具体实施方式

现将详细地参考实施方式，其示例阐释在附图中，其中遍及全文相同的附图标记指相同的元件。就此而言，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。因此，下面仅通过参考图描述实施方式，以解释描述的方面。

在说明书中，应当理解，当元件(区、层或部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可直接在另一个元件上，直接连接或联接到另一个元件，或中间第三元件可设置在它们之间。

如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”和“或”可用于连接或分离的意义，并且可理解为等同于“和/或”。

术语“至少一个”旨在包括“选自…中的至少一个”的含义，用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意指“A、B、或A和B”。当在元素列表之前时，术语“至少一个”修饰整个元素列表，而不修饰列表中的单个元素。

应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明构思的实施方式的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。单数形式的术语可包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

术语“下方”、“下”、“上方”和“上”等用于描述附图中所示配置的关系。这些术语是作为相对概念使用的，并参照附图中指示的方向进行描述。

应理解，术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contain)”和/或“含有(containing)”旨在指定本公开中所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。

如本文所使用的术语“约”或“近似”包括规定值并且意指在由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与所叙述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的所叙述值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或者在规定值的20％、10％或5％内。

除非本文另有定义或暗示，否则使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还应该理解的是，术语比如在常用词典中定义的那些术语，应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想的或过于正式的意义来解释，除非在说明书中明确定义。

有机金属化合物由式1表示：

[式1]

M(L₁)_n1(L₂)_n2

[式2]

[式2A]

*-(T₄)_a4-(R₄)_b4。

式1中的M可为过渡金属。

在实施方式中，M可选自铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)和锇(Os)。

在式1中，L₁可为由式2表示的配体。

在式1中，L₂可为有机配体。

在式1中，n1可为1、2或3，并且当n1为2或更大时，两个或更多个L₁可彼此相同或不同。

在式1中，n2可为0、1、2、3或4，并且当n2为2或更大时，两个或更多个L₂可彼此相同或不同。

式1中的n1和n2之和可为2、3、4或5。

式2中的*和*'各自指示与式1中的M的结合位点。

在式2中，环A₁可为C₄-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，式2中的环A₁可为苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5-氧化物基、9H-芴-9-酮基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基、氮杂-9H-芴-9-酮基、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基或5,6,7,8-四氢喹啉基。

在实施方式中，式2中的环A₁可由式2-1至2-19中的一个表示：

在式2-1至2-19中，

X₁可为O、S、Se或N(R_1a)，

环A₁₁可选自苯基、萘基、茚基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基和吡唑并吡啶基，

R_1a可与结合R_10b描述的相同，并且

*'和*”各自指示与相邻原子的结合位点。

在实施方式中，式2中由表示的部分可由式5-1至5-13中的一个表示：

在式5-1至5-13中，

Z₄₁至Z₄₃和Z₄₅可与结合Z₄描述的相同，并且

*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。

在式2中，Z₄可由式2A表示，并且

式2A中的*指示与相邻原子的结合位点。

式2中的G₁可为氮(N)或碳(C)。

式2中的T₁至T₄可各自独立地为单键、由*-C(R_10b)(R_10c)-*'表示的基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₄-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，T₁至T₄可各自独立地选自：

单键；由*-C(R_10b)(R_10c)-*'表示的基团；以及各自未被取代的或被至少一个R_10a取代的苯基、萘基、芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吡唑基、三唑基和噁二唑基。

在实施方式中，T₁至T₄可各自独立地选自：

单键；由*-C(R_10b)(R_10c)-*'表示的基团以及式2-(1)至2-(50)：

在式2-(1)至2-(50)中，

X₂可为O、S、Se或N(R_2a)，

Y₁可为N或C(R_1b)，

Y₂可为N或C(R_2b)，

Y₃可为N或C(R_3b)，

Y₄可为N或C(R_4b)，

Y₅可为N或C(R_5b)，

Y₆可为N或C(R_6b)，

d13可为选自0至3的整数，

d14可为选自0至4的整数，

d16可为选自0至6的整数，并且

d17可为选自0至7的整数。

R_10a、R_10b和R_10c与说明书中描述的相同，并且

R_2a和R_1b至R_6b与结合R_10b描述的相同，其中*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。

