具体实施方式

因为本公开可以具有各种变型的实施例，所以在附图中示出了实施例并关于实施例进行了描述。通过参考参照附图描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方法将是清楚的。然而，本公开可以以许多不同的形式和构造来实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。

在下文中，将参照附图描述实施例，其中，贯穿本公开，同样的附图标记表示同样的元件，并且省略其重复描述。

虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但是这些组件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。

除非上下文另有明确说明，否则以单数使用的表达涵盖复数的表达。

将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述特征或元件，但是不排除存在或者附加一个或更多个其它特征或元件。

还将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，它可以直接或者间接地形成在所述另一层、区域或元件上。也就是说，例如，在它们之间可以存在一个或更多个中间层、区域或元件。

在附图中，为了便于解释，可以夸大或者缩小附图中的组件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面实施例不限于此。

当可以不同地实现实施例时，可以与描述的顺序不同地执行工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。

将理解的是，当层、区域或组件被称为连接到另一层、区域或组件时，它可以直接或者间接地连接到另一层、区域或组件。也就是说，例如，在它们之间可以存在中间层、区域或组件。例如，当层、区域、元件等被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，或者层、区域或元件可以间接电连接，并且在它们之间可以存在中间层、区域或元件等。

图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的透视图。

参照图1，显示装置1包括第一区域OA和显示区域DA，显示区域DA是至少部分地围绕第一区域OA的第二区域。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。在一些实施例中，图1示出了一个第一区域OA布置在显示区域DA内部，并且第一区域OA可以被显示区域DA完全围绕。第一区域OA可以是其中布置有下面参照图2描述的组件的区域。

作为第三区域的中间区域MA布置在第一区域OA与作为第二区域的显示区域DA之间，并且显示区域DA可以被作为第四区域的外部区域PA围绕。中间区域MA和外部区域PA可以是其中未布置有像素的一种非显示区域。中间区域MA可以被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA可以被外部区域PA完全围绕。

在下面的描述中，作为根据实施例的显示装置1的示例，描述了有机发光显示器，但是根据本公开的显示装置不限于此。在另一实施例中，可以使用各种类型的显示装置(诸如无机发光显示器(或无机电致发光(EL)显示器)、量子点发光显示器等)。例如，设置在显示装置1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或无机材料和量子点。

在图1中，设置了一个第一区域OA并且第一区域OA基本上是圆形的，但是本公开不限于此。第一区域OA的数量可以为两个或更多个，并且每个第一区域OA的形状可以以各种方式(诸如圆形、椭圆形、多边形、星形形状、菱形形状等)改变。

图2是简要地示出根据实施例的沿着图1中的线II-II’截取的显示装置的剖视图，图3是简要地示出根据另一实施例的显示装置的剖视图。

参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、布置在显示面板10上的输入感测层40以及光学功能层50，并且这些元件可以被窗60覆盖。显示装置1可以是各种电子装置(诸如移动电话、笔记本计算机和智能手表)。

显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA中的像素。像素中的每个可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管等。

输入感测层40可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以以互电容方法或/和自电容方法感测外部输入。

输入感测层40可以直接形成在显示面板10上或者可以分别形成，然后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到显示面板10。例如，可以在形成显示面板10的工艺被执行之后连续地形成输入感测层40，在这种情况下，粘合层可以不位于输入感测层40与显示面板10之间。图2示出了输入感测层40布置在显示面板10与光学功能层50之间，但是在另一实施例中，输入感测层40可以布置在光学功能层50之上。

光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部通过窗60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以为膜型延迟器或液晶涂覆型延迟器，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器或液晶涂覆型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸合成树脂膜，而液晶涂覆型偏振器可以包括以特定排列布置的液晶。延迟器和偏振器中的每个还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或保护膜可以与抗反射层的基体层对应。

在另一实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑从显示面板10的像素中的每个发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器中的每个可以包括红色、绿色或蓝色颜料或者染料。可选地，除了上述颜料或者染料之外，滤色器中的每个还可以包括量子点。可选地，滤色器中的一些可以不包括上述颜料或者染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。

在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，因此，可以降低外部光反射率。

光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发射效率，或者可以减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，并且/或者可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括上述抗反射层和透镜层两者，或者可以包括它们中的一者。

