为高电位），这样阻止了Q通过该三种途径进行漏电，解决了Q点在触控阶段的漏电问题。
图6 Long H触控不同GIP Timming的Q点仿真模拟：是在9T1C电路下，采用两种GIPTimming的Q点仿真模拟结果，带三角线部分为采用一般GIP Timming时Q点在Long H触控阶段的一倍压保持情况（Q点在Long H触控阶段电压下降值为2.59V）；带星形线部分为采用本发明GIP Timming时Q点在Long H触控阶段的一倍压保持情况（Q点在Long H触控阶段电压维持不变）。
本发明采用以上技术方案，提出了一种新型的9T1C GIP电路并搭配对应GIPTimming，有效的防止了GIP电路在Long H触控模式下，GIP电路的Q点漏点问题，提高了面板的显示质量。
显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
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