一种Pd/In2O3气敏材料及其制备方法、气敏传感器
阅读说明：本技术 一种Pd/In2O3气敏材料及其制备方法、气敏传感器 (Pd/In2O3Gas sensitive material, preparation method thereof and gas sensor ) 是由 王燕 张赛赛 张波 曹建亮 张博文 张豪爽 姚梦霞 张战营 于 2021-08-27 设计创作，主要内容包括：本发明属于气敏材料技术领域,具体涉及一种Pd/In-(2)O-(3)气敏材料及其制备方法、气敏传感器。本发明的制备方法包括以下步骤：将铟源溶于由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中,在高压反应釜中加热反应,反应后所得固体洗涤、干燥、煅烧得In-(2)O-(3)微米球粉末,然后按比例将氯化钯和所述In-(2)O-(3)微米球粉末加入到乙二醇中,超声、搅拌、加热反应,对反应产物固液分离,所得固体洗涤、干燥后得到Pd/In-(2)O-(3)气敏材料。本发明提供的Pd/In-(2)O-(3)气敏材料,具体为一种微米球气敏材料,在较低工作温度下可实现甲烷的高响应、低浓度检测。(The invention belongs to the technical field of gas-sensitive materials, and particularly relates to Pd/In 2 O 3 Gas sensitive material, preparation method thereof and gas sensor. The preparation method comprises the following steps: dissolving indium source In mixed solution composed of glycerol and isopropanol, heating and reacting In a high-pressure reaction kettle, washing, drying and calcining the obtained solid after reaction to obtain In 2 O 3 Micro-sphere powder, then proportionally mixing palladium chloride and the In 2 O 3 Adding the micron sphere powder into ethylene glycol, performing ultrasonic, stirring and heating reaction, performing solid-liquid separation on a reaction product, washing and drying the obtained solid to obtain Pd/In 2 O 3 A gas sensitive material. The Pd/In provided by the invention 2 O 3 The gas sensitive material is a microsphere gas sensitive material, and can realize high-response and low-concentration detection of methane at a lower working temperature.)
技术领域
本发明属于气敏材料技术领域，具体涉及一种Pd/In2O3气敏材料及其制备方法、气敏传感器。
背景技术
CH4是一种无色、无味、易燃易爆的气体，当其达到一定浓度后，会使人因缺氧而窒息，且当其与空气混合体积浓度达到爆炸极限(4.9～15.4％)时，遇高温火源极易引发剧烈的燃烧或爆炸，会造成巨大的经济损失和人员伤亡。我国拥有丰富的煤炭资源，在开采过程中会释放大量的瓦斯气体，其主要成分为甲烷(CH4)，每年我国都会有数起因煤矿瓦斯爆炸引起的人员伤亡事故，对家庭幸福以及国家安定产生了巨大危害。瓦斯已成为危害煤矿安全的重要因素之一，对矿井瓦斯进行准确的识别和浓度测量可有效预防煤矿瓦斯爆炸，保证煤矿安全生产具有重要的意义。金属氧化物半导体气体传感器因其具有灵敏度高、稳定性好、成本较低、易于集成、制造等优点成为检测瓦斯气体的有效手段，为适应复杂的煤矿井下环境，就金属氧化物半导体瓦斯传感器而言仍需解决工作温度较高、响应值偏低、选择性较差及低浓度瓦斯检测困难的问题。金属氧化物半导体气体传感器的核心组成为气敏材料，目前国内外学者关于检测甲烷的金属氧化物半导体气敏材料的报道涵盖ZnO、SnO2、In2O3、TiO2、NiO、WO3等。In2O3作为一种具有代表性的n型半导体材料，具有较大的禁带宽度、高导电率、高催化活性和表面缺陷等特性，表现出优异的应用前景。