显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括开口。在实施例中，图2示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一开口至第三开口10H、40H和50H，其中，第一开口至第三开口10H、40H和50H彼此叠置。第一开口至第三开口10H、40H和50H可以定位为与第一区域OA对应。在另一实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或两个可以不包括开口。可选地，如图3中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以不包括开口。

第一区域OA可以是其中布置有用于向显示装置1添加各种功能的组件20的一种组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。如图2中所示，组件20可以在第一开口至第三开口10H、40H和50H内。可选地，如图3中所示，组件20可以布置在显示面板10下方。

组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括使用光的传感器(诸如红外传感器)、接收光并捕获图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或者识别指纹的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。在使用光的电子元件的情况下，可以使用各种波段的光(诸如可见光、红外光和紫外光)。在使用声音的电子元件的情况下，可以使用超声波段或其它各种频段的光。在一些实施例中，第一区域OA可以对应于透射区域，从组件20输出到外部或者从外部朝向电子元件行进的光或/和声音可以穿过透射区域。

在另一实施例中，当显示装置1用作智能手表或车辆的仪表板时，组件20可以是诸如指示信息(例如，车辆的速度等)的时钟指针或针的元件。当显示装置1包括用于车辆的时钟指针或仪表板时，组件20可以穿过窗60并暴露于外部，并且窗60可以包括与第一区域OA对应的开口。

如上所述，组件20可以包括与显示面板10的功能相关联的元件(多个元件)，或者可以包括诸如改善显示面板10的美观性的附件等的元件。尽管未在图2和图3中示出，但是包括OCA等的层可以在窗60与光学功能层50之间。

图4a至图4d是示意性地示出根据实施例的显示面板的剖视图。

参照图4a，显示面板10包括布置在基底100上的显示层200。基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基底100可以以多层形成。例如，如图4a的放大图中所示，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。

第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。聚合物树脂可以是透明的。

第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以是防止外来物质渗透的阻挡层，并且可以是包括诸如氮化硅(SiN_x，x>0)和氧化硅(SiO_x，x>0)的无机材料的单层或多层。

显示层200包括多个像素。显示层200可以包括显示元件层200A和像素电路层200B，其中，显示元件层200A包括针对每个像素布置的显示元件，像素电路层200B包括针对每个像素布置的像素电路以及绝缘层。每个像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器，显示元件中的每个可以包括有机发光二极管(OLED)。

显示层200的显示元件可以覆盖有诸如薄膜封装层300的封装构件，无机层520可以布置在薄膜封装层300上。无机层520可以在中间区域MA中覆盖薄膜封装层300的边缘(或端部)。无机层520可以在中间区域MA中比薄膜封装层300的边缘进一步朝向第一区域OA延伸，并且与布置在薄膜封装层300的边缘下面的层接触。无机层520可以包括无机绝缘材料，并且无机绝缘材料可以包括例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。

当显示面板10包括多层的基底和薄膜封装层时，可以改善显示面板10的柔性。显示面板10可以包括穿透显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以位于第一区域OA中，在这种情况下，第一区域OA可以是一种开口区域。

图4a示出了基底100、薄膜封装层300和无机层520分别包括通孔100H、300H和520H，通孔100H、300H和520H均与显示面板10的第一开口10H对应。显示层200还可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。

在另一实施例中，如图4b中所示，基底100可以不包括与第一区域OA对应的通孔。显示元件层200A可以不位于第一区域OA中，像素电路层200B可以布置在第一区域OA中。薄膜封装层300可以包括与第一区域OA对应的通孔300H。如图4b中所示，无机层520可以包括与第一区域OA对应的通孔520H，或者如图4c中所示，无机层520可以覆盖第一区域OA而没有通孔。

图4a至图4c示出了显示元件层200A未布置在第一区域OA中，但是本公开不限于此。在另一实施例中，如图4d中所示，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A的显示元件不同的结构和/或以与显示元件层200A的显示元件不同的方式操作的显示元件。在实施例中，显示元件层200A的每个像素可以包括有效有机发光二极管，辅助显示元件层200C可以包括包含无效有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无效有机发光二极管作为显示元件时，构成像素电路的元件可以不在显示元件下方。例如，即使针对每个像素布置晶体管和存储电容器，像素电路层200B的位于辅助显示元件层200C下方的部分也可以不具有晶体管和存储电容器。