在式2和2A中，a1至a4可各自独立地为选自1至10的整数。

在式2和2A中，b1至b4可各自独立地为选自1至20的整数。

在式2中，d4可为选自0至20的整数。

在式2和2A中，R₁至R₄、R_10b和R_10c可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

在实施方式中，R₁至R₄、R_10b和R_10c可各自独立地为：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代的或被以下取代的C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其组合；

各自未被取代的或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其组合；或者

-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)或-C(＝O)(Q₁)。

R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其组合；

各自未被取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未被取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其组合取代C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，在式2和2A中，*-(T₁)_a1-(R₁)_b1、*-(T₂)_a2-(R₂)_b2、*-(T₃)_a3-(R₃)_b3或*-(T₄)_a4-(R₄)_b4可由式3-1至3-77中的任一个表示：

在式3-1至3-77中，

X₁₂可为O、S、Se或N(R_12a)，

R₄₀至R₄₈可与结合R₁描述的相同，

R₄₁至R₄₈可不为氢，

d14可为选自1至4的整数，

d22可为选自1至2的整数，

d23可为选自1至3的整数，

d24可为选自1至4的整数，

d27可为选自1至7的整数，

R_10a、R_10b和R_10c与说明书中描述的相同，

R_12a与结合R_10b描述的相同，并且

*指示与相邻原子的结合位点。

在实施方式中，式2中的R₂和R₃可满足条件1至条件3中的至少一个：

条件1

R₂为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团或者-N(Q_1a)(Q_2a)。

条件2

R₃为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团或者-N(Q_1b)(Q_2b)。

条件3

R₂为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团或者-N(Q_1a)(Q_2a)；并且

R₃为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团或者-N(Q_1b)(Q_2b)。

Q_1a、Q_2a、Q_1b和Q_2b与结合Q₁描述的相同，并且

R_10a与说明书中描述的相同。

在实施方式中，在式1中，L₂可为二齿配体，并且n1和n2之和可为2或3。

在实施方式中，在式1中，L₂可为非碳烯配体。

在实施方式中，在式1中，n2可为1或更大。

在实施方式中，在式1中，L₂可为由式4-1至4-4中的一个表示的配体：

在式4-1至4-4中，

Y₁₁可为O、N、N(R₁₃)、P(R₁₃)(R₁₄)或As(R₁₃)(R₁₄)，

Y₁₂可为O、N、N(R₁₅)、P(R₁₅)(R₁₆)或As(R₁₅)(R₁₆)，

T₁₁可选自单键、双键、*-C(R₁₁)(R₁₂)-*'、*-C(R₁₁)＝C(R₁₂)-*'、*＝C(R₁₁)-*'、*-C(R₁₁)＝*'、*＝C(R₁₁)-C(R₁₂)＝C(R₁₃)-*'、*-C(R₁₁)＝C(R₁₂)-C(R₁₃)＝*'和*-N(R₁₁)-*'，

Y₁₃至Y₁₆可各自独立地为C或N，

Y₁₇可为C、N(R₁₇)或P(R₁₇)，

环A₁₁和环A₁₂可各自独立地选自C₄-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团，

R₁₁至R₁₇与结合R_10b描述的相同，

c11和c12可各自独立地为选自1至10的整数，并且

*和*'各自指示与式1中的M的结合位点。

在实施方式中，R₁₁至R₁₇可各自独立地为：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代的或被以下取代的C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂，-C(CH₃)₃，-C(CH₃)₂H，-C(CH₃)H₂、羟基、氰基、硝基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其组合；

各自未被取代的或被以下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂，-C(CH₃)₃，-C(CH₃)₂H，-C(CH₃)H₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其组合；或者