目前关于In2O3材料用于瓦斯传感器的研究有少量报导。Vuong等研发了一种Ni2O3纳米颗粒修饰In2O3薄膜的纳米结构并制备高响应的CH4气体传感器，结果表明，该材料在350℃下对200ppm CH4的响应值约为52％(Vuong et al.,Ni2O3 decoration of In2O3nanostructures for catalytically enhanced methane sensing[J].Applied SurfaceScience,2014,317:765-770)。Cao等制备了由多孔纳米粒子组成的In2O3微米球，并对CH4的气敏性能进行了研究，结果表明，该材料在350℃下对5000ppm CH4的响应值为6.50(Cao etal.,Synthesis of porous In2O3 microspheres as a sensitive material for earlywarning of hydrocarbon explosions[J].RSC Advances,2015,5:5424-5431)。Shaalan等研制了一种薄膜型In2O3基CH4气体传感器，研究其在不同操作温度和浓度下对CH4的传感特性，结果表明，该薄膜对CH4具有良好的传感性能和稳定性(Shaalan et al.,Repeatability of indium oxide gas sensors for detecting methane at lowtemperature[J].Materials Science in Semiconductor Processing,2016,56:260-264)。Xue等采用一步水热法合成了多孔结构的In2O3纳米片，结果表明，该材料在190℃下对500ppm CH4的响应值为3.24(Xue et al.,Hydrothermal synthesis of methanesensitive porous In2O3 nanosheets[J].Materials Letters,2019；252:169)。在易燃易爆气体的检测中，较高的工作温度不仅会限制传感器的使用范围，安全性也大大地降低，同时也意味着大的能耗和使用寿命的缩短以及更高的生产设备维护成本。
近年来，在提高瓦斯传感器气敏性能方面主要采用两种途径：一是表面形貌调控，合成比表面积较大的多孔结构，如空心球结构、核壳结构和分级结构等，可以加快气体分子在敏感膜表面的化学反应及在材料内部的扩散；二是功能化改性，目前研究最多的是负载贵金属和构建异质结，通过贵金属以及异质结的催化等作用达到提高传感器气敏性能的效果。但是，现有的甲烷传感器工作温度高、响应值偏低、选择性较差、低浓度检测困难，不能满足实际应用需求。
因此，需要提供一种针对上述现有技术不足的改进技术方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Pd/In2O3气敏材料及其制备方法、气敏传感器，以解决现有的甲烷传感器工作温度高、响应值偏低、选择性较差及低浓度检测困难的问题。
为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种Pd/In2O3气敏材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤一、取铟源溶于由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中，得到混合溶液A；
步骤二、所述混合溶液A置于高压反应釜中加热反应，反应后冷却得到混合物；
步骤三、将所述混合物固液分离，所得固体洗涤、干燥后得到沉淀物A；
步骤四、将所述沉淀物A煅烧，得到In2O3微米球粉末；
步骤五、按比例将氯化钯和所述In2O3微米球粉末加入到乙二醇中，超声、搅拌，得到混合溶液B；
步骤六、将所述混合溶液B加热反应，对反应产物固液分离，所得固体洗涤后得到沉淀物B；
步骤七、将所述沉淀物B干燥，得到Pd/In2O3气敏材料。
在上述制备方法中，优选地，步骤一中，每1g铟源对应100～150mL由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液。
优选地，所述铟源为水溶性铟盐或其水合物。