在另一实施例中，辅助显示元件层200C可以具有与显示元件层200A的显示元件相同类型的显示元件(例如，无效有机发光二极管)，但是其下面的像素电路可以具有彼此不同的结构。例如，辅助显示元件层200C下面的像素电路(例如，在基底与晶体管之间具有遮光膜的像素电路)可以包括与显示元件层200A下面的像素电路不同的结构。可选地，辅助显示元件层200C的显示元件可以根据与显示元件层200A的显示元件的控制信号不同的控制信号来操作。

不需要相对高的透射率的组件(例如，红外传感器等)可以布置在其中布置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中。在这种情况下，第一区域OA可以是组件区域和辅助显示区域。显示元件层200A可以被覆盖有薄膜封装层300，无机层520可以覆盖薄膜封装层300。无机层520可以在中间区域MA中比薄膜封装层300延伸得远。无机层520也可以覆盖第一区域OA的辅助显示元件层200C。尽管未示出，但是覆盖辅助显示元件层200C的封装层可以布置在辅助显示元件层200C与无机层520之间，并且辅助显示元件层200C上的封装层和显示元件层200A上的薄膜封装层300可以具有彼此相同的结构或彼此不同的结构。

图5是示意性地示出根据实施例的显示面板的平面图，图6是示意性地示出根据实施例的显示面板的像素的等效电路图。

参照图5，显示面板10可以包括显示区域DA、第一区域OA、中间区域MA和外部区域PA。图5示出了显示面板10的基底100。例如，基底100可以具有显示区域DA、第一区域OA、中间区域MA和外部区域PA。可选地，基底100可以具有分别与显示面板10、显示面板10的第一区域OA、中间区域MA和外部区域PA对应的区域。

显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图6中所示，像素P中的每个可以包括像素电路PC和作为连接到像素电路PC的显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如，像素P中的每个可以通过有机发光二极管OLED发射红光、绿光和蓝光中的一种，或者可以通过有机发光二极管OLED发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种。

作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL接收的开关电压将从数据线DL接收的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的数据电压和施加到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的电压差对应的电压。

作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以对应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有根据驱动电流的亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。

尽管图6示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量和/或存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。

再次参照图5，中间区域MA可以围绕第一区域OA。中间区域MA是其中未布置有诸如发射光的有机发光二极管的显示元件的区域，并且被构造为向布置在第一区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以穿过中间区域MA。被构造为向像素P中的每个提供扫描信号的扫描驱动器1100、被构造为向像素P中的每个提供数据信号的数据驱动器1200以及被构造为提供第一电力电压和第二电力电压的主电力线(未示出)等可以布置在外部区域PA中。图5示出了数据驱动器1200布置为与基底100的一侧相邻。然而，根据另一实施例，数据驱动器1200可以布置在柔性印刷电路板(FPCB)上，柔性印刷电路板(FPCB)电连接到布置在显示面板10的一侧处的垫(pad，又被称为“焊盘”)。

图7是示出根据实施例的显示面板的部分的平面图，并且示出了位于中间区域中的信号线。

参照图7，像素P布置在第一区域OA周围的显示区域DA中。像素P可以相对于第一区域OA彼此间隔开。在平面图中，像素P可以布置在第一区域OA之上和第一区域OA下方，并且像素P可以布置在第一区域OA的左侧和右侧中的每侧上。

来自被构造为向像素P供应信号的迹线之中的与第一区域OA相邻的迹线可以绕过第一区域OA。穿过显示区域DA的数据线之中的一些数据线DL可以整体上在y方向上延伸，以向布置在第一区域OA之上和第一区域OA下方的像素P提供数据信号，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘绕行。在平面图中，穿过显示区域DA的扫描线之中的一些扫描线SL可以整体上在x方向上延伸，以向布置在第一区域OA的左侧和右侧处的像素P提供扫描信号，并且可以在中间区域MA中沿着第一区域OA的边缘绕行。在图7中，沿着第一区域OA的边缘弯曲的部分分别对应于扫描线SL的绕行部分SL-C和数据线DL的绕行部分DL-C。扫描线SL的绕行部分SL-C和扫描线SL的穿过显示区域DA的延伸部分可以在同一层上形成为单个主体。数据线DL的绕行部分DL-C和数据线DL的穿过显示区域DA的延伸部分可以形成在彼此不同的层上，并且可以通过接触孔CNT彼此电连接。

