具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本发明及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。

并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。

目前市面上的玻璃光罩的遮光区域的表面往往具有低反射的特性。所以，行业内常用的用于生产玻璃光罩的原料(如匀胶铬板)均具有表面呈低反射性的膜层(如氧化铬膜层)。其中，匀胶铬板包括依次层叠设置的玻璃基板、铬层、氧化铬层以及光刻胶层，匀胶铬板为用于生产遮光区域的表面为对光具有低反射性的氧化铬膜层的玻璃光罩。

然而，在对半导体进行光刻的过程中，通过玻璃光罩的遮光区域对半导体的部分区域进行遮光时，需要利用设备的电荷耦合器件(charge-coupled device，CCD)通过玻璃光罩的表面光自动捕捉对位标记，以自动对玻璃光罩进行对位，从而提高半导体的生产的自动化程度。但是，具有低反射特性的膜层(如氧化铬膜层)的玻璃光罩由于表面对光的反射能力较弱，无法反射足量的光线至电荷耦合器件处，从而导致设备无法通过电耦合器件对玻璃光罩进行自动对位。

可以理解的是，由于为了满足目前市面上常用的玻璃光罩的生产需求，具有低反射性的膜层(氧化铬膜层)的匀胶铬板的生产规模大，购买成本低廉，而生产具有高反射性的膜层的玻璃光罩的原料的生产成本和购买成本非常高。因此，如何有效降低生产成本以及购买成本，以生产得到高反射性的膜层的玻璃光罩，是亟待解决的问题。

下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案作进一步的说明。

请参阅图1与图2，本发明实施例第一方面公开了一种玻璃光罩的制造方法，包括以下步骤：

S1、提供匀胶铬板。

其中，该匀胶铬板1包括依次层叠设置的玻璃基板10、铬层11、氧化铬层12以及光刻胶层13，玻璃基板10具有第一区域100和与第一区域100连接的第二区域101，如图2所示，图2中的虚线示出了一种第一区域100与第二区域101的分界线。

需要说明的是，在集成电路的生产过程中，玻璃光罩可作为类似曝光后的底片，用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对玻璃光罩所投影出的电路进行光蚀刻。基于此，可选地，玻璃光罩的透光区域与遮光区域相连接，且透光区域或者遮光区域可形成为电路图形，以实现玻璃光罩作为光刻制造集成电路的过程中的底片的功能。可选地，玻璃基板10的第一区域100可用于形成玻璃光罩的透光区域，玻璃基板10的第二区域101可用于形成玻璃光罩的遮光区域。

可选地，第一区域100和第二区域101可交错设置，例如，玻璃基板10上的第一区域100、第二区域101均可划分为多个，则相邻的两个第一区域100之间可具有一个第二区域101。为了便于观察与说明，图2中以第一区域100与第二区域101成交错相间的形状为例，简要地示出了一种第一区域100与第二区域101的分布的示例。可以理解的是，第一区域100、第二区域101的分布可根据实际形成的电路的形状设置，本实施例对此不作具体限定。例如，第一区域100可形成为多个相同或不同的电路中的电连接走线的形状，且该多个相同或不同的电路相间隔阵列排布，第二区域101连接于第一区域100，形成为各电路中无需走线的空余部分，以及多个电路之间的间隔部分。

一些实施方式中，玻璃基板10可为圆形、矩形或其他形状的石英玻璃板，以通过玻璃基板10使玻璃光罩具有一定的抗拉压能力，且能够保持固定的形状，同时，利用石英玻璃的高透光性能，使得在光刻过程中，光辐射能够穿过玻璃基板10的透光区域照射到芯片上，从而实现以玻璃光罩为底片，投影出电路以进行光蚀刻的效果。