更优选地，所述铟源为硝酸铟、氯化铟、硫酸铟、醋酸铟、硝酸铟水合物、氯化铟水合物、硫酸铟水合物、醋酸铟水合物中的一种或两种以上。
在上述制备方法中，优选地，步骤一中，由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中丙三醇与异丙醇的体积比为4：(10～20)。
在上述制备方法中，优选地，步骤二中，混合溶液A的体积占高压反应釜容积的60～70％。
优选地，步骤二中，所述加热反应的温度为150～200℃。
更优选地，所述加热反应的时间为1～2h。
在上述制备方法中，优选地，步骤三中，所述固液分离为离心分离，所述离心分离的转速为6000～8000r/min。
优选地，所述离心分离的时间为5～10min。
在上述制备方法中，优选地，步骤四中，所述煅烧的温度为300～400℃。
优选地，所述煅烧的时间为3～3.5h，升温速率为1～3℃/min。
在上述制备方法中，优选地，步骤五中，所述比例为：按Pd和In的原子摩尔数比为0.2以下(即Pd和In的原子摩尔数比大于0但小于等于0.2)，优选地，Pd和In的原子摩尔数比为0.08～0.16。
在上述制备方法中，优选地，步骤六中，所述加热反应的温度为90～110℃。
优选地，步骤六中，所述加热反应的时间为2～4h。
本发明还提供采用上述Pd/In2O3气敏材料的制备方法所制备的Pd/In2O3气敏材料。
本发明还提供一种气敏传感器，所述气敏传感器前述的Pd/In2O3气敏材料。
有益效果：
本发明利用Pd纳米颗粒的强催化活性促进氧分子和甲烷分子的解离吸附并激活其溢出过程，加快电子的捕获和释放速度，功函数之间的差距使电子发生转移，引起金属-半导体界面处能带的弯曲，从而形成肖特基势垒充当电子“陷阱”，进而调节材料的电阻率提高Pd/In2O3基传感器的响应。采用溶剂热法制备的Pd/In2O3气敏材料，成分纯度高，分散性良好。
本发明提供了合适的Pd和In配比方案，不仅节约资源和成本，而且使传感器在较低的工作温度下对甲烷的响应达到最高，可低浓度检测甲烷。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。其中：
图1是本发明对比例1、实施例1、实施例2、实施例3所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料的X-射线衍射图谱；
图2是本发明对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球(分别对应图2a、图2b)和Pd/In2O3(分别对应图2c、图2d)气敏材料的低倍率及高倍率透射电镜照片；
图3是利用本发明对比例1、实施例1、实施例2、实施例3所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料组装成的传感器在不同工作温度下对500ppm CH4的响应；
图4是利用本发明对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料组装成的传感器响应值与CH4气体浓度的折线图；
图5是利用本发明对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料组装成的传感器在50℃对不同气体的响应结果。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明提出采用贵金属Pd修饰金属氧化物In2O3微米球制备Pd/In2O3气敏材料，以期对CH4表现出更高的响应值，更低的工作温度及检测限。
本发明提供的Pd/In2O3气敏材料，具体为一种微米球气敏材料，在较低工作温度下可实现甲烷的高响应、低浓度检测。
本发明的Pd/In2O3气敏材料的制备方法包括如下步骤：
步骤一、取一定量的铟源加入由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中，磁力搅拌使其溶解(即将铟源溶于由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中)，得到混合溶液A；
步骤二、将步骤一所得混合溶液A装入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，混合溶液A的体积占高压反应釜容积的60～70％(例如60％、62％、65％、67％或70％)，然后置于烘箱中加热反应，反应结束后自然冷却至室温，得到混合物；
