具体实施方式

-第一实施方式-

参照图1～图10，对本发明的第一实施方式的半导体装置100进行说明。图1是表示本实施方式的半导体装置100的电路图的一例的图。半导体装置100包括变换电路130和控制部140。

变换电路130包含作为开关元件的6个MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor，金属氧化物半导体场效晶体管)110a～110c、120a～120c。各MOSFET 110a～110c作为上臂电路而动作，各MOSFET120a～120c作为下臂电路而动作。MOSFET 110a与120a、MOSFET 110b与120b、MOSFET 110c与120c分别串联连接，分别构成上下臂串联电路150。各上下臂串联电路150与马达发电机400的电枢绕组的各相绕组对应地输出U相、V相、W相的三相的交流电力。此外，在以下的说明中，有时代表MOSFET110a～110c而称为MOSFET 110，且代表MOSFET 120a～120c而称为MOSFET120。

MOSFET 110的漏电极D经由导体211、212而连接在直流正极端子213。MOSFET 120的源电极S经由导体221、222而连接在直流负极端子223。MOSFET 110的源电极S与MOSFET120的漏电极D通过导体231而连接。MOSFET 110及120的栅电极G通过控制用导体160而连接在控制部140。

控制部140包括对上下臂串联电路150进行驱动控制的驱动器电路。控制部140也可包含对驱动器电路供给控制信号的控制电路。MOSFET 110及120接收从控制部140输出的驱动信号而动作，将由未图示的电池所供给的直流电力转换为三相交流电力。

图2(A)是本实施方式的半导体装置100的俯视图，图2(B)为图2(A)的IIB-IIB线剖视图，图3为图2(A)所示的半导体装置100的III-III线剖视图，图4为图2所示的半导体装置的仰视图。

半导体装置100包括：6个MOSFET 110、120(参照图2(B)、图3)；6个源极引线端子320(参照图4)；漏极连接用引线端子313(参照图3、图4)；多个I/O引线端子360(参照图4)；树脂511(参照图2(B)、图3)；2个控制用半导体元件240a、240b(参照图2(B)、图9)；多个连接导体350(参照图2(B)、图7)；3个引回导体330(参照图2(B)、图7)；漏极连接导体312(参照图2(A)、图3)；3个漏极导体340(参照图2(A))；以及密封树脂521(参照图2(A)、图2(B)、图3)。6个MOSFET 110、120通过密封树脂521而封装为1个，因此，本实施方式的半导体装置100具有六合一结构。

6个源极引线端子320(参照图4)具有源极引线端子320a～320f(参照图4)。源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313、以及多个I/O引线端子360(参照图4)由树脂511所密封，构成引线端子密封体510(参照图2(B)、图3)。

此外，控制用半导体元件240a、240b相当于图1的控制部140，对6个MOSFET 110、120进行驱动控制。MOSFET 110及120接收由控制用半导体元件240a、240b所输出的驱动信号而动作，将由未图示的电池所供给的直流电力转换为三相交流电力。即，多个MOSFET110、120以及控制用半导体元件240a、240b构成电力转换部。

漏极导体340包括漏极导体340a～340c(参照图2(A)、图2(B))。另外，引回导体330包括引回导体330a～330c(参照图2(B)、图7)。在以下的说明中，有时代表源极引线端子320a～320f而称为源极引线端子320，代表漏极导体340a～340c而称为漏极导体340，且代表引回导体330a～330c而称为引回导体330。

各漏极导体340与一体形成于源极引线端子320的引回导体330(参照图2(B)、图7)电连接。即，漏极导体340及引回导体330相当于图1所示的导体231。另外，漏极连接导体312连接于漏极连接用引线端子313。即，漏极连接导体312以及漏极连接用引线端子313相当于图1所示的导体211及导体212。连接导体350相当于图1所示的控制用导体160。

源极引线端子320、漏极连接用引线端子313、多个I/O引线端子360、引回导体330、及连接导体350由引线框架300(参照图5)所形成。引回导体330及连接导体350将引线框架300进行半蚀刻而形成，形成为小于源极引线端子320以及漏极连接用引线端子313的厚度。另外，I/O引线端子360包括：设置于前端侧的安装部361、以及厚度小于安装部361的连接部362(参照图2(B))。I/O引线端子360的连接部362将引线框架300进行半蚀刻而形成。

漏极导体340的上表面设为与密封树脂521的上表面为同一面，且从密封树脂521露出。源极引线端子320、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子360的安装部361各自的下表面设为与树脂511的下表面为同一面，且从树脂511中露出。源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361在树脂511的配置有MOSFET 110及控制用半导体元件240的侧的相反侧，具有至少一部分从树脂511中露出的下表面。

引回导体330及连接导体350利用树脂511而与源极引线端子320、漏极连接用引线端子313以及多个I/O引线端子360一起一体化。因此，引回导体330及连接导体350由树脂511保持。

MOSFET 110、120的各自的源电极S经由接合层531而与源极引线端子320接合。MOSFET 110、120的各自的栅电极G经由接合层531而与连接导体350的一端部接合。控制用半导体元件240所具有的2个电极241及242中的一个电极241(参照图2(B))经由接合层531而与连接导体350的一端部接合。即，由树脂511保持的连接导体350将MOSFET 110、120的各自的栅电极G以及控制用半导体元件240所具有的2个电极241及242中的一个电极241连接。另外，控制用半导体元件240所具有的2个电极241及242中的另一个电极242(参照图2(B))经由接合层531而与I/O引线端子360的连接部362接合。