可选地，玻璃基板10可具备一定的厚度，以使玻璃光罩具有一定的抗拉压能力，且能够保持固定的形状，同时，玻璃基板10的厚度不可以过厚，以减短光刻过程中光辐射的光路长度，以降低光辐射在到达芯片表面时的位置的偏移幅度，达到提高玻璃光罩的精度的效果，因此，玻璃基板10的厚度d1可满足1.6mm≤d1≤8mm，例如，玻璃基板10的厚度d1可为：1.6mm、1.8mm、2.0mm、2.2mm、2.4mm、2.6mm、2.8mm、3.0mm、3.2mm、3.4mm、3.6mm、3.8mm、4.0mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm、4.8mm、5.0mm、5.2mm、5.4mm、5.6mm、5.8mm、6.0mm、6.2mm、6.4mm、6.6mm、6.8mm、7.0mm、7.2mm、7.4mm、7.6mm、7.8mm或8.0mm等。

S2、去除覆盖在第一区域上的光刻胶层，以暴露覆盖在第一区域上的氧化铬层。

此步骤的目的是为了便于在后续步骤中对覆盖在第一区域100上的氧化铬层12直接进行去除操作。具体地，请一并参阅图1至图4，其中，图2示出了在步骤S2前的匀胶铬板1的结构，图3示出了在步骤S2后的匀胶铬板1的结构。

具体地，步骤S2可包括以下步骤：

S20、提供光刻机，通过光刻机照射覆盖在第一区域或第二区域上的光刻胶层。通过光刻机照射光刻胶层13，能够改变覆盖在第一区域100或第二区域101上的光刻胶层13在显影溶液中的溶解度。

S21、显影去除覆盖在第一区域上的光刻胶层，以暴露覆盖在第一区域上的氧化铬层。这样，能够便于在后续步骤中对覆盖在第一区域100上的氧化铬层12直接进行去除操作。

其中，光刻胶层13主要由感光树脂、增感剂和溶剂组成，具有被紫外光、电子束、离子束或X射线(X-ray，伦琴射线)等曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化的特性。根据光刻工艺的过程，光刻胶层13可为正性光刻胶或负性光刻胶。一种可选地示例中，光刻胶层13为正性光刻胶，光刻胶层13的主要成分可为邻重氮醌化合物，在步骤S20中，光刻机可照射覆盖在第一区域100上的光刻胶层13，使得覆盖在第一区域100上的光刻胶层13在显影溶液中的溶解度升高。另一种可选地示例中，光刻胶层13为负性光刻胶，光刻胶层13的主要成分可为双叠氮有机化合物或肉桂酸酯等，在步骤S20中，光刻机可照射覆盖在第二区域101上的光刻胶层13，使得覆盖在第二区域101上的光刻胶层13在显影溶液中的溶解度降低。

可选地，在步骤S21中，可将匀胶铬板1放入显影溶液中进行显影，由于覆盖在第一区域100上的光刻胶层13在显影溶液中的溶解度，大于覆盖在第二区域101上的光刻胶层13在显影溶液中的溶解度，因此，能够通过显影溶液完全溶解覆盖在第一区域100上的光刻胶层13，同时不完全溶解覆盖在第二区域101上的光刻胶层13，以暴露覆盖在第一区域100上的氧化铬层12。

S3、蚀刻去除覆盖在第一区域上的氧化铬层与铬层，以暴露第一区域。

此步骤的目的是为了使玻璃基板10的第一区域100形成为玻璃光罩2的透光区域20。具体地，请一并参阅图1、图3、图5及图6，图3示出了步骤S3前的匀胶铬板1的结构，图5示出了步骤S3后的匀胶铬板1的结构。

一些实施方式中，步骤S3可包括：

S30、提供蚀刻液，使用蚀刻液对匀胶铬板进行第一次浸泡，以溶解去除覆盖在第一区域上的氧化铬层与铬层，以暴露第一区域。

可选地，为了完全去除覆盖在第一区域100上的氧化铬层12与铬层11，第一次浸泡的时长t1应足够长。同时，为了避免过度蚀刻而导致覆盖在第二区域101上的氧化铬层12与铬层11也被蚀刻去除，时长t1不应过长，因此，第一次浸泡的时长t1可满足43s≤t1≤53s，例如，时长t1可为43s、45s、47s、49s、51s或53s等。

