有机光电器件及包含其的显示或照明装置
阅读说明：本技术 有机光电器件及包含其的显示或照明装置 (Organic optoelectronic device and display or lighting device comprising same ) 是由 王鹏 于 2021-10-22 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种有机光电器件及包含其的显示或照明装置,其中该有机光电器件包含金属有机化合物,其具有下列式1所示的结构：本发明的有机光电器件的电流效率有了显著提升,同时其寿命也有所提升。(The present invention discloses an organic photoelectric device and a display or lighting device comprising the same, wherein the organic photoelectric device comprises a metal organic compound having a structure represented by the following formula 1:)
技术领域
本发明涉及一种有机光电器件及包含其的显示或照明装置，属于有机电致发光领域。
背景技术
有机光电器件(organic light-emitting devices,OLEDs)作为新一代的平板显示技术，自其诞生以来就备受大家的关注和研究。一般OLEDs具备以下特点：材料采用有机物，可供选择的化合物范围较宽，从而可以实现从红光到蓝光的全彩色显示；驱动电压低，只需3-12V的直流电压；发光亮度和发光效率高，响应速度快；超薄、超轻，因为用到的材料为有机物，相较于无机物器件，OLEDs可实现弯曲并且不受尺寸的限制；工作温度范围宽；制作加工相对简便等。因此在平板显示领域，OLED器件因其具有高效、节能且环保的特性，将担当起重要的作用。然而，OLED的产业化进程却远低于人们的预期，一些关键的理论问题尚未解决。主要集中在OLED材料的优化、彩色化技术、高分辨显示技术、膜制造技术、封装技术、有源驱动技术等方面。器件的效率不高、寿命不长等问题是这些问题中最大的问题。解决这些问题，要从材料性能、器件结构、工作原理以及界面特性等方面着手。近些年来，金属配合物磷光材料(Ph-OLED)的研究得到了飞速地发展，例如铼(I)、钌(Ⅱ)、锇(Ⅱ)、铱(Ⅰ、Ⅲ)、铂(Ⅱ)等的金属配位化合物的发光性质得到了充分的理论和实验研究，它们具有良好的发光性质和广阔的应用前景。金属配合物的电子吸收在紫外区，电子发射在可见光区，可以作为优良的发光材料使用。目前，磷光发光材料的寿命较低，器件的稳定性也较差，如何设计具有更好性能的材料，一直是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是提供一种有机光电器件及包含其的显示或照明装置，该有机光电器件具有较高的发光效率，同时其寿命也有所提升。
为了实现本发明的目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供了一种有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，其中，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层，其中，所述有机层包含金属有机化合物，其具有下列式1所示的结构：
其中，
M为金属，选自铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、钛(Ti)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、锆(Zr)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、铼(Re)、铂(Pt)或金(Au)；
X1选自O、S、N(R)、P(R)、B(R)、C(R)(R)、Si(R)(R’)、Ge(R)(R’)或为化学键，并且当X1选自化学键时，
Y1与M直接键合；
X2、X3、X5或Y1-Y4彼此相同或不相同，且各自独立地选自C或N原子；
X4选自O、S、N、N(R)、C(R)(R’)、Si(R)(R’)、Ge(R)(R’)、C(＝O)、C(R)、Si(R)或Ge(R)；
X1或Y1和M之间的化学键为共价键；
X2与M之间的化学键、X3与M之间的化学键、X5与M之间的化学键其中一个为共价键，剩余两个化学键为配位键；
Z1-Z5各自独立地为氘或含氘的基团；
n1-n5各自独立地为0-20的整数；
CY1-CY6各自独立地选自C5-C30的碳环基团和C1-C30的杂环基团，且CY1、CY3、CY4或CY5各自独立地不为苯并咪唑基团；
CY3与CY4直接相连，至少共用一个原子，CY4与CY5直接相连，至少共用一个原子；