步骤三、将步骤二所得的混合物以6000～8000r/min(例如6000r/min、6500r/min、7000r/min、7500r/min或8000r/min)的转速离心分离5～10min(例如5min、6min、7min、8min、9min或10min)后，去除上层清液，剩余固体物质用去离子水和无水乙醇交替离心洗涤，然后置于烘箱中干燥，得到沉淀物A；
步骤四、将步骤三所得沉淀物A置于马弗炉中煅烧(空气氛围)，得到In2O3微米球粉末；
步骤五、按照Pd和In的原子摩尔数比称取一定量的In2O3微米球粉末和氯化钯加入到乙二醇中，超声5～10min(例如5min、6min、7min、8min、9min或10min)，磁力搅拌，得到混合溶液B；
步骤六、将步骤五所得混合溶液B转移到烘箱中加热反应，所得混合物去除上层清液，用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤，得到沉淀物B；
步骤七、将步骤六所得沉淀物B转移到烘箱中干燥，得到Pd/In2O3气敏材料。
优选地，步骤一中，铟源为可以提供铟离子的水溶性铟盐及其水合物，例如硝酸铟、氯化铟、硫酸铟、醋酸铟、硝酸铟水合物、氯化铟水合物、硫酸铟水合物、醋酸铟水合物中的一种或两种以上。
优选地，步骤一中，由丙三醇和异丙醇组成的混合溶液中丙三醇与异丙醇的体积比为4：(10～20)(例如4：10、4：12、4：14、4：15、4：17、4：18或4：20)。
优选地，所述步骤一和步骤五中使用恒温磁力搅拌器进行搅拌，转速850r/min，搅拌0.5～1h(例如0.5h、0.6h、0.7h、0.8h、0.9h或1h)。
优选地，所述步骤二和步骤六中使用烘箱加热，步骤二加热温度为150～200℃(例如150℃、160℃、170℃、180℃、190℃或200℃)，优选为180℃，恒温1h，步骤六中的加热温度为90～110℃(例如90℃、95℃、100℃、105℃、或110℃)，恒温2～4h(例如2h、3h或4h)。
优选地，所述步骤三和步骤六中所述剩余固体物质用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤3次。
优选地，所述步骤四中置于马弗炉煅烧，煅烧温度为300～400℃(例如300℃、320℃、340℃、350℃、360℃、380℃或400℃)，升温速率为1～3℃/min(例如1℃/min、2℃/min或3℃/min)，恒温煅烧3～3.5h(例如3h、3.1h、3.2h、3.3h、3.4h或3.5h)。
优选地，所述步骤三和步骤七中使用电热鼓风干燥箱进行干燥，步骤三干燥温度为60℃，干燥12h，步骤七中的干燥温度为105℃，干燥12h。
本发明还提供了Pd的修饰量的优化对比，优选地，按Pd和In的原子摩尔数比0.2以下(例如0.04、0.08、0.12、0.16或0.2)进行配比。以下实施例中研究Pd和In的原子摩尔数比为0、0.08、0.12、0.16对应所得的Pd/In2O3气敏材料，即In2O3，4.0at％Pd/In2O3，6.0at％Pd/In2O3，8.0at％Pd/In2O3。
本发明还提供一种采用上述Pd/In2O3气敏材料的气敏传感器。
以下结合具体实施例，对本发明进行进一步的叙述。
实施例1
本实施例的Pd/In2O3气敏材料的制备方法如下：
取0.6g硝酸铟水合物加入由16mL丙三醇和60mL异丙醇组成的混合溶液中，磁力搅拌30min使其溶解，得到混合溶液A；将所得混合溶液A装入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，混合溶液A的体积占反应釜容积的65％，然后置于烘箱中180℃恒温1h，反应结束后自然冷却至室温，得到混合物；将所得的混合物以8000r/min的转速离心分离5min后，去除上层清液，剩余固体物质用去离子水和无水乙醇交替离心洗涤3次，然后置于60℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到沉淀物A；将所得沉淀物A置于马弗炉中煅烧，升温至350℃，升温速率为3℃/min，恒温煅烧3h，得到In2O3微米球粉末；按照Pd和In的原子摩尔数比为0.08称取0.2mmol所制得的In2O3微米球粉末和0.032mmol的氯化钯加入到12mL乙二醇中，超声8min，磁力搅拌1h，得到混合溶液B；将所得混合溶液B转移到烘箱中100℃恒温3h，所得混合物去除上层清液，用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤3次，得到沉淀物B；将所得沉淀物B转移到105℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到4.0at％Pd/In2O3气敏材料。