图8是根据实施例的沿着图7中的线VIII-VIII’截取的显示面板的剖视图，图9a至图9d是图8中的区域IX的剖视图，并且示出了根据实施例的显示面板的以凹槽为焦点的制造工艺，图9e示出了图9d的实施例的变型，图10是图8中的区域X的放大剖视图，图11是示出根据实施例的布置在显示面板的第一区域和中间区域中的元件的平面图，图12是根据另一实施例的显示面板的剖视图。为了便于描述，图11示出了显示面板的元件之中的凹槽G、分隔壁510、有机封装层320和覆盖层530。

参照图8的显示区域DA，基底100可以包括聚合物树脂。在实施例中，如上面参照图4a描述的，基底100可以包括多层结构。

缓冲层201可以形成在基底100上，形成缓冲层201以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅)，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。

像素电路PC可以布置在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图8中所示的薄膜晶体管TFT可以对应于上面参照图6描述的驱动薄膜晶体管。在本实施例中，示出了顶栅型晶体管(其中，栅电极GE布置在半导体层Act上方，且栅极绝缘层203在它们之间)，但是根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。

半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。

半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等。栅极绝缘层203可以是包括上述材料的单层或多层。

源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括具有相对良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，源电极SE和漏电极DE中的每个可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。

存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2，且第一层间绝缘层205在它们之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在这方面，图8示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。上电极CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以是包括上述材料的单层或多层。

第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每个可以是包括上述材料的单层或多层。

包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被覆盖有平坦化绝缘层209。平坦化绝缘层209可以包括近似平坦的顶表面。平坦化绝缘层209可以包括有机材料，诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其任何共混物。在实施例中，平坦化绝缘层209可以包括聚酰亚胺。可选地，平坦化绝缘层209可以包括无机绝缘材料，或者可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。

像素电极221可以形成在平坦化绝缘层209上。像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，像素电极221可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何混合物。在另一实施例中，像素电极221还可以包括在反射层上/下方由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的层。

像素限定层211可以形成在像素电极221上。像素限定层211包括开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘，像素电极221的上表面通过开口而被暴露。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。可选地，像素限定层211可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO_x)。可选地，像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括布置在发射层222b下面的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上方的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射颜色光的聚合物或低分子量有机材料。

第一功能层222a可以是单层或多层。例如，当第一功能层222a由聚合物材料形成时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以由聚-(3,4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。当第一功能层222a由低分子量材料形成时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。

第二功能层222c可以是可选的。例如，当第一功能层222a和发射层222b由聚合物材料形成时，期望形成第二功能层222c。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。

可以针对显示区域DA中的每个像素布置中间层222的发射层222b。发射层222b可以被图案化，以对应于通过像素限定层211的开口暴露的像素电极221。不同于发射层222b，中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c可以在中间区域MA和显示区域DA中。

对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金。可选地，对电极223还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO层、IZO层、ZnO层或In₂O₃层的层。对电极223可以形成在中间区域MA和显示区域DA中。中间层222和对电极223可以通过热蒸发形成。

盖层230可以位于对电极223上。例如，盖层230可以包括氟化锂(LiF)，并且可以通过热蒸发形成。可以省略盖层230。

间隔件213可以布置在像素限定层211上。间隔件213可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可选地，间隔件213可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

间隔件213可以包括与像素限定层211的材料不同的材料。可选地，间隔件213和像素限定层211可以包括相同的材料，在这种情况下，可以使用半色调掩模等在掩模工艺中一起形成像素限定层211和间隔件213。作为示例，像素限定层211和间隔件213中的每个可以包括聚酰亚胺。

