具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

如图1所示，一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，包括放大电路、匹配电路、第一衰减器、第二衰减器；

放大电路的第一端为低噪声放大器的信号输入端，放大电路第二端与匹配电路第一端连接，匹配电路第二端与第一衰减器第一端连接，第一衰减器的第二端与第二衰减器的第一端连接，第二衰减器的第二端为低噪声放大器的信号输出端；

放大电路包括：第一电容C1、第二电容C2、第五电容C5、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第一电阻R1、第一电感L1、第三电感L3；

所述第一电容C1的第一端为低噪声放大器的信号输入端，第二端分别与所述第一晶体管Q1栅极、第一电阻R1的第一端相连。

所述第二电容C2的第一端与所述第一电阻R1的第二端、第三晶体管Q3的栅极相连，所述第二电容C2的第二端接地，所述第三晶体管Q3漏极与电流源相连，第三晶体管Q3的漏极与栅极相连，所述第三晶体管Q3源极接地；

所述第二晶体管Q2栅极分别与第五电容C5第一端、第三电感L3第一端连接，第五电容C5第二端接地，第三电感L3第二端与第二供电电压VB2相连，所述第二晶体管Q2漏极通过所述第一电感L1与第一供电电压VB1相连，所述第二晶体管Q2源极与第一晶体管Q1漏极连接，第一晶体管Q1源极接地。

匹配电路包括第三电容C3、第四电容C4、第二电感L2，所述第三电容C3的第一端、第二电感L2的第一端及第四电容C4的第一端相连，所述第三电容C3的第二端与所述第二晶体管Q2漏极相连，所述第二电感L2第二端接地，所述第四电容C4的第二端与第一衰减器的第一端相连；

所述第三电容C3第一端分别与第一电感L1第一端、第二晶体管Q2漏极相连，所述的第三电容C3第二端为低噪声放大器输出。

所述第一衰减器包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5，所述第一衰减器的第一端与第二电阻R2的第一端和第四晶体管Q4漏极相连，所述第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端和第四电阻R4的第一端相连，第四电阻R4的第二端与第五晶体管Q5漏极连接，第五晶体管Q5的源极接地，所述第一衰减器的第二端与第三电阻R3的第二端、第四晶体管Q4源极相连；

所述第四晶体管Q4的栅极与第一数控电平VG1相连，第五晶体管Q5的栅极与第二数控电平VG2相连。

所述第二衰减器由第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7和第八晶体管Q8组成，所述第二衰减器的第一端与第一衰减器的第二端、第五电阻R5的第一端、第六晶体管Q6漏极、第六电阻R6的第一端相连，第六电阻R6的第二端经过第七晶体管Q7接地，所述第二衰减器的第二端为低噪声放大器的输出端，该端与第五电阻R5的第二端、第七电阻R7的第一端、第六晶体管Q6源端相连，第七电阻R7的第二端经过第八晶体管Q8接地；

所述第六晶体管Q6的栅极与第三数控电平VG3相连，所述第七晶体管Q7的栅极和第八晶体管Q8的栅极均与第四数控电平VG4相连，第七晶体管Q7的源极和第八晶体管Q8源极分别接地。

第二电容C2为滤波电容，第三晶体管Q3为电流镜晶体管；第二电容C2用于过滤噪声，第三晶体管Q3用于决定所述低噪声放大器的电流大小。所述第一电感、第二电感、第三电容、第四电容根据所述低噪声放大器的工作频率和共栅极漏端的寄生电容的大小来确定。

第一衰减器和第二衰减器中的第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8，根据低噪声放大器的增益要求来确定。

具体实施如下：

如图1所示，所述第三晶体管Q3决定电路电流大小，在选择偏置时，首先是让所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2工作在饱和区，根据最佳电流密度调整偏置；然后根据线性度优化调整共栅极晶体管偏压；然后进行输入端和输出端匹配：首先在匹配时将输入阻抗匹配到50欧姆，其次调整第一衰减器、第二衰减器电阻，将输出阻抗匹配到50欧姆，最后进行噪声和增益的平衡。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。