实施例2
本实施例的Pd/In2O3气敏材料的制备方法如下：
取0.6g硝酸铟水合物加入由16mL丙三醇和60mL异丙醇组成的混合溶液中，磁力搅拌30min使其溶解，得到混合溶液A；将所得混合溶液A装入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，混合溶液A的体积占反应釜容积的65％，然后置于烘箱中180℃恒温1h，反应结束后自然冷却至室温，得到混合物；将所得的混合物以8000r/min的转速离心分离5min后，去除上层清液，剩余固体物质用去离子水和无水乙醇交替离心洗涤3次，然后置于60℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到沉淀物A；将所得沉淀物A置于马弗炉中煅烧，升温至350℃，升温速率为3℃/min，恒温煅烧3h，得到In2O3微米球粉末；按照Pd和In的原子摩尔数比为0.12称取0.2mmol所制得的In2O3微米球粉末和0.048mmol的氯化钯加入到12mL乙二醇中，超声8min，磁力搅拌1h，得到混合溶液B；将所得混合溶液B转移到烘箱中100℃恒温3h，所得混合物去除上层清液，用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤3次，得到沉淀物B；将所得沉淀物B转移到105℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到6.0at％Pd/In2O3气敏材料。
实施例3
本实施例的Pd/In2O3气敏材料的制备方法如下：
取0.6g硝酸铟水合物加入由16mL丙三醇和60mL异丙醇组成的混合溶液中，磁力搅拌30min使其溶解，得到混合溶液A；将所得混合溶液A装入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，混合溶液A的体积占反应釜容积的65％，然后置于烘箱中180℃恒温1h，反应结束后自然冷却至室温，得到混合物；将所得的混合物以8000r/min的转速离心分离5min后，去除上层清液，剩余固体物质用去离子水和无水乙醇交替离心洗涤3次，然后置于60℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到沉淀物A；将所得沉淀物A置于马弗炉中煅烧，升温至350℃，升温速率为3℃/min，恒温煅烧3h，得到In2O3微米球粉末；按照Pd和In的原子摩尔数比为0.16称取0.2mmol所制得的In2O3微米球粉末和0.064mmol的氯化钯加入到12mL乙二醇中，超声8min，磁力搅拌1h，得到混合溶液B；将所得混合溶液B转移到烘箱中100℃恒温3h，所得混合物去除上层清液，用蒸馏水和无水乙醇交替离心洗涤3次，得到沉淀物B；将所得沉淀物B转移到105℃的电热鼓风干燥箱中，干燥12h，得到8.0at％Pd/In2O3气敏材料。
对比例1
本对比例的气敏材料的制备方法如下：
取0.6g硝酸铟水合物加入由16mL丙三醇和60mL异丙醇组成的混合溶液中，磁力搅拌30min使其溶解，得到混合溶液A；将所得混合溶液A装入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，混合溶液A的体积占反应釜容积的65％，然后置于烘箱中180℃恒温1h，反应结束后自然冷却至室温，得到混合物；将所得的混合物以8000r/min的转速离心分离5min后，去除上层清液，剩余固体物质用去离子水和无水乙醇交替离心洗涤3次，然后置于电热鼓风干燥箱中60℃，干燥12h，得到沉淀物A；将所得沉淀物A置于马弗炉中煅烧，升温至350℃，升温速率为3℃/min，恒温煅烧3h，得到In2O3气敏材料，为微米球。
实验例
本实验采用北京艾立特科技有限公司制造的CGS-4TPs智能气敏分析测试系统，利用静态配气法对制备的气敏元件进行气敏性能测试。气敏元件的制备过程为：取适量的气敏材料于玛瑙研钵中，滴加适量的蒸馏水进行样品分散，然后用玛瑙研磨棒用力研磨样品至均匀粘稠状。用洁净的毛刷蘸取浆体均匀地刷涂到平面型陶瓷基片(13.4mm×7mm)上形成厚薄适宜的敏感膜，多次刷涂确保浆体完全覆盖Ag-Pd叉指电极，最后将制得的气敏元件阴干备用。为提高气敏元件的稳定性和重复性，将制备好的气敏元件置于120℃的加热台上老化48h。
