具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式以及附图说明，进一步阐述本发明的优选实施方案。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例1

请参阅图1-3，本发明提供一种半导体加工用静电消除设备的具体实施方式：

请参阅图1，一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱1、检视窗2、散热窗3、反应箱4、封闭门5，所述的机箱1正面位置设有检视窗2且二者相互连通，所述的检视窗2侧面设有散热窗3且机箱1底部连接反应箱4，所述的反应箱4一侧设有封闭门5与其相连，机箱1作为设备的核心结构之一，其主要用于半导体产品的加工成型工艺的应用，并且作为控制其他结构运转的总成进行使用，同时作为设备的框架与反应箱4共同构成外壳主体结构，检视窗2采用透明高强度绝缘玻璃材料制成，在保持高透光线以便于操作者观察机箱1与反应箱4运转是否正常的同时还能有效隔绝电荷，避免电离子溢出附着在其他物体上，封闭门5开启后可直接在反应箱4内操作或者对结构进行检修。

请参阅图2，所述的反应箱4包括有箱体40、离子风扇41、半导体板42、隔离块43、下漩涡轮44、增湿扇座45、轴芯46，所述的箱体40内联接离子风扇41，所述的离子风扇41正下方位置间隔设有半导体板42，所述的半导体板42两侧均连接有隔离块43且其底部贯穿连接下漩涡轮44，所述的下漩涡轮44底端间隔连通增湿扇座45，所述的增湿扇座45末端与轴芯46相连，箱体40作为反应箱4的内壳载体结构，通过结构的闭合在反应箱4内形成一个封闭的静电消除空间，将离子风扇41运转产生的大量正负离子直接作用于半导体板42的半导体产品上，依托半导体板42输送半导体产品的特性使得正负离子均匀附着在半导体产品上，消除产品上残留的静电，隔离块43主要用于隔绝半导体产品与结构的摩擦碰撞，其采用软胶材料制成，一方面用于防撞缓冲使用，另一方面也是用于隔绝底部的水汽上升，下漩涡轮44旋转产生下沉气流带动覆盖在半导体板42上的正负离子向下快速流动，结合增湿扇座45制造的丰富水汽中和空气中的正负离子，降低正负离子的含量并减弱其转移静电的性能。

请参阅图3，所述的离子风扇41包括有扇罩410、锥形轴411、高压电管412、下沉扇叶413、导流槽环414，所述的扇罩410中端位置连接锥形轴411，所述的锥形轴411两侧均设有高压电管412且其末端连接下沉扇叶413，所述的下沉扇叶413一侧对应设有导流槽环414，所述的导流槽环414嵌合连接扇罩410，扇罩410连接的锥形轴411采用类纺锤体的锥形结构设计，其主要目的在于将其联动旋转的下沉扇叶413所产生的下沉气流实现等比例收拢的效果，使得在高压电管412放电作用下产生的正负离子气流高度聚拢，同时结合导流槽环414的倾斜式槽道设计集中引导气流的覆盖方位，使其高密度正向半导体产品持续输出，保证对产品的静电消除效果。

实施例2

请参阅图1-5，本发明提供一种半导体加工用静电消除设备的具体实施方式：

请参阅图1，一种半导体加工用静电消除设备，其结构包括机箱1、检视窗2、散热窗3、反应箱4、封闭门5，所述的机箱1正面位置设有检视窗2且二者相互连通，所述的检视窗2侧面设有散热窗3且机箱1底部连接反应箱4，所述的反应箱4一侧设有封闭门5与其相连，机箱1作为设备的核心结构之一，其主要用于半导体产品的加工成型工艺的应用，并且作为控制其他结构运转的总成进行使用，同时作为设备的框架与反应箱4共同构成外壳主体结构，检视窗2采用透明高强度绝缘玻璃材料制成，在保持高透光线以便于操作者观察机箱1与反应箱4运转是否正常的同时还能有效隔绝电荷，避免电离子溢出附着在其他物体上，封闭门5开启后可直接在反应箱4内操作或者对结构进行检修。