-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)或-C(＝O)(Q₁)。

在实施方式中，式1中的L₂可由式4-2表示，并且

在式4-2中，Y₁₁可为O，Y₁₂可为O，并且

T₁₁可为*-C(R₁₁)＝C(R₁₂)-C(R₁₃)＝*'或*＝C(R₁₁)-C(R₁₂)＝C(R₁₃)-*'。

在实施方式中，有机金属化合物可选自化合物1至100，但是本公开的实施方式不限于此：

由式1表示的有机金属化合物可发射蓝光或蓝绿光。

由式1表示的有机金属化合物可发射具有在约400nm至约500nm的范围内的最大发光波长的光。

由式1表示的有机金属化合物具有包括具有由式2表示的二硼骨架的碳烯配体的结构。

因为式2具有二硼骨架，所以驱动期间的耐久性会很高。有机电致发光发光装置的效率和寿命特性可通过将有机金属化合物与磷光发光材料和延迟荧光发光材料组合来改善。

由式2表示的配体以碳烯的形式与中心金属连接，导致高的发光效率、高的颜色纯度和改善的材料稳定性。

因此，包括由式1表示的有机金属化合物的电子装置，例如发光装置，可具有低驱动电压、高的最大量子效率、高效率和长寿命。

由式1表示的有机金属化合物的合成方法可通过参考下面提供的合成例和/或实施例由本领域普通技术人员来认识。

至少一种由式1表示的有机金属化合物可用在发光装置(例如，有机发光装置)中。因此，提供了发光装置，其可包括第一电极；面对第一电极的第二电极；设置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层；以及至少一种由式1表示的有机金属化合物。

在实施方式中，发光装置可进一步包括设置在第一电极外侧的第一封盖层和设置在第二电极外侧的第二封盖层中的至少一个，并且由式1表示的有机金属化合物可包括在第一封盖层和第二封盖层中的至少一个中。第一封盖层和第二封盖层的更详细描述与说明书中的描述相同。

在实施方式中，发光装置可包括：

设置在第一电极外侧且包括由式1表示的有机金属化合物的第一封盖层；

设置在第二电极外侧和包括由式1表示的有机金属化合物的第二封盖层；或者

第一封盖层和第二封盖层。

在实施方式中，

发光装置的第一电极可为阳极，

发光装置的第二电极可为阴极，

夹层可进一步包括设置在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及设置在发射层和第二电极之间的电子传输区。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合，并且

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。

在实施方式中，有机金属化合物可包括在发光装置的一对电极之间。因此，有机金属化合物可包括在发光装置的夹层中，例如，夹层的发射层中。

在实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂，

主体和掺杂剂彼此不同，

主体的量大于掺杂剂的量，并且

有机金属化合物可包括在掺杂剂中。

在实施方式中，发射层可包括掺杂剂和主体，并且

主体可包括至少一种由式1表示的有机金属化合物。

在实施方式中，有机金属化合物可发射具有在约400nm至约500nm的范围内的最大发光波长的蓝光或蓝绿光。

在实施方式中，发光装置可进一步包括设置在第二电极上的第二封盖层。

在实施方式中，第二封盖层可具有大于或等于约1.6的折射率。

在实施方式中，第二封盖层可包括由式201或式202表示的化合物：

[式201]

[式202]

在式201和202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

R_10a可与结合式2和2A描述的相同，其中*和*'各自指示与相邻原子的结合位点。

在实施方式中，发射层可发射具有在约400nm至约500nm的范围内的最大发光波长的光。

在实施方式中，发射层可发射蓝光或蓝绿光。

本文使用的表达“(夹层和/或封盖层)包括有机金属化合物”可包括其中“(夹层和/或封盖层)包括一种相同的由式1表示的有机金属化合物”的情况和其中“(夹层和/或封盖层)包括两种或更多种不同的由式1表示的有机金属化合物”的情况。

在实施方式中，夹层和/或封盖层可包括有机金属化合物且可仅包括化合物1。就此而言，化合物1可存在于发光装置的发射层中。在实施方式中，夹层可包括作为有机金属化合物的化合物1和化合物2。就此而言，化合物1和化合物2可存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2可都存在于发射层中)或者不同的层中(例如，化合物1可存在于发射层中并且化合物2可存在于电子传输区中)。