R1-R5彼此相同或不相同，且各自独立选自氢、氘、含氘的基团、卤素、SF5、羟基、巯基、氰基、硝基、腙基、肼基、脒基、羧基或羧酸盐、磺酸基或磺酸盐、磷酸基或磷酸盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C3-C10杂环烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C3–C10环烯基、取代或未取代的C3-C10杂环烯基、取代或未取代的C2-C6炔基、取代或未取代的C2-C6环炔基、取代或未取代的C2-C6杂环炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60硫氧基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C7-C60烷芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代或未取代的C2-C60杂芳烷基、取代或未取代的C2-C60烷基杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的芳香胺基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的芳香硅基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的膦氧基中的一种或多种；
L1选自单键、双键、*—N(R)—*’、*—B(R)—*’、*—P(R)—*’、*—C(R)(R’)—*’、*—Si(R)(R’)—*’、
*—Ge(R)(R’)—*’、*—O—*’、*—S—*’、*—Se—*’、*—C(＝O)—*’、*—S(＝O)—*’、*—S(＝O)2—*’、
*—C(R)＝*’、*＝C(R)—*’、*—C(R)＝(R’)—*’、*—C(＝S)—*’或*—C≡C—*’，其中*和*’各自表示与相邻原子的结合位点；
其中，R和R’各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1-C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基的一种或多种。
优选地，其中所述金属有机化合物结构中CY4选自如下基团中任一者：
其中，R6-R11彼此相同或不相同，且各自独立选自氢、氘、含氘的基团、卤素、SF5、羟基、巯基、氰基、硝基、腙基、肼基、脒基、羧基或羧酸盐、磺酸基或磺酸盐、磷酸基或磷酸盐、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C3-C10杂环烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C3–C10环烯基、取代或未取代的C3-C10杂环烯基、取代或未取代的C2-C6炔基、取代或未取代的C2-C6环炔基、取代或未取代的C2-C6杂环炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C1-C60硫氧基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C7-C60烷芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代或未取代的C2-C60杂芳烷基、取代或未取代的C2-C60烷基杂芳基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、取代或未取代的烷胺基、取代或未取代的芳香胺基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的芳香硅基、取代或未取代的硼烷基、取代或未取代的膦氧基中的一种或多种；
R和R’各自独立地选自氢、氘、取代或未取代的C1-C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基的一种或多种；
其中*表示与相邻原子的结合位点。
更优选地，该金属有机化合物选自以下结构中任一者：
优选地，该有机层为发光层。
优选地，该有机光电器件为有机光伏器件、有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体、有机薄膜晶体管或有机内存器件。
本发明还提供了一种显示或照明装置，其包括本发明的有机光电器件。
具体实施方式
本发明提供了一种有机光电器件，其包括：第一电极；
第二电极，其与该第一电极相面对；
有机层，其夹设于该第一电极和该第二电极之间；其中，该有机层包含本发明的金属有机化合物。
该有机层优选为发光层，其中该金属有机化合物为掺杂材料。
本发明的包含金属有机化合物的有机光电器件包括基板、第一电极、有机物层、第二电极和覆盖层。优选地，该有机光电器件器件包括基板、位于该基板上的第一电极、位于该第一电极上的有机物层、位于该有机物层上的第二电极以及位于该第二电极外侧的覆盖层，其中，该第二电极外侧是指背离该第一电极的一侧。