S31、将匀胶铬板从蚀刻液中取出，清洗以去除附着在匀胶铬板的表面的蚀刻液。从而，能够避免在结束蚀刻后，附着在匀胶铬板1的表面的蚀刻液继续对覆盖在第二区域101上的氧化铬层12以及铬层11进行蚀刻，导致获得的玻璃光罩的遮光区域的形状精度低，玻璃光罩的良品率下降的情况。

S4、去除覆盖在第二区域上的光刻胶层，以暴露覆盖在第二区域上的氧化铬层。

此步骤的目的是为了便于在后续步骤中直接对氧化铬层12进行去除操作，其中，覆盖在第二区域101上的光刻胶层13可通过等离子体轰击或清洗液浸泡溶解的方法去除。具体地，请一并参阅图1、图5与图7，图5示出了步骤S4前的匀胶铬板1的结构，图7示出了步骤S4后的匀胶铬板1的结构。

一些实施方式中，在步骤S4之后，玻璃光罩的制造方法还可包括：

S41、清洗以去除附着在匀胶铬板的表面的杂质以及残留的光刻胶层。从而，能够去除在操作过程中附着在匀胶铬板1的表面的杂质，从而避免杂质在后续步骤中进入蚀刻液内，影响蚀刻液的蚀刻速率。同时，能够将覆盖在第二区域101上的光刻胶层13彻底清除，避免因光刻胶层13残留而导致覆盖在第二区域101上的氧化铬层12暴露不完全，从而导致在后续步骤中无法完全去除氧化铬层12，制得的玻璃光罩的精度下降的情况。

S5、蚀刻去除覆盖在第二区域上的氧化铬层，以暴露覆盖在第二区域上的铬层，得到玻璃光罩。

此步骤的目的是为了使对光具有高反射性的铬层11表面形成为玻璃光罩的遮光区域的表面。具体地，请一并参阅图1、图7与图8，图7示出了步骤S5前的匀胶铬板1的结构，图8示出了步骤S5后得到的玻璃光罩2的结构。

一些实施方式中，为了使铬层11能够实现阻挡光辐射透过玻璃光罩2的遮光区域21的功能，铬层11的厚度d2可满足，例如，铬层11的厚度d2可为： 或等。

进一步地，为了实现在使用玻璃光罩2进行集成电路的生产时，能够通过电荷耦合器件对玻璃光罩2的表面光自动捕捉对位标记的效果，铬层11的表面的反射比ρ可满足：70％≤ρ≤90％，例如，反射比ρ可为：70％、71％、72％、73％、74％、75％、76％、77％、78％、79％、80％、81％、82％、83％、84％、85％、86％、87％、88％、89％或90％等。

请一并参阅图7至图9，一些实施方式中，步骤S5可包括：

S50、提供蚀刻液，使用蚀刻液对匀胶铬板进行第二次浸泡，以溶解去除覆盖在第二区域上的氧化铬层，以暴露覆盖在第二区域上的铬层。

可以理解的，在对匀胶铬板1进行第二次浸泡的过程中，应该完全去除覆盖在第二区域101上的氧化铬层12，以避免对光具有低反射性的氧化铬层12残留于玻璃光罩2的遮光区域21的表面，从而导致玻璃光罩2的遮光区域21的表面的对光的反射性能降低，进而导致电荷耦合器件对玻璃光罩2的表面光自动捕捉对位标记的精度降低的情况。由于氧化铬呈绿色或棕色，铬呈钢灰色且具有金属光泽，因此，在对匀胶铬板1进行第二次浸泡的过程中，一种方式中，操作人员可通过匀胶铬板1表面颜色的变化来判断氧化铬层12是否被完全去除，即，当操作人员观察到匀胶铬板1表面从绿色或棕色转变为具有金属光泽的钢灰色时，便能够判断氧化铬层12被完全去除，从而可以结束步骤S50。