如本文所使用的术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有层。

根据另一方面，提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在实施方式中，电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。电子设备的更详细描述与说明书中描述的相同。

[图1的描述]

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，基板可另外设置在第一电极110下方或第二电极150上方。基板可为玻璃基板或塑料基板。基板可为柔性基板。在实施方式中，基板可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其组合。

第一电极110可通过例如在基板上沉积或喷射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，可容易注入空穴的高功函材料可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其组合。在实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其组合可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。在实施方式中，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[夹层130]

夹层130设置在第一电极110上。夹层130包括发射层。

夹层130可进一步包括设置在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及设置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。

在实施方式中，夹层130可包括，i)顺序堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)在两个发射单元之间的电荷产生层。当夹层130包括发射单元和电荷产生层时，发光装置10可为串联发光装置。

[夹层130中的空穴传输区]

空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的层的多层结构。

空穴传输区可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射辅助层、电子阻挡层(EBL)或其组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，各层从第一电极110顺序堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物或其组合，其中式201和202与上述的相同。

在实施方式中，式201和202可各自包括至少一个由式CY201至CY217表示的基团：

关于式CY201至CY217，R_10b和R_10c可与结合R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至CY217中的至少一个氢可未被取代的或被本文所述的至少一个R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施方式中，式201和202可各自包括至少一个由式CY201至CY203表示的基团。

在实施方式中，式201可包括至少一个由式CY201至CY203表示的基团和至少一个由式CY204至CY217表示的基团。

在实施方式中，在式201中，xa1为1，R₂₀₁为由式CY201至CY203中的一个表示的基团，xa2为0，R₂₀₂为由式CY204至CY207中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和202中的每一个可不包括由式CY201至CY203中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和202中的每一个可不包括由式CY201至CY203中的一个表示的基团并且可包括至少一个由式CY204至CY217表示的基团。

在实施方式中，式201和202中的每一个可不包括由式CY201至CY217中的一个表示的基团。

例如，空穴传输区可包括化合物HT1至HT44中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其组合：

空穴传输区的厚度可在约至约的范围内。例如，空穴传输区的厚度可在约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴传输区的厚度可在约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约的范围内。例如，空穴注入层的厚度可在约至约 的范围内。例如，空穴传输层的厚度可在约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。

发射辅助层可通过根据发射层发射的光的波长补偿光共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。

[p-掺杂剂]

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀或非均匀分散于空穴传输区中(例如，以电荷产生材料的单个层的形式)。

电荷产生材料可为例如p-掺杂剂。

在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可小于或等于约-3.5eV。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其组合。

醌衍生物的实例可包括TCNQ和F4-TCNQ。

含氰基化合物的实例可包括HAT-CN和由下面式221表示的化合物。

[式221]

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其组合。

关于含元素EL1和元素EL2的化合物，元素EL1可为金属、准金属或其组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其组合。

金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)或锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)或镥(Lu)等)。

准金属的实例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方式中，含元素EL1和元素EL2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其组合。

金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃或W₂O₅)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂或V₂O₅)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃或Mo₂O₅)和铼氧化物(例如，ReO₃)。

金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄或TiI₄)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄或ZrI₄)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄或HfI₄)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃或VI₃)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃或NbI₃)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃或TaI₃)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃或CrI₃)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃或MoI₃)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃或WI₃)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂或MnI₂)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂或TcI₂)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂或ReI₂)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂或FeI₂)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂或RuI₂)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂或OsI₂)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂或CoI₂)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂或RhI₂)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂或IrI₂)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂或NiI₂)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂或PdI₂)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂或PtI₂)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr或CuI)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr或AgI)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr或AuI)。

后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂或ZnI₂)、铟卤化物(例如，InI₃)和锡卤化物(例如，SnI₂)。