请参阅图2，所述的反应箱4包括有箱体40、离子风扇41、半导体板42、隔离块43、下漩涡轮44、增湿扇座45、轴芯46，所述的箱体40内联接离子风扇41，所述的离子风扇41正下方位置间隔设有半导体板42，所述的半导体板42两侧均连接有隔离块43且其底部贯穿连接下漩涡轮44，所述的下漩涡轮44底端间隔连通增湿扇座45，所述的增湿扇座45末端与轴芯46相连，箱体40作为反应箱4的内壳载体结构，通过结构的闭合在反应箱4内形成一个封闭的静电消除空间，将离子风扇41运转产生的大量正负离子直接作用于半导体板42的半导体产品上，依托半导体板42输送半导体产品的特性使得正负离子均匀附着在半导体产品上，消除产品上残留的静电，隔离块43主要用于隔绝半导体产品与结构的摩擦碰撞，其采用软胶材料制成，一方面用于防撞缓冲使用，另一方面也是用于隔绝底部的水汽上升，下漩涡轮44旋转产生下沉气流带动覆盖在半导体板42上的正负离子向下快速流动，结合增湿扇座45制造的丰富水汽中和空气中的正负离子，降低正负离子的含量并减弱其转移静电的性能。

请参阅图3，所述的离子风扇41包括有扇罩410、锥形轴411、高压电管412、下沉扇叶413、导流槽环414，所述的扇罩410中端位置连接锥形轴411，所述的锥形轴411两侧均设有高压电管412且其末端连接下沉扇叶413，所述的下沉扇叶413一侧对应设有导流槽环414，所述的导流槽环414嵌合连接扇罩410，扇罩410连接的锥形轴411采用类纺锤体的锥形结构设计，其主要目的在于将其联动旋转的下沉扇叶413所产生的下沉气流实现等比例收拢的效果，使得在高压电管412放电作用下产生的正负离子气流高度聚拢，同时结合导流槽环414的倾斜式槽道设计集中引导气流的覆盖方位，使其高密度正向半导体产品持续输出，保证对产品的静电消除效果。

请参阅图4，所述的下漩涡轮44包括有下凹架440、摆架441、对流转板442、引流通管443、对流输管444，所述的下凹架440内侧连接摆架441，所述的摆架441设于对流转板442两侧且与其相连，所述的对流转板442底部间隔设有引流通管443，所述的引流通管443连通其下方的对流输管444，下凹架440利用其上端面的倾斜弧面形成有利于气流向下快速导入的通道，结合蜂窝面板制成的对流转板442在高速旋转时扰动的气流卷携离子空气由引流通管443向对流输管444高度集中输出，最终由对流输管444将离子空气引流至增湿扇座45的运转范围内实现空气离子中和反应。

请参阅图5，所述的增湿扇座45包括有导水管450、网格输架451、喷浮转环452，所述的导水管450连通网格输架451，所述的网格输架451顶端位置设有喷浮转环452且二者相互连通，导水管450用于导入外部水体或水流并通过网格输架451的内中空管道结构将水流集中于喷浮转环452位置，在高速旋转的离心力作用下水流转化为水雾并保持一定高度的悬浮状态，在此过程中水雾水汽与携带有大量正负离子的空气相互结合，从而加快离子的耗散。

其具体实现原理如下：

在反应箱4内将离子风扇41运转产生的大量正负离子直接作用于半导体板42的半导体产品上，依托半导体板42输送半导体产品的特性使得正负离子均匀附着在半导体产品上，消除产品上残留的静电，然后通过下漩涡轮44旋转产生下沉气流带动覆盖在半导体板42上的正负离子向下快速流动，将离子空气引流至增湿扇座45的运转范围内，增湿扇座45制造的丰富水汽中和空气中的正负离子，加快离子的耗散，现有半导体加工设备采用离子风机过程中产生放电现象的问题。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神或基本特征的前提下，不仅能够以其他的具体形式实现本发明，还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围，因此本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定，而不是上述说明限定。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。