本发明的有机层为发光层(活性层)、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中至少一层。且该有机层可由单层结构形成，也可由层叠(包括发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的多层)结构形成。其中，该空穴传输层还可包括第一空穴传输层和第二空穴传输层。在本发明的有机光电器件(例如有机电激发光二极管)中，除了该发光层包含本发明的金属有机化合物外，其它层均可以使用本领域公知的用于所述层的任何材料。
在本发明的发光元件中，基板材料可选用典型的有机发光元件中使用的任何基板，例如钠玻璃、无碱玻璃或透明柔性基板、不透明材料如硅或不锈钢的基板或柔性聚酰亚胺薄膜，不同基板材料具有不同的性能，且应用方向不同。本发明的空穴传输层可通过将空穴传输材料中的一种或二种以上层叠或混合的方法，或通过使用空穴传输材料和高分子粘合剂的混合物的方法来形成。空穴传输材料需要在施加了电场的电极之间高效率地传输来自正极的空穴，因此希望空穴注入效率高以及能够高效率地传输注入的空穴。因此，空穴传输材料应当具有适当的电离势及适当的能级并且具有大的空穴迁移率，进一步地，材料稳定性优异且制造及使用过程中不易产生会成为陷阱的杂质。对满足这样条件的物质，没有特别限定，例如可以是咔唑衍生物、三芳胺衍生物、联苯二胺衍生物、芴衍生物、酞菁类化合物、六腈六氮杂苯并菲类化合物、喹吖啶酮类化合物、苝衍生物、蒽醌类化合物、F4-TCNQ、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯咔唑等，但不限于此。
本发明的有机层材料，当它们在使用时，可单独成膜形成单层结构，也可和其他材料一起混合成膜形成单层结构，或形成单独成膜的单层的层叠结构、混合成膜的单层的叠层结构、单独成膜的单层和混合成膜的单层的叠层结构，但不限于此。本发明的有机光电器件(例如有机电激发光二极管)可通过依次层叠上述结构而制造。制造方法可使用干式成膜法、湿式成膜法等公知方法，其中干式成膜法，例如，可以是真空蒸镀法、溅射法、等离子体法、离子电镀法等；湿式成膜法例如，可以是旋涂法、浸渍法、流延法、喷墨法等各种涂布法，但不限于此。本发明的有机光电器件(例如有机电激发光二极管)可广泛地应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。
本发明的有机发光元件为有机光伏器件、有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e-paper)、有机感光体(OPC)、有机薄膜晶体管(OTFT)及有机内存器件(Organic Memory Element)。
实施例
本发明的金属有机化合物用以下实施例举例说明，但并不限于这些实施例举例的金属有机化合物和合成方法。
本发明实施例和对比例中采用的初始原料和溶剂购于国药，部分常用的OLED中间体类等产品购于国内的OLED中间体厂商以及各种钯催化剂和配体等购于sigma-Aldrich公司。
1H-NMR数据使用JEOL(400MHz)核磁共振仪来测定；
HPLC数据使用岛津LC-20AD高效液相仪来测定。
实施例1
化合物11的合成
(1)在氩气气氛下，反应容器中加入化合物11-A43.0克(100mmol),化合物11-B45.0g(110mmol),[1,3-双(2,6-二-异丙基苯基)-4,5-二氢咪唑-2-亚基]氯][3-苯基烯丙基]钯(II)催化剂648毫克,1.5M碳酸钠水液200ml(300mmol)和乙二醇二甲醚1000ml(DME)，80℃加热搅拌过夜。冷却至室温，加入800ml水，固体析出，过滤，粗品通过硅胶柱层析法精制(洗脱液：乙酸乙酯/己烷)，得到48.1g化合物11-C，收率76％，HPLC纯度99.3％。
1HNMR(DMSO)：δ9.61(s，1H),8.66(d，1H),8.19(d，1H),8.13(m,2H),8.03(s,1H),7.76(s,1H),7.62(m,1H),7.48(m,3H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.01(d,1H),6.92(d,1H),6.86(m,1H),1.72(s,6H),1.40(s,9H).
(2)在氩气气氛下，反应容器中依次加入化合物11-C 63.3克(100mmol)，K2PtCl445.7克,(110mmol)，醋酸2100ml和氯仿300ml，回流反应4天。反应结束后，用碳酸钾中和后用二氯甲烷萃取，有机相减压除去溶剂，得到的固体使用流动相为正己烷/二氯甲烷体系硅胶色谱柱分离,然后使用甲醇重结晶得到目标化合物1137.17克，HPLC纯度99.9％,产率45％
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.32(d，1H),8.19(d,1H),8.03(s,1H),7.76(s,1H),7.62(m,1H),7.48(m,3H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.10(m,1H),7.01(d,1H),6.92(d,1H),1.72(s,6H),1.40(s,9H).