镧系金属卤化物的实例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅)。

金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te或Cs₂Te)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe或BaTe)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe或Au₂Te)、后过渡金属碲化物(例如或ZnTe)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe或LuTe)。

[夹层130中的发射层]

当发光装置10为全色发光装置，发射层可根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其组合。

掺杂剂可包括由式1表示的有机金属化合物。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01至约15重量份的范围内。

在实施方式中，发射层可包括量子点。

发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约至约的范围内。例如，发射层的厚度可在约至约的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得卓越的光发射特性。

[主体]

主体可包括由下面式301表示的化合物：

[式301]

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃与描述结合Q₁描述的相同。

在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个的Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其组合：

[式301-1]

[式301-2]

在式301-1和301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可为O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁与说明书中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄各自独立地与结合L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄与结合R₃₀₁描述的相同。

在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。在实施方式中，主体可为Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其组合。

在实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其组合，但是本公开的实施方式不限于此：

[延迟荧光材料]

发射层可包括延迟荧光材料。

如本文所使用的延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的任何化合物。

取决于包括在发射层中的其他材料的类型，包括在发射层中的延迟荧光材料可用作主体或掺杂剂。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可在约0eV至约0.5eV的范围内。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的三重态到单重态的上转换，因此，可改善发光装置10的发光效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富含π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基、或含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团)的材料，ii)包括C₈-C₆₀多环基团的材料，在C₈-C₆₀多环基团中两个或更多个环状基团共用硼(B)并彼此稠合。

延迟荧光材料可包括化合物DF1至DF9中的至少一种：

[量子点]

发射层可包括量子点。

如本文所使用的量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

量子点可通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与这些工艺类似的工艺来合成。

湿法化学工艺指其中混合溶剂和前体材料，然后使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂用作在量子点晶体的表面上自然配位的分散剂并控制晶体的生长。因此，通过使用与气相沉积工艺相比易于以低成本执行的工艺比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺和分子束外延(MBE)工艺，可以控制量子点颗粒生长。

量子点可包括第III-VI族半导体化合物、第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第IV族元素或化合物或其组合。

第II-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或其组合。

第III-V族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，比如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或GaAlNP；或其组合。第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的实例可包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP。

第III-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、In₂S₃、InSe、In₂Se₃或InTe；三元化合物，比如InGaS₃或InGaSe₃；或其组合。

第I-III-VI族半导体化合物的实例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或其组合。

第IV-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其组合。

在实施方式中，第IV族元素或化合物可包括：单元素化合物，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC或SiGe；或其组合。

包括在多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。

量子点可具有包括在相应量子点中的每种元素浓度均匀的单一结构或核壳的双重结构。例如，包括于核中的材料可以不同于包括于壳中的材料。

量子点的壳可通过防止核的化学退化而用作用于保持半导体性质的保护层，和/或可用作用于将电泳特性赋予量子点的充电层。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度朝向中心降低。

量子点的壳的实例为金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属或非金属氧化物的实例可包括：二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；或其组合。半导体化合物的实例可包括如本文描述的第III-VI族半导体化合物、第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物或其组合。在实施方式中，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可小于或等于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可小于或等于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可小于或等于约30nm。当量子点的发射波长光谱的FWHM在该范围内时，可改善颜色纯度或颜色重现。通过这些量子点发射的光被全方位照射。因此，可增加宽视角。

量子点可为球形、金字塔形、多臂或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米片颗粒。

通过调节量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。所以，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。详细地，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝光。可调节量子点的尺寸使得组合各种颜色的光来发射白光。

[夹层130中的电子传输区]

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的层的多层结构。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其组合。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层顺序堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一种含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区可包括由下面式601表示的化合物：

[式601]

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃与结合Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键彼此连接。

在实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可通过参考结合L₆₀₁的描述来理解，

xe611至xe613可通过参考结合xe1的描述来理解，

R₆₁₁至R₆₁₃可通过参考结合R₆₀₁的描述来理解，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方式中，式601和601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其组合：