有机发光二极管OLED被覆盖有薄膜封装层300。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，并且图8示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。在另一实施例中，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序。

第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以是包括上述材料的单层或多层。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此不同的厚度。第一无机封装层310的厚度可以比第二无机封装层330的厚度大。例如，第一无机封装层310的厚度可以为约1μm，第二无机封装层330的厚度可以为约0.7μm。可选地，第二无机封装层330的厚度可以比第一无机封装层310的厚度大，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330的厚度可以彼此相等。

参照图8的中间区域MA，具有底切形状的凹槽G位于中间区域MA中。图8示出了一个凹槽G布置在中间区域MA中，但是在另一实施例中，两个或更多个凹槽可以布置在中间区域MA中。

有机发光二极管OLED的无机材料的子层(例如，中间层222)可以在中间区域MA中在凹槽G周围断开。在实施例中，可以使用包括彼此不同的材料的至少两个层或更多个层来形成凹槽G，并且在这方面，图9a示出了金属层400A以及金属层400A上的第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207。

参照图9a，通过去除金属层400A上的第一层间绝缘层205的一部分和第二层间绝缘层207的一部分来形成孔H，并且可以通过孔H去除金属层400A。可以通过蚀刻工艺去除金属层400A，并且当金属层400A被去除时，在金属层400A所在的地方形成具有相对大的宽度的第一孔h1，如图9b中所示。可以通过将第一孔h1空间地连接到形成在第一孔h1上的第二孔h2来形成凹槽G，并且第二孔h2可以对应于参照图9a描述的孔H。第二孔h2的宽度比第一孔h1的宽度小，并且凹槽G可以包括朝向凹槽G的中心突出的一对尖端PT(或檐结构)。金属层400A的未被去除的金属材料部分400(或残留物)可以保留在第一孔h1中，如图9b中所示。在这方面，图9b示出了金属材料部分400布置在第一孔h1的边缘(例如，一对尖端PT)下方。在另一实施例中，可以去除全部的金属层400A，在这种情况下，与图9b不同，金属材料部分400可以不在凹槽G中。参照图9a描述的金属层400A和栅电极GE包括相同的材料，并且可以在同一工艺中形成。例如，金属层400A可以包括钼(Mo)。

此后，在形成中间层222的工艺中，中间层222的一部分(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)在凹槽G周围断开。金属层400A的厚度t1与形成凹槽G的第一孔h1的深度对应，并且金属层400A的厚度t1可以比在凹槽G周围断开的第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223和盖层230的厚度的总和t2大。

第一功能层222a和第二功能层222c可以形成为完全覆盖显示区域DA和中间区域MA，并且可以通过具有底切结构的凹槽G断开。类似于第一功能层222a和第二功能层222c，可以通过热蒸发在第一功能层222a和第二功能层222c上形成对电极223和包括LiF的盖层230，并且对电极223和盖层230可以通过具有底切结构的凹槽G断开。包括在显示面板中的有机材料可以提供湿气渗透的路径。第一功能层222a和第二功能层222c包括有机材料，因此可以提供湿气渗透穿过其的路径。然而，根据实施例，如参照图8a以及图9a至图9c描述的，第一功能层222a和第二功能层222c在凹槽G周围断开，因此，可以防止湿气渗透穿过第一功能层222a和/或第二功能层222c。

参照图9d和图9e，在形成第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和盖层230之后，形成第一无机封装层310。根据第一无机封装层310的形成条件等，第一无机封装层310可以在凹槽G周围断开(如图9d中所示)，或者可以连续地形成以完全覆盖凹槽G的内表面(如图9e中所示)。凹槽G可以至少部分地填充有有机封装层320。有机封装层320位于分隔壁510的一侧处。例如，有机封装层320的边缘可以位于分隔壁510的与显示区域DA相邻的一侧处(例如，在图8中分隔壁510的右侧上)。图8示出了存在一个分隔壁510，但是在另一实施例中，显示面板10可以包括两个或更多个分隔壁510。

参照图8以及图9a至图9e，描述了金属层400A和栅电极GE布置在同一层上，但是本公开不限于此。在另一实施例中，图9a的金属层400A的位置可以以各种方式改变(诸如在基底100、缓冲层201或第一层间绝缘层205上)，因此，凹槽G的深度可以以各种方式改变。

