一种异质结构抑菌剂

文档序号:396154 发布日期:2021-12-17 浏览:31次 >En<

阅读说明:本技术 一种异质结构抑菌剂 (Heterostructure bacteriostatic agent ) 是由 叶勤政 竹内栄治 朱宁 彭开美 谭邵早 熊军 陈新颖 李正锋 方俊山 姚明泽 梁 于 2021-09-29 设计创作,主要内容包括:本发明提供一种异质结构抑菌剂,按质量百分比计算,包括以下原料:聚硅氧烷微球10~30%和水性溶剂30~80%,聚硅氧烷微球包括Cu-(2)O-AO异质结构和聚硅氧烷外壳,Cu-(2)O-AO异质结构被包裹于聚硅氧烷外壳之中,在Cu-(2)O-AO异质结构中,AO表示带隙宽度不低于3eV的n型半导体。本发明利用具有宽带隙的n型半导体与具有窄带隙的Cu-(2)O形成p-n结异质结构,不仅拓宽了宽带隙半导体的波长范围,还提高了材料的光催化性能。利用聚硅氧烷外壳包裹含有Cu-(2)O的异质结构,有效地延缓了Cu-(2)O的氧化。基于上述理由,本发明所提供的抑制结构抑菌剂能够在可见光的激发下,能够对多种有害菌发挥有效的抑制、杀灭作用。(The invention provides a heterostructure bacteriostatic agent which comprises the following raw materials in percentage by mass: 10-30% of polysiloxane microspheres and 30-80% of aqueous solvent, wherein the polysiloxane microspheres comprise Cu 2 O-AO heterostructure and polysiloxane shell, Cu 2 The O-AO heterostructure is encapsulated in a polysiloxane shell in Cu 2 In the O-AO heterostructure, AO represents an n-type semiconductor having a band gap width of not less than 3 eV. The present invention utilizes n-type semiconductor with wide band gap and Cu with narrow band gap 2 O forms a p-n junction heterostructure, which not only widens the wavelength range of the wide band gap semiconductor, but also improves the photocatalytic performance of the material. Wrapping Cu-containing material with a silicone shell 2 O heterostructure effectively postpones Cu 2 And (4) oxidizing O. Based on the above reasons, the bacteriostatic agent with an inhibiting structure provided by the invention can effectively inhibit and kill various harmful bacteria under the excitation of visible light.)

一种异质结构抑菌剂

技术领域

本发明属于抗菌技术领域,具体地,涉及一种异质结构抑菌剂。

背景技术

光催化降解使将光能转化为化学能的一种技术,光催化剂吸收特定波长的电磁辐射后,受到激发产生电子(e)和空穴(h+),电子、空穴和空气、水等介质相互作用,生产具有强氧化性的·OH和·O2-等含氧活性基团,并使之和空气中的有机物及各种细菌发生降解反应,从而达到净化空气、抗菌防霉、防污除臭等功能。

Cu2O的带隙宽度为2.0~2.2eV,能够被400~760nm波长范围的光所激发,将Cu2O应用于光催化降解上,能够提高光催化降解过程中对可见光的利用率,并且其光电转化率理论值比较高,基于此,Cu2O作为一种非常有潜力的光催化半导体,倍受环境治理领域的高度重视。然而,Cu2O的光生电子和空穴分离效率并不高,这对Cu2O的光催化活性形成了很大的限制。另一方面,Cu2O几乎不溶于水,在潮湿的空气中容易被氧化而转化为Cu2+,这也不利于Cu2O在水性雾剂中的应用。

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