电子传输区的厚度可在约至约的范围内。例如，电子传输区的厚度可在约至约的范围内。当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约 的范围内。例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约至约的范围内。例如，电子传输层的厚度可在约至约的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。

除了上述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可各自独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。

在实施方式中，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(LiQ)或ET-D2：

电子传输区可包括利于从第二电极150注入电子的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的层的多层结构。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)，碲化物或其组合。

含碱金属化合物可为碱金属氧化物比如Li₂O、Cs₂O或K₂O，碱金属卤化物比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI，或其组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x为满足0<x<1条件的实数)或Ba_xCa_1-xO(x为满足0<x<1条件的实数)。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为与金属离子连接的配体，例如、羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。

电子注入层可由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合组成，或可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其组合。在实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层或RbI:Yb共沉积层。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合可均匀或非均匀分散于包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约至约的范围内。例如，电子注入层的厚度可在约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在驱动电压无显著增加的情况下具有令人满意的电子注入特性。

[第二电极150]

第二电极150可设置在具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于形成第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。

[封盖层]

第一封盖层可设置在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可设置在第二电极150外侧。发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以所述次序顺序堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以所述次序顺序堆叠的结构，或者其中第一封盖层，第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以所述次序顺序堆叠的结构。

在发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外发射，并且在发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外发射。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发光效率。因此，发光装置10的光发射效率增加，从而可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有大于或等于约1.6的折射率(在589nm处)的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或者包括有机材料和无机材料的复合材料封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物或其组合。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种、化合物CP1至CP6中的一种、β-NPB或其组合：

[电子设备]

发光装置可包括在各种电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可设置在从发光装置发射的光的至少一个传播方向上。在实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与如上所述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文所描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板包括子像素，滤色器包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于子像素的颜色转换区域。

像素限定层可在子像素之间以限定每个子像素。

滤色器可进一步包括滤色器区域和在滤色器区域之间的阻光图案，并且颜色转换层可进一步包括颜色转换区域和在颜色转换区域之间的阻光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可进一步包括散射体。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。详细地，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。

除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的至少一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时防止环境空气和湿气渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

在密封部分上，除了滤色器和/或颜色转换层之外，可根据电子设备的用途进一步设置各种功能层。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，用于通过使用生物测定体(例如，指尖或瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可适用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子笔记本、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和投影仪等。

[图2和图3的描述]

图2为根据实施方式的发光设备的示意性横截面图。

图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可设置在基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透过基板100，并且可在基板100上提供平坦表面。

TFT可设置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可设置在有源层220上，并且栅电极240可设置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可设置在栅电极240上。夹层绝缘膜250设置在栅电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且设置在栅电极240和漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可设置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可设置成与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。

TFT可电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可设置在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并暴露漏电极270的区，并且第一电极110可连接到漏电极270的暴露区。

包括绝缘材料的像素限定层290可设置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸类有机膜。尽管未在图2中示出，夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，因此可以以公共层的形式设置。

第二电极150可设置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。可形成封盖层170以覆盖第二电极150。

封装部分300可设置在封盖层170上。封装部分300可设置在发光装置上并且可保护发光装置免受湿气或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)，硅氧化物(SiO_x)，铟锡氧化物、铟锌氧化物或其组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE))或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3为显示根据本公开的实施方式的发光设备的示意性横截面图。

图3的发光设备与图2的发光设备相同，不同之处在于，阻光图案500和功能区400设置在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。

[制备方法]

构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导的热成像中的一种或多种适当的方法在区中形成。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，通过考虑要形成的层中包含的材料和要形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约至约的沉积速度下进行沉积。

[术语的定义]

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”指仅由碳组成且具有3-60个碳原子的环状基团，优选C₄-C₆₀碳环基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”指具有1-60个碳原子并且除了碳之外进一步包括杂原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，C₁-C₆₀杂环基团的成环原子的数量可为3至61。

如本文所使用的术语“环状基团”包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文所使用的术语“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3-60个碳原子且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团”指具有1-60个碳原子且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