再次参照图8，第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223和盖层230中的每个的边缘可以与第一区域OA间隔开一定距离。类似地，对电极223上的第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个的边缘可以与第一区域OA间隔开一定距离。

无机层520可以在薄膜封装层300上，并且可以形成为单个主体，以完全覆盖显示区域DA和中间区域MA。在中间区域MA的与第一区域OA相邻的区域中，无机层520可以直接接触薄膜封装层300下方的无机绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)。换言之，与第一区域OA相邻的上述区域对应于无机层520与布置在薄膜封装层300下方的第二层间绝缘层207之间的接触区域CA。在接触区域CA中，包括相对耐湿的无机材料的无机层520和第二层间绝缘层207彼此直接接触，因此，可以防止湿气在与上述接触表面平行的方向(或横向、图8的x方向)上渗透。

无机层520可以包括无机绝缘材料。例如，无机层520可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅，并且可以是单层或多层。

在无机层520的形成工艺期间，当第二层间绝缘层207的上表面与薄膜封装层300的上表面(例如，第二无机封装层330的上表面)之间的高度差大时，无机层520可能因第二层间绝缘层207的上表面与薄膜封装层300的上表面之间的台阶而断开。无机层520的断开部分会提供湿气可以渗透穿过的路径，因此，为了防止这种情况，可以进一步布置覆盖台阶的覆盖层530。

参照图8和图10，堆叠在第二层间绝缘层207上的层叠体ST可以包括第一功能层222a和第二功能层222c、对电极223、盖层230以及第一无机封装层310和第二无机封装层330。根据实施例，如上所述，可以省略第二功能层222c和/或盖层230。

层叠体ST的边缘与第一区域OA间隔开一定距离，并且薄膜封装层300的边缘(例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘)也与第一区域OA间隔开一定距离。在制造工艺期间，可以完全地形成层叠体ST以及薄膜封装层300的第一无机封装层310和第二无机封装层330，以覆盖显示区域DA和中间区域MA。在形成薄膜封装层300之后，可以在第二无机封装层330上形成光致抗蚀剂，并且可以通过使用光致抗蚀剂作为掩模进行图案化来去除层叠体ST的与接触区域CA对应的部分。层叠体ST的边缘以及第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘可以具有基本上相同的图案。例如，在剖视图中，层叠体ST的边缘以及第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘可以位于基本上同一条线上。

层叠体ST的一侧可以具有第一斜率α。这里，第一斜率α可以表示由虚拟线VS1和层叠体ST的底表面(或层叠体ST下面的第二层间绝缘层的上表面)形成的角度，其中，虚拟线VS1将层叠体ST的最上层(例如，第二无机封装层)的端点pt1连接到层叠体ST的最下层(例如，第一功能层)的端点pt2。例如，第一斜率α可以具有在约60度与约80度之间的范围内的角度(例如，约70度)。

覆盖层530可以覆盖层叠体ST的边缘。覆盖层叠体ST的倾斜表面的覆盖层530的侧表面可以具有第二斜率β。第二斜率β可以表示由接触覆盖层530的边缘的虚拟线VS2和覆盖层530的底表面(或覆盖层530下面的第二层间绝缘层的上表面)形成的角度。第二斜率β可以比第一斜率α小。例如，第二斜率β可以在约55度与约65度之间的范围内，或者为约60度或更小。覆盖层530可以包括有机绝缘材料。

无机层520可以越过层叠体ST的边缘和覆盖层530的边缘而覆盖整个中间区域MA，并且如上所述，可以在接触区域CA中直接接触无机绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)。

当如图8中所示显示面板10包括与第一区域OA对应的第一开口10H时，基底100和基底100上的层(例如，从缓冲层201到无机层520的若干层)中的每个可以包括与第一开口10H对应的孔。基底100可以包括与第一开口10H对应的孔100H，并且无机层520的边缘520E可以位于与基底100的限定上述孔100H的第一边缘100E相同的竖直线上。