另一种方式中，也可通过控制第二次浸泡的时长来判断氧化铬层12是否被完全去除。具体地，为了完全去除覆盖在第二区域101上的氧化铬层12，以避免影响玻璃光罩2的遮光区域21表面的反光精度，从而影响通过电荷耦合器件对玻璃光罩2进行自动对位的精度的情况，第二次浸泡的时长t2应足够长，同时，为了避免过度蚀刻而导致覆盖在第二区域101上的铬层11也被蚀刻去除，导致铬层11无法实现玻璃光罩2的遮光区域21的遮光功能，第二次浸泡的时长t2不应过长，因此，示例性的，氧化铬层12的厚度d3约为0.015um时，第二次浸泡的时长t2可满足10s≤t2≤13s，例如，时长t2可为10s、10.8s、11.6s、12.4s或13s等。

S51、将匀胶铬板从蚀刻液中取出，清洗以去除附着在匀胶铬板的表面的蚀刻液，得到玻璃光罩。从而，能够避免在结束蚀刻后，附着在匀胶铬板1的表面的蚀刻液继续对覆盖在第二区域101上的铬层11进行蚀刻，导致获得的玻璃光罩2的遮光区域21的遮光效果下降，玻璃光罩2的良品率下降的情况。

请一并参阅图8与图10，一些实施方式中，在步骤S5之后，玻璃光罩2的制造方法还可包括：

S520、测量铬层，以得到铬层与第二区域的重合度。这样，能够检查玻璃光罩2的精度。具体地，可以通过测量沿平行于玻璃基板10的板面的方向上，铬层11在玻璃基板10上形成的形状的总长度h1，以及相间隔的两部分铬层11之间的间隔的宽度h2，来比对相应的第二区域101的形状数据，从而得到铬层11与第二区域101的形状的误差大小T，以通过误差的大小T来示出铬层11与第二区域101的重合度。其中，以第一区域100可形成为多个相同或不同的电路中的电连接走线的形状为例，沿平行于玻璃基板10的板面的方向上，铬层11在玻璃基板10上形成的形状的总长度h1可为各电路结构的分别的长度，从而能够通过测量得到各电路的总结构尺寸上的误差大小，相间隔的两部分铬层11之间的间隔的宽度h2可为电路中包括的两条相邻的电连接走线之间的距离，从而能够通过测量得到各电路的细微结构尺寸上的误差大小。

S521、判断铬层与第二区域的重合度是否达到预设要求，若是，则可执行步骤S521a，即对玻璃光罩的表面进行缺陷检查。一些实施方式中，预设要求可为误差大小T满足：-100um≤T≤100um，例如，误差大小T为-100um、-50um、50um或100um时，铬层11与第二区域101的重合度达到预设要求，误差大小为-200um、-150um、150um或200um时，铬层11与第二区域101的重合度没有达到预设要求。

可以理解的是，如重合度没有达到预设要求，则可执行步骤S60，即将该玻璃光罩2直接报废，从而及时去除不良品。如重合度达到预设要求，则可执行步骤S521a，即判断玻璃光罩的表面是否存在缺陷，若是，则可执行步骤S522a，即根据缺陷确定是否对玻璃光罩的表面进行修补，从而能够避免直接报废具有较轻微的缺陷的部分玻璃光罩2，降低报废率，以降低玻璃光罩2的生产成本。

可选地，缺陷可包括但不限于附着于玻璃光罩2的表面的杂质、玻璃光罩2表面的伤痕或铬层11的边缘处形成的多余形状或缺失。进一步地，当所有缺陷的尺寸均小于或等于100um，且缺陷的数量少于或等于0.003pc/cm²时，缺陷对玻璃光罩2的精度影响较小，因此可判断为玻璃光罩2的表面不存在缺陷，例如，当缺陷的尺寸均小于100um，且缺陷的数量为0.003pc/cm²、0.002pc/cm²、0.001pc/cm²、0.0005pc/cm²或0.0002pc/cm²时，可判断为玻璃光罩2的表面不存在缺陷。当缺陷的数量大于0.003pc/cm²时，或者至少一个缺陷的尺寸大于100um时，缺陷对玻璃光罩2的精度影响较大，因此可判断为玻璃光罩2的表面存在缺陷，例如，当缺陷的数量为0.0031pc/cm²、0.0038pc/cm²、0.004pc/cm²、0.005pc/cm²或0.01pc/cm²时，或者，存在一个缺陷的尺寸为100.1um、120um、150um、200um或500um时，可判断为玻璃光罩2的表面存在缺陷，此时，该玻璃光罩2应报废。