实施例2
化合物24的合成
除了起始原料更换为24-A和24-B以外，其他与实施例1相同
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d，1H),8.19(d,1H),8.15(m,1H),8.03(s,1H),7.80(d,1H),7.77(d,1H),7.66(m,1H),7.56(s,1H),7.50(m,1H),7.41(m,2H),7.19(m,4H),1.72(s,6H),1.40(s,9H),1,32(s,9H).
实施例3
化合物71的合成
除了起始原料更换为71-A和71-B以外，其他与实施例1相同.
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d，1H),8.19(d,1H),8.15(m,1H),7.86(s,1H),7.62(m,1H),7.56(s,1H),7.48(m,2H),7.43(m,1H),7.41(m,2H),7.38(d,2H),7.06(d,2H),2.33(s,6H),1.40(s,18H),1,32(s,9H).
实施例4
化合物102的合成
除了起始原料更换为102-A和102-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d，1H),8.19(d,1H),8.15(m,1H),7.86(s,1H),7.80(d,1H),7.77(d,1H),7.66(m,1H),7.56(s,1H),7.51(d,2H),7.50(m,1H),7.46(m,2H),7.43(m,1H),7.41(m,3H),7.19(m,2H),7.06(d,2H)，2.33(s,6H),1.40(s,9H),1,32(s,9H).
实施例5
化合物126的合成
除了起始原料更换为126-A和126-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),7.95(s,1H),7.91(d,1H),7.62(m,1H),7.56(s,1H),7.48(m,2H),7.41(m,2H),7.38(d,2H),1.40(s,9H),1.35(s,21H),1,32(s,9H),0.89(s,6H).
实施例6
化合物141的合成
除了起始原料更换为141-A和141-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),8.03(s,1H),7.91(d,1H),7.62(m,1H),7.51(s,1H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.33(d，4H),7.15(d,4H),7.00(s,1H),2.34(s,6H),1.35(s,12H),0.89(s,6H).
实施例7
化合物173的合成
除了起始原料更换为173-A和173-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.82(s，1H),8.66(d，1H),8.60(d,1H),8.19(d,1H),7.62(m,3H),7.60(d,1H),7.58(m,1H),7.50(d,2H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.32(m,1H),7.22(m，1H),7.06(m,1H),7.00(m,1H),1.35(s,9H).
实施例8
化合物212的合成
除了起始原料更换为212-A和212-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.82(s，1H),8.66(d，1H),8.60(d,1H),8.19(d,1H),7.62(m,3H),7.60(d,1H),7.58(m,1H),7.50(d,2H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.32(m,1H),7.22(m，1H),7.06(m,1H),7.00(m,1H),1.35(s,9H).
实施例9
化合物241的合成
除了起始原料更换为241-A和241-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),8.02(s,1H),7.91(d,1H),7.56(s,1H),7.41(m,2H),7.31(d,2H),7.09(d,2H),1.69(s,6H),1.40(s,9H),1.35(s,18H),1.33(s,9H),1.32(s,9H).
实施例10
化合物275的合成
除了起始原料更换为275-A和275-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),8.02(s,1H),7.91(d,1H),7.80(d,2H),7.77(d,2H),7.75(d,2H),7.56(s,1H),7.49(m,2H),7.46(m,2H),7.41(m,4H),7.38(d,2H),1.69(s,6H),1.40(s,9H),1.32(s,9H).
实施例11
化合物315的合成
除了起始原料更换为315-A和315-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.54(d，1H),8.19(d,1H),7.90(d,2H),7.86(d,1H),7.62(m,1H),7.56(d,1H),7.55(d,2H),7.51(s,1H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(m,4H),7.29(d,1H),7.28(m,2H),7.00(s,1H),6.86(m,1H).