图8中所示的剖面结构可以对应于围绕第一开口10H和/或第一区域OA的结构。例如，如图11中所示，在平面图中，中间区域MA的凹槽G可以具有围绕第一区域OA的环形形状。类似地，分隔壁510和覆盖层530中的每个可以具有围绕第一区域OA的环形形状。作为图8中所示的线的扫描线SL的绕行部分SL-C和数据线DL的绕行部分DL-C可以在凹槽G与基底100的第一边缘100E之间。图8中所示的扫描线SL的绕行部分SL-C和数据线DL的绕行部分DL-C分别对应于上面参照图7描述的扫描线SL的绕行部分SL-C和数据线DL的绕行部分DL-C。

在图8中，示出了显示面板10包括与第一区域OA对应的第一开口10H，但是在另一实施例中，如图12中所示，显示面板10'可以不包括第一开口10H。

参照图12，可以不去除基底100的与第一区域OA对应的部分。此外，也可以不去除层叠体的从缓冲层201到第二层间绝缘层的与第一区域OA对应的部分。图12中所示的无机层520与第二层间绝缘层207之间的接触区域CA可以比参照图8描述的无机层520与第二层间绝缘层207之间的接触区域CA大。例如，如图12中所示，无机层520可以在第一区域OA中接触第二层间绝缘层207。尽管未在图12中示出，但是如上面参照图4d描述的，与布置在显示区域DA中的有机发光二极管具有不同结构的显示元件或以与布置在显示区域DA中的有机发光二极管不同方式操作的显示元件可以布置在第一区域OA中。

图13是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的剖视图。

除了显示面板10”还包括在无机层520与薄膜封装层300之间的透明层450之外，图13中所示的显示面板10”的特征与上面参照图8描述的显示面板10的特征相同。

为了在无机层520与作为薄膜封装层300下面的绝缘层的第二层间绝缘层207之间形成接触区域CA，在形成无机层520之前，需要去除形成在中间区域MA和显示区域DA中的层叠体ST(见图10)以及第一无机封装层310和第二无机封装层330的一部分的工艺。可以通过使用包括有机材料的光致抗蚀剂作为掩模来执行上述去除工艺，在这种情况下，当使用不是有机材料的透明无机膜作为掩模时，上述透明无机膜原样保留在第二无机封装层330上，因此可以形成透明层450。

透明层450是无机膜，并且可以包括诸如氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物。可选地，透明层450可以包括透光金属薄膜。透明层450的边缘和第二无机封装层330的边缘可以位于基本上同一条线上。

图13示出了显示面板10”包括与第一区域OA对应的第一开口10H，并且基底100和基底100上的层(例如，从缓冲层201到无机层520的若干层)中的每个也包括与第一开口10H对应的孔，但是本公开不限于此。参照图13描述的结构可以同样应用于上面参照图12描述的显示面板10'，并且由此导出的实施例也被包括在本公开的实施例中。

图14是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的剖视图，图15是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的剖视图。

除了在无机层520与薄膜封装层300之间未设置覆盖层530以及第一无机封装层310和第二无机封装层330形成台阶之外，图14中所示的显示面板10”'具有与上面参照图8描述的显示面板10相同的特征。

参照图14，第二无机封装层330的边缘330E可以位于第一无机封装层310的上表面上。第二无机封装层330的边缘330E可以比第一无机封装层310的边缘310E靠近显示区域DA侧，并且第一无机封装层310和第二无机封装层330可以形成台阶。

参照图14的放大图，由层叠体ST和第一无机封装层310相对于第二层间绝缘层207的上表面形成的第一台阶以及由第一无机封装层310和第二无机封装层330形成的第二台阶以阶梯形状布置，因此，无机层520可以不断开。在这种情况下，可以不在无机层520与薄膜封装层300之间设置覆盖层。

参照图14描述的结构和特征(多个特征)可以同样应用于上面分别参照图12和图13描述的显示面板10'和10”，并且根据其的实施例和由此导出的实施例被包括在本公开的实施例中。例如，如图15的显示面板10””中所示，无机层520可以经过薄膜封装层300的边缘(例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘)朝向第一区域OA延伸，并且覆盖层530(见图8等)可以不在薄膜封装层300与无机层520之间。如图15的放大图中所示，第一无机封装层310和第二无机封装层330的边缘可以位于实际上相同的倾斜表面上，并且在它们之间可以不形成台阶。无机层520可以覆盖布置在其下面的层叠体ST的端部(例如，层叠体ST的倾斜表面)，并且接触布置在层叠体ST下方的第二层间绝缘层207的上表面。