1.取对比例1、实施例1、实施例2、实施例3所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料进行X-射线粉末衍射检测，结果如图1所示(图中a、b、c、d四条曲线依次与对比例1、实施例1、实施例2、实施例3对应)，表明通过溶剂热法成功制备了In2O3微米球，且Pd纳米粒子已成功地负载到In2O3微米球的表面。
2.取对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球Pd/In2O3气敏材料进行透射电镜测试，结果如图2所示(图中a、b依次与对比例1的低倍率及高倍率透射电镜对应，图中c、d依次与实施例2的低倍率及高倍率透射电镜对应)，可明显的观察到所制备的材料呈球形结构，表面均较为粗糙，有许多小的突起，同时也进一步表明了Pd纳米粒子成功地负载到In2O3微米球的表面。
3.取对比例1、实施例1、实施例2、实施例3所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3气敏材料组装成传感器，在不同工作温度下对500ppm CH4进行气敏性能测试，结果如图3所示。从图中可观察到，4个传感器对CH4的响应随工作温度的不断升高，其图形整体走势相同，呈现出“火山型”，均为先增大后减小。此外，除纯相In2O3在140℃对CH4的响应达到最大值(11.964)外，其余3个Pd/In2O3传感器皆在50℃达到最大值。其中Pd负载量为6.0at％时，Pd/In2O3传感器对CH4的响应达到最大值15.317，故负载Pd后In2O3微米球的最佳工作温度由原来的140℃降低为50℃。由此可知适量浓度的Pd负载可以降低传感器的最佳工作温度。
4.取对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3微米球气敏材料组装成传感器，检测其在50℃下对10ppm至5000ppm不同浓度CH4的响应，结果如图4所示。由图可知，在较低的浓度范围内(10～100ppm)，随着CH4气体浓度增加，气敏元件对CH4的响应值呈线性增加；而当CH4气体浓度大于100ppm时，响应值变化缓慢，说明传感器对CH4的吸附逐渐趋于饱和。图4b的插图体现了两种气敏元件在低浓度CH4(10～100ppm)范围内具有良好的线性关系，纯相In2O3的响应y与CH4气体浓度x的线性拟合方程为：y＝1.84361+0.00406x，拟合系数为0.96417；而6.0at.％Pd/In2O3的响应y与CH4气体浓度x的线性拟合方程为：y＝5.35662+0.0583x，拟合系数为0.93856。因此，在该浓度(10～100ppm)范围内，两个传感器的灵敏度分别为4.06×10-3ppm-1和5.83×10-2ppm-1，较高的拟合系数和良好的线性关系表明该传感器能够有效地监测CH4气体浓度。根据国际纯粹与应用化学联合会(IUPAC)的定义，检测限的计算公式定义为：LoD＝3(SD/m)，其中SD为响应曲线中噪声的标准偏差，通过在不注入目标气体的响应曲线的基线处选取30个点进行计算，而m为响应曲线线性部分的斜率即传感器对CH4的灵敏度。根据上述计算公式可知，纯相In2O3和6.0at.％Pd/In2O3的检测限分别为2.53ppm、1.78ppm。与纯相In2O3相比，6.0at.％Pd/In2O3的检测限更低，对CH4的灵敏度更高，可实现对CH4气体的痕量检测。
5.取对比例1和实施例2所制得的In2O3微米球和Pd/In2O3微米球气敏材料组装成传感器，检测其在50℃对不同气体的响应，结果如图5所示。根据最新版《煤矿安全规程》的规定，CO和NH3的最高允许浓度分别为24ppm和40ppm，CH4传感器的最小报警浓度和断电浓度为5000ppm，而甲醛、甲苯和甲醇的最高允许浓度为1ppm，另外，由于煤矿瓦斯中含有少量的H2O，故选用50ppm H2O测试选择性。同时，根据选择性(K)计算公式K＝S目标气体/S干扰气体(S目标气体为传感器对目标气体的响应值；S干扰气体为传感器对干扰气体的响应值)可知，纯相In2O3对干扰气体CO、NH3、H2O、HCHO、C7H8和CH3OH的选择性分别为2.18、2.51、2.73、2.85、4.17和2.66；6.0at％Pd/In2O3对干扰气体CO、NH3、H2O、HCHO、C7H8和CH3OH的选择性分别为3.13、4.57、5.58、3.06、5.54和6.69。该实验结果表明，负载贵金属Pd后显著提高In2O3微米球对CH4的选择性。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。