实施例12
化合物319的合成
除了起始原料更换为319-A和319-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.54(d，1H),7.90(d,2H),7.86(d,1H),7.62(m,1H),7.56(d,1H),7.55(d,2H),7.50(s,1H),7.51(s,1H),7.48(m,3H),7.41(m,1H),7.38(m,4H),7.29(d,1H),7.28(m,2H),7.00(s,1H),6.86(m,1H),2.36(s,3H),2.15(s,3H).
实施例13
化合物340的合成
除了起始原料更换为340-A和340-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.59(d，1H),8.19(d,1H),8.10(s,1H),7.73(s,2H),7.60(d,1H),7.55(s,1H),7.41(m,1H),7.36(m,1H),7.33(d,1H),7.32(m,1H),7.06(m,1H),7.00(d,1H),1.32(s,18H)..
实施例14
化合物354的合成
除了起始原料更换为354-A和354-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.78(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),7.99(d,1H),7.80(d,1H),7.79(s,1H),7.77(d,1H),7.66(m,1H),7.56(s,1H),7.50(m,1H),7.41(m,3H),7.19(m,4H),1.40(s,9H),1.35(s,9H),1.32(s,9H).
实施例15
化合物405的合成
除了起始原料更换为405-A和405-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.78(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),7.99(d,1H),7.63(s,1H),7.60(d,1H),7.41(m,1H),7.32(m,1H),7.31(d,2H),7.09(d,2H),7.06(m,1H),7.00(d,1H),1.35(s,9H),1.33(s,9H).
实施例16
化合物437的合成
除了起始原料更换为437-A和437-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.78(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),7.99(d,1H),7.93(s,1H),7.72(d,1H),7.63(s,1H),7.56(s,1H),7.51(d,2H),7.46(m,2H),7.41(m,5H),7.19(m,4H),1.43(s,9H),1.40(s,9H),1.32(s,9H).
实施例17
化合物450的合成
除了起始原料更换为450-A和450-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.32(s,1H),8.19(d,1H),7.86(d,1H),7.73(s,2H),7.60(d,1H),7.55(s,1H),7.41(m,1H),7.32(m,1H),7.16(m,1H),7.06(m,5H),7.00(d,1H),1.32(s,18H).
实施例18
化合物485的合成
除了起始原料更换为485-A和485-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.92(d，1H),8.66(d，1H),8.32(s,1H),8.21(d,1H),8.19(d,1H),7.51(m,4H),7.46(m,4H),7.41(m,3H),7.00(s,1H),2.36(s,3H),2.15(s,3H).
实施例19
化合物508的合成
除了起始原料更换为508-A和508-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.38(s,1H),8.33(d,1H),8.19(d,1H),8.15(d,2H),8.13(d,1H),8.12(d,1H)，7.79(d,1H),7.73(d,1H),7.65(m,1H),7.59(m,1H),7.52(m,1H),7.41(m,1H),7.33(s,1H),7.12(m,1H),6.81(d,1H),1.35(s,9H).
实施例20
化合物539的合成
除了起始原料更换为539-A和539-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.33(d,1H),8.22(m,1H),8.18(m,1H),8.13(d,1H),7.62(m,1H)，7.51(s,1H),7.50(s,1H),7.48(m,3H),7.38(d,2H),7.12(m,1H),7.00(s,1H),2.36(s,3H),2.15(s,3H).
实施例21
化合物574的合成
除了起始原料更换为574-A和574-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.33(d,1H),8.22(m,1H),8.18(m,1H),8.13(d,1H),7.62(m,1H)，7.51(s,1H),7.50(s,1H),7.48(m,3H),7.38(d,2H),7.12(m,1H),7.00(s,1H),2.36(s,3H),2.15(s,3H).
实施例22
化合物605的合成
除了起始原料更换为605-A和605-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.73(d，1H),8.66(d，1H),8.19(d,1H),7.95(s,1H),7.91(d,1H),7.80(d,2H),7.77(d,2H),7.75(d,2H),7.56(s,1H),7.49(m,2H),7.41(m,4H),7.38(d,2H),1.40(s,9H),1.35(s,6H),1.32(s,9H).