图16和图17是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的平面图。

参照图16，显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和分别布置在第一显示区域DA1的边缘处的第二显示区域至第五显示区域DA2、DA3、DA4和DA5。在图16中，为了便于描述，第一显示区域DA1与第二显示区域至第五显示区域DA2、DA3、DA4和DA5中的每个之间的边界由虚线指示，但是非显示区域不在第一显示区域DA1与第二显示区域至第五显示区域DA2、DA3、DA4和DA5中的每个之间。

如图16中所示，第一区域OA可以位于第一显示区域DA1中。可选地，如图17中所示，第一区域OA可以位于第二显示区域DA2中，并且可以位于第二显示区域DA2的边缘处。位于第二显示区域DA2的边缘处的第一区域OA可以不被作为显示区域的第二显示区域DA2完全围绕，而是可以被第二显示区域DA2部分围绕。例如，外部区域PA可以在第一区域OA上方，并且外部区域PA和中间区域MA可以彼此连接。

图16和图17的显示面板10的第二显示区域至第五显示区域DA2、DA3、DA4和DA5中的每个可以相对于第一显示区域DA1弯曲，并且提供三维的显示面板10。三维的显示面板10的形状不限于图16和图17中所示的形状，并且在另一实施例中，显示面板可以被实现为具有各种三维形状(诸如足球形状、金字塔形状等)。

图18是根据实施例的显示面板的剖视图，其中，示出了外部区域和显示区域。

图18的显示区域DA和上面参照图8描述的显示区域DA具有相同的结构。参照图18的外部区域PA，外部凹槽OG布置在外部区域PA中，并且外部凹槽OG可以使有机材料层(例如，包括在形成有机发光二极管的层叠体(例如，像素电极、中间层和对电极的层叠体)中的有机材料)断开(或者分离)。外部凹槽OG和参照图9a至图9d或图9e描述的凹槽G可以以相同的工艺形成，并且根据形成外部凹槽OG的工艺，金属材料部分1400(或残留物)可以设置在外部凹槽OG内部(例如，在檐下面)。其中第一无机封装层310的结构和/或相对于外部凹槽OG断开的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和盖层230的结构与上面参照图8、图9a至图9d或/和图9e描述的结构相同。

外部分隔壁1510可以布置在外部区域PA中。在有机封装层320的制造工艺期间，可以通过外部分隔壁1510来控制单体的流动，并且可以控制有机封装层320的厚度。在平面图中，例如，当从垂直于基底100的方向观察时，外部分隔壁1510可以完全围绕显示区域DA。

为了防止经过外部分隔壁1510和/或第一无机封装层310和第二无机封装层330的层叠体朝向基底100的外边缘延伸的第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223和盖层230由于由上述层叠体和层叠体下方的绝缘层(例如，第二层间绝缘层207)形成的台阶而断开，可以设置外部覆盖层1530。外部覆盖层1530可以具有与上述覆盖层530相同的材料和/或相同的结构。

图18示出了布置在外部区域PA中的元件(例如，外部凹槽OG、外部分隔壁1510、外部覆盖层1530和被覆盖有外部覆盖层1530的层叠体)的结构与凹槽G、分隔壁510、覆盖层530和被覆盖有覆盖层530的层叠体的结构相同或相似，但是实施例不限于此。在另一实施例中，布置在外部区域PA中的外部凹槽OG、外部分隔壁1510、外部覆盖层1530和被覆盖有外部覆盖层1530的层叠体的结构与上面参照图13或图14描述的凹槽G、分隔壁510、覆盖层530和被覆盖有覆盖层530的层叠体的结构基本相同或相似。

如上所述，参照附图中所示的实施例描述了本公开，但是这仅是示例，并且本领域普通技术人员将理解的是，由此实施例的各种变型和变化是可行的。因此，本公开的真正技术保护范围应由所附权利要求的技术精神确定。