可选的，如缺陷为铬层11的边缘处形成的多余形状或缺失形状，则该缺陷可以通过修补的方式对缺陷进行修复，因此，则可以执行步骤S61，即对玻璃光罩的表面进行修补，以消除缺陷，从而将具有轻微的缺陷的玻璃光罩2修补成为符合使用精度要求范围的合格品。具体地，缺陷为铬层11的边缘处形成的多余形状时，可通过切除多余的部分铬层11的方式进行修补，缺陷为铬层11的边缘处形成的缺失时，可通过填补该缺失的部分铬层11的方式进行修补。

可以理解的，如缺陷不能够通过修补进行弥补，则可将玻璃光罩2报废，从而及时去除无法修补的不良品。

一些实施方式中，对于获得的良品玻璃光罩2，即，铬层11与第二区域101的重合度达到预设要求且不存在缺陷的玻璃光罩2，以及铬层11与第二区域101的重合度达到预设要求且缺陷经过修补以后被消除的玻璃光罩2，玻璃光罩2的制造方法还包括：

S70、清洗玻璃光罩。这样，能够去除在操作过程中附着在玻璃光罩2表面的杂质，避免杂质影响玻璃光罩2的精度。

S71、对玻璃光罩进行包装。这样，可以避免玻璃光罩2在运输过程中受到污染沾染上杂质，或被磕碰产生损坏的情况。

可见，采用本发明实施例第一方面提供的玻璃光罩2的制造方法，通过对匀胶铬板1进行两次蚀刻，在第一次蚀刻时去除覆盖于第一区域100上的氧化铬层12以及铬层11，在第二次蚀刻时去除覆盖于第二区域101上的氧化铬层12，以暴露覆盖于第二区域101上的铬层11，以使覆盖于玻璃基板10的第二区域101上的铬层11形成为玻璃光罩2的遮光区域21的表面，以利用铬层11的对光具有高反射性的性质，实现了使用具有低反射性的氧化铬膜层的匀胶铬板1，生产遮光区域21的表面具有高反射性的玻璃光罩2，降低了高反射性玻璃光罩2的生产成本。

请参阅图8，图8为本申请实施例公开的玻璃光罩2的结构示意图，本发明实施例第二方面公开了一种玻璃光罩2，包括：玻璃基板10以及铬层11。玻璃基板10具有第一区域100和连接于第一区域100的第二区域101，如图8所示，图8中的粗虚线示出了第一区域100与第二区域101的分界线。铬层11覆盖于第二区域101上，从而玻璃基板10的第一区域100形成为玻璃光罩2的透光区域20，玻璃基板10的第二区域101以及覆盖于第二区域101上的铬层11形成为玻璃光罩2的遮光区域21，利用铬层11透光率低以及对光的反射性高的特性，实现玻璃光罩2的遮光区域21的遮光效果以及遮光区域21的表面的对光的高反射性能，以使电荷耦合器件(charge-coupled device，CCD)能够通过玻璃光罩2的表面光自动捕捉对位标记，以自动对玻璃光罩2进行对位，从而提高半导体的生产的自动化程度。

可选地，玻璃光罩2的透光区域20或者遮光区域21可形成为电路图形，在集成电路的生产过程中，玻璃光罩2可作为类似曝光后的底片，用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对玻璃光罩2所投影出的电路进行光蚀刻。

本发明实施例第二方面公开的一种玻璃光罩2，通过使玻璃基板10的第二区域101以及覆盖于第二区域101上的铬层11形成为玻璃光罩2的遮光区域21，利用铬层11透光率低以及对光的反射性高的特性，实现玻璃光罩2的遮光区域21的遮光效果以及遮光区域21的表面的对光的高反射性能，以使电荷耦合器件能够通过玻璃光罩2的表面光自动捕捉对位标记，从而实现对玻璃光罩2进行自动对位，能够提高半导体的生产的自动化程度。

以上对本发明实施例公开的玻璃光罩及其制造方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的玻璃光罩及其制造方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。