例如，

C₃-C₆₀碳环基团可为i)基团T1或ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-联芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基团可为i)基团T2，ii)其中两个或更多个基团T2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基)，

富含π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)基团T1，ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3，iv)其中两个或更多个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基或苯并噻吩并二苯并噻吩基)，

含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团可为i)基团T4，ii)其中两个或更多个基团T4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基)，

基团T1可为环丙烷基、环丁烯基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或，二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、硅杂环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文所使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“含π-电子耗尽的氮的C₁-C₆₀环状基团”指根据用相应术语描述的式的结构，与环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)稠合的基团。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其根据包括“苯基”的式的结构可被本领域普通技术人员容易理解。

在实施方式中，单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文所使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指与C₁-C₆₀烷基具有相同结构的二价基团，优选C₁-C₂₀亚烷基或C₁-C₅亚烷基。

如本文所使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指与C₂-C₆₀烯基具有相同结构的二价基团，优选C₂-C₂₀亚烯基或C₂-C₅亚烯基。

如本文所使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指与C₂-C₆₀炔基具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团，且其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文所使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，且其实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文所使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指与C₃-C₁₀环烷基具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外还进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文所使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指与C₁-C₁₀杂环烷基具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指具有3至10个碳原子并在其环中具有至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指与C₃-C₁₀环烯基具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子并在其环状结构中具有至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-氧杂三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文所使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指与C₁-C₁₀杂环烯基具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的实例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如本文所使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，并具有1至60个碳原子。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，并具有1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如本文所使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环、仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例包括茚基、芴基、螺-联芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环、具有至少一个不是碳原子的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有相同结构的二价基团。

如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”指-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文所使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”指-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文所使用的术语“R_10a”可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代的或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其组合；

各自未被取代的或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其组合；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未被取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

如本文所使用的术语“杂原子”指不是碳原子的任何原子。杂原子的实例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其组合。

如本文所使用的术语“Ph”指苯基，如本文所使用的术语“Me”指甲基，如本文所使用的术语“Et”指乙基，如本文所使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文所使用的术语“OMe”指甲氧基。

如本文所使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。例如，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则如本文使用的*、*'和*”各自指与相应式中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例中使用的短语"用B代替A"指用相等摩尔当量的B代替A。

[实施例]

合成例1：合成化合物1

合成中间体[1-A]

将10.0g(107.4mmol)的苯胺、7.4g(50.0mmol)的原甲酸三乙酯和150mg(2.5mmol)的冰乙酸在160℃搅拌12小时。反应完成后，将反应所得物冷却至室温，向其添加50mL的10％水性碳酸钠溶液，并通过使用乙醚对其进行萃取工艺。通过使用硫酸钠干燥经萃取的有机层，并从其去除溶剂，从而获得4.7g(24mmol)的中间体[1-A]。

合成中间体[1-B]

将4.7g(24mmol)的中间体[1-A]添加至反应容器，并悬浮于50mL的四氢呋喃中。在室温下，向其添加12mL(24mmol)的正丁基锂(2.0M于己烷中)，并在室温下搅拌2小时。之后，向其缓慢添加2.9g(26.4mmol)的TMS-Cl并在室温下搅拌12小时。反应完成后，从其去除溶剂，并通过使用己烷对其进行萃取工艺。经硫酸钠干燥经萃取的有机层，并从其去除溶剂，从而获得5.7g(21.1mmol)的中间体[1-B]。

合成中间体[1-C]

将5.7g(21.1mmol)的中间体[1-B]和4.0g(22.0mmol)的双(二甲氨基)二氯乙硼烷悬浮于70mL的二氯甲烷中，并在室温下搅拌1小时。之后，向其添加5.0g(21.1mmol)的三氟甲磺酸三甲基硅酯，并在室温下搅拌1小时。反应完成后，从其去除溶剂，以获得8.7g(19.2mmol)的中间体[1-C]。