实施例23
化合物623的合成
除了起始原料更换为623-A和623-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.33(d,1H),8.19(d,1H),8.06(s,1H),7.60(s,1H),7.41(m,1H),7.35(d,1H),7.32(m,1H),7.06(m,1H),7.00(d,1H),6.95(m,1H),1.35(s,9H),
实施例24
化合物656的合成
除了起始原料更换为656-A和656-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.52(d,1H),8.19(d,1H),8.06(s,1H),8.00(d,1H),7.62(m,1H),7.56(m,1H),7.48(m,2H),7.46(d,2H),7.41(m,3H),7.38(m,4H),6.95(m,1H),1.40(s,9H),1.32(s,9H).
实施例25
化合物680的合成
除了起始原料更换为656-A和656-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d,1H),8.19(d,1H),8.15(d,1H),8.06(s,1H),7.60(d,1H),7.41(m,1H),7.32(m,1H),7.31(d,2H),7.09(d,1H),7.06(m,1H),7.00(m,1H),1.57(s,6H),1.35(s,9H),1.33(s,9H).
实施例26
化合物704的合成
除了起始原料更换为704-A和704-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d,1H),8.19(d,1H),8.15(d,1H),7.93(s,1H),7.90(d,1H),7.72(d,1H),7.66(d,1H),7.56(s,1H),7.41(m,4H),7.19(m,4H),1.57(s,4H),1.43(s,9H),1.40(s,9H),1.32(s,9H).
实施例27
化合物721的合成
除了起始原料更换为721-A和721-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.52(d,1H),8.19(d,1H),8.03(s,1H),7.66(d,1H),7.62(m,1H),7.50(d,1H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.32(m,1H),7.06(m,1H),7.00(m,1H),6.99(m,1H),1.57(s,6H),1.40(s,9H).
实施例28
化合物766的合成
除了起始原料更换为766-A和766-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.71(d，1H),8.66(d,1H),8.19(d,1H),8.04(d,1H),8.03(s,1H),7.56(d,1H),7.48(m,2H),7.46(m,2H),7.41(m,3H),7.38(d,4H),1.57(s,6H),1.40(s,9H),1.32(s,9H).
实施例29
化合物943的合成
除了起始原料更换为943-A和943-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.33(d,1H),8.24(s,1H),8.19(d,1H),7.66(d,1H),7.62(m,1H),7.48(m,2H),7.41(m,1H),7.38(d,2H),7.32(m,1H),7.20(d,1H),7.06(m,1H),7.00(d,1H),1.35(s,9H).
实施例30
化合物1024的合成
除了起始原料更换为1024-A和1024-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.76(d，1H),7.84(d,1H),7.75(d,1H),7.62(m,1H),7.53(d,1H),7.51(s,1H),7.50(d,1H),7.48(m,3H),7.38(d,2H),7.07(m,1H),7.00(s,1H),2.36(s,3H).
实施例31
化合物1075的合成
除了起始原料更换为1075-A和1075-B以外，其他与实施例1相同。
1HNMR(DMSO)：δ8.66(d，1H),8.51(d,1H),8.19(d,1H),8.15(d,1H),8.03(s,1H),7.55(d,2H),7.66(m,1H),7.60(d,1H),7.50(m,1H),7.41(m,2H),7.36(m,1H),7.35(m,2H),7.32(m,1H),7.19(m,4H),7.06(m,1H),7.00(m,1H),1.35(s,9H).
器件实施方案
发光材料器件的评价
器件实施例和对比例中所用的各有机层化合物如下所示：
器件制备方式：
器件的基本结构模型为：
ITO/HAT-CN(10nm)/TAPC(40nm)/TCTA(10nm)/EML主体化合物(EML)：Pt(II)(40nm)＝94：6/ETL(30nm)/
LiF(1nm)/Al(80nm)
依次使用丙酮、乙醇和蒸馏水对透明阳极氧化铟锡(ITO)20(10Ω/sq)玻璃基板进行超声清洗,再用臭氧等离子处理15分钟。
然后在真空气相蒸镀设备的衬底固定器上安装ITO衬底。在蒸镀设备中，控制体系压力在10-6托。向ITO衬底上蒸发厚度为60nm的空穴传输层材料HAT-CN。
然后蒸发厚度为40nm的发光层材料EML，其中掺杂铂(II)配合物掺杂剂。
然后蒸发厚度为30nm的电子传输层材料ETL。
然后蒸发厚度为1nm的LiF为电子注入层。
最后蒸发厚度为80nm的Al作为阴极，利用玻璃封装盖对器件进行封装。
实施例32
其中铂(II)配合物掺杂剂为化合物11
器件测试结果见表1。
实施例33
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物24。器件测试结果见表1。
实施例34
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物71。器件测试结果见表1。
实施例35
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物102。器件测试结果见表1。
实施例36
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物126。器件测试结果见表1。
实施例37
本实施例中器件的制造与实施例17相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物141。器件测试结果见表1。
实施例38
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物173。器件测试结果见表1。
实施例39
本实施例中器件的制造与实施例17相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物212。器件测试结果见表1。
实施例40
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物241。器件测试结果见表1。
实施例41
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物275。器件测试结果见表1。
实施例42
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物315。器件测试结果见表1。
实施例43
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物319。器件测试结果见表1。
实施例44
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物340。器件测试结果见表1。
实施例45
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物354。器件测试结果见表1。
实施例46
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物405。器件测试结果见表1。
实施例47
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物437。器件测试结果见表1。
实施例48
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物450。器件测试结果见表1。
实施例49
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物485。器件测试结果见表1。
实施例50
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物508。器件测试结果见表1。
实施例51
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物539。器件测试结果见表1。
实施例52
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物574。器件测试结果见表1。
实施例53
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物605。器件测试结果见表1。
实施例54
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物623。器件测试结果见表1。
实施例55
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物656。器件测试结果见表1。
实施例56
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物680。器件测试结果见表1。
实施例57
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物704。器件测试结果见表1。
实施例58
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物721。器件测试结果见表1。
实施例59
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物766。器件测试结果见表1。
实施例60
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物943。器件测试结果见表1。
实施例61
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物1024。器件测试结果见表1。
实施例62
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物1075。器件测试结果见表1。
对比例1
本实施例中器件的制造与实施例32相同，除了铂(II)配合物掺杂剂为化合物Pt-ref。器件测试结果见表1。
表1显示了实施例32-62及对比例1中器件的性能测试结果
表1
掺杂材料
启动电压(V)
CE(cd/A)
Pt-ref
3.95
158
化合物11
3.80
177
化合物24
3.85
179
化合物71
3.78
165
化合物102
3.9
166
化合物126
3.87
171
化合物141
3.79
160
化合物173
3.89
171
化合物212
3.73
166
化合物241
3.75
165
化合物275
3.77
160
化合物315
3.76
170
化合物319
3.77
163
化合物340
3.79
162
化合物354
3.81
170
化合物405
3.74
168
化合物437
3.77
169
化合物450
3.81
171
化合物485
3.79
172
化合物508
3.78
168
化合物539
3.83
167
化合物574
3.81
178
化合物605
3.79
182
化合物623
3.80
172
化合物656
3.82
173
化合物680
3.76
183
化合物704
3.77
180
化合物721
3.81
183
化合物766
3.80
182
化合物943
3.78
173
化合物1024
3.76
170
化合物1075
3.79
168
上述实施例和对比例中的器件结构除了掺杂剂不同外，其它均一致，基于Pt-ref的器件性能为参考，包含本发明金属有机化合物的器件的启动电压V都有一定程度的降低。在电压降低的同时，电流效率也有了显著提升。综上所述，本发明所制备的新型金属有机化合物，在有机光电器件上具有有较大的应用价值。以上描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
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