合成化合物1

将8.7g(19.2mmol)的中间体[1-C]和2.2g(9.6mmol)的氧化银(I)悬浮于500mL的二噁烷中并在室温下搅拌24小时。之后，向其添加5.7g(19.2mmol)的1,5-环辛二烯二氯化铂，升高温度，并将混合物在120℃搅拌24小时。之后，从其完全去除溶剂，向其添加15.4g(153.6mmol)的2,4-戊二酮和17.2g(153.6mmol)的叔丁醇钾，悬浮于500mL的DMF中，并在室温下搅拌24小时。之后，将温度升高至100℃，并将混合物搅拌24小时。反应完成后，将反应所得物在室温下冷却，向其添加500mL的蒸馏水，并通过使用乙酸乙酯对其进行萃取工艺。经萃取的有机层用饱和氯化钠水溶液冲洗并通过使用硫酸钠干燥。通过使用柱色谱分离已去除溶剂的残留物，从而获得480mg(0.8mmol)的化合物1。

合成例2：合成化合物4

以与合成例1相同的方式获得470mg(0.7mmol)的化合物4，除了使用N1,N1-二甲基苯-1,4-二胺代替苯胺。

合成例3：合成化合物6

以与合成例1相同的方式获得610mg(0.9mmol)的化合物6，除了使用2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮代替2,4-戊二酮。

合成例4：合成化合物11

以与合成例1相同的方式获得430mg(0.7mmol)的化合物11，除了使用((CD₃)₂NBCl)₂代替双(二甲氨基)二氯乙硼烷(Me₂NBCl)₂。

合成例5：合成化合物16

以与合成例1相同的方式获得630mg(1.0mmol)的化合物16，除了使用甲基苯胺代替苯胺。

合成例6：合成化合物33

以与合成例1相同的方式获得450mg(0.6mmol)的化合物33，除了使用4-(吡啶-4-基)苯胺代替苯胺。

通过¹H NMR和MS/FAB鉴定合成的化合物，且结果示于下表1中。通过参考上述合成路线和原料，本领域技术人员甚至可以容易地识别除表1所示化合物之外的化合物的合成方法。

[表1]

实施例1

作为阳极，将获自康宁公司的15Ω/cm² ITO玻璃基板切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通过使用异丙醇和纯水分别超声5分钟，并通过辐射紫外射线和将其暴露于臭氧30分钟来清洁。将所得的玻璃基板加载到真空沉积设备上。

将4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)真空沉积在玻璃基板上形成的ITO阳极上，以形成厚度为的空穴注入层，并且将4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基联苯](NPB)真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的空穴传输层。

将其中双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基甲硅烷(BCPDS)和4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-膦氧化物(POPCPA)以1:1的重量比混合的混合主体和掺杂剂化合物1以90:10的重量比共沉积在空穴传输层上，以形成厚度为的发射层。

随后，将TSPO1沉积在发射层上以形成厚度为的空穴阻挡层，并将Alq₃沉积在空穴阻挡层上，以形成厚度为的电子传输层。

将LiF沉积在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层，将Al真空沉积于其上以形成厚度为的阴极，并且将HT 28真空沉积在阴极上以形成厚度为 的封盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例2至6和比较例1和2

以与实施例1相同的方式制造发光装置，除了在形成发射层中，各自使用表2中所示的化合物代替化合物1。

评估例1

为了评价实施例1至6和比较例1和2中制造的发光装置的特性，测量了在50mA/cm²的电流密度下的实施例1至6和比较例1和2中制造的发光装置的驱动电压、亮度和发光效率。发光装置的驱动电压通过用源表(Keithley Instruments，2400系列)测量。下面的表2示出了发光装置特性的评估结果。

[表2]

从表2确认，与比较例1和2的发光装置相比，实施例1至6的发光装置具有卓越的驱动电压、卓越的亮度和卓越的发光效率。

有机金属化合物可用于制造具有卓越的颜色纯度和长寿命的发光装置，并且发光装置可用于制造具有卓越的颜色纯度和长寿命的高品质电子设备。

应理解，本文描述的实施方式应该仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。