在源极引线端子320、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子360的安装部361的各自的从树脂511中露出的面上，形成有接合层531。在源极引线端子320、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子360的安装部361的各自的从树脂511中露出的面上形成的接合层531与未图示的电路基板的连接垫接合。

接合层531使用PPF(Pre-Plated Lead Frame，预镀引线框架)技术而形成。即，在将MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240a、240b接合于引线框架300之前，通过溅镀、无电解电镀或电解电镀等而在引线框架300的整面上形成接合层531。由此，与将MOSFET110、120以及控制用半导体元件240a、240b(以下，有时作为代表而称为“控制用半导体元件240”)经由接合层531而接合在引线框架300上之后，在源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361的从树脂511中露出的面上形成接合层531的通常制法相比，可削减工序数。在使引线框架300的材质为铜的情况下，接合层531例如可从引线框架300侧起依序为Ni/Au、Pd/Au、Ni/Pd/Au等多层结构或者Au等单层结构。在MOSFET 110、120的源电极S与源极引线端子320之间、控制用半导体元件240的电极242与I/O引线端子360之间、源极引线端子320的与配置有MOSFET 110、120的源电极S的一侧相反侧的面(从树脂511中露出的面)、以及I/O引线端子360的与配置有控制用半导体元件240的电极242的一侧相反侧的面(从树脂511中露出的面)上，分别设置有由同一材料构成的接合用镀层即接合层531。

在MOSFET 120a～120c的各自的漏电极D上，电连接有漏极导体340a～340c。如图2(B)所图示，各漏极导体340a～340c具有漏极连接部342、源极连接部343、以及中间部344。在漏极连接部342与源极连接部343之间，形成有源极连接部343变低的台阶部，在该台阶部设置有将漏极连接部342与源极连接部343连接的中间部344。源极连接部343经由接合层531而与引回导体330接合。各引回导体330与MOSFET 110的源电极S所接合的源极引线端子320形成为一体，由此，MOSFET 110的源电极S连接于MOSFET 120的漏电极D。

详细而言，MOSFET 110a～110c的源电极S分别经由与源极引线端子320a～320c形成为一体的引回导体330a～330c(参照图7)以及漏极导体340a～340c，连接于MOSFET 120a～120c的各自的漏电极D。例如，漏极导体340a将一对MOSFET 110a以及120a中的一个MOSFET 120a所具有的漏电极D、以及另一个MOSFET 110a所具有的源电极S相互连接。关于多对的MOSFET中的任意一对也同样地相互连接。源极引线端子320a～320c分别经由接合层531而与未图示的电路基板的连接垫接合。从源极引线端子320a～320c分别输出U相、V相、W相的交流电力(参照图1)。

因此，MOSFET 120的源电极S所连接的源极引线端子320连接于高电位部(未图示)。另一方面，I/O引线端子360的安装部361连接于低电位部(未图示)。如图2(B)所图示，在与源极引线端子320接合的MOSFET 110的源电极S、和与I/O引线端子360的安装部361接合的控制用半导体元件240的电极242之间，配置有MOSFET 120的栅电极G以及控制用半导体元件240的电极241。因此，可将连接于高电位部的源极引线端子320与连接于低电位部的I/O引线端子360的安装部361的沿面距离增大，可防止由放电引起的绝缘破坏，或可抑制噪声阻碍。

如图2(B)所图示，漏极导体340a～340c的源极连接部343朝向密封树脂521的侧面521a而延伸，端部343a从密封树脂521的侧面521a中露出。但是，也可以为将源极连接部343的端部343a由密封树脂521来覆盖的结构。

如上所述，各漏极导体340的漏极连接部342的上表面从密封树脂521的上表面露出。因此，各漏极导体340兼具作为导电体的功能以及作为散热片的功能。

如图3所示，漏极连接导体312具有漏极连接部312a、引线端子连接部312b以及中间部312c。在漏极连接部312a与引线端子连接部312b之间，形成有引线端子连接部312b变低的台阶部，在该台阶部设置有将漏极连接部312a与引线端子连接部312b连接的中间部312c。漏极连接导体312的漏极连接部312a与MOSFET 110a～110c的漏电极D电连接。漏极连接导体312的引线端子连接部312b经由接合层531而与漏极连接用引线端子313接合。漏极连接用引线端子313经由图2以后的图中未图示的导体212(参照图1)而连接于直流正极端子213。

如上所述，漏极连接导体312的漏极连接部312a的上表面从密封树脂521的上表面露出。因此，漏极连接导体312兼具作为导电体的功能以及作为散热片的功能。

参照图5～图10，对半导体装置的制造方法进行说明。首先，参照图5～图6，对引线端子密封体510的制造方法进行说明。图5表示图2所示的半导体装置100的制造方法的一例，图5(A)为俯视图，图5(B)为图5(A)的VB-VB线剖视图，图6表示继图5之后的半导体装置100的制造方法，图6(A)为俯视图，图6(B)为图6(A)的VIB-VIB线剖视图。

准备平坦的板状的引线框架300。引线框架300的材质为导电性良好的金属，例如铜或铜合金是合适的。半导体装置100使用引线框架300而同时制作多个，以下，引线框架300具有与1个半导体装置100对应的尺寸，作为1个半导体装置100的制造方法而例示。

接着，如图5(A)、图5(B)所图示，从下表面侧对引线框架300进行半蚀刻。通过半蚀刻，在形成源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313以及I/O引线端子360的安装部361的区域以外的区域，形成引线框架薄壁部300S。

其次，如图6(A)、图6(B)所图示，在引线框架300的形成有引线框架薄壁部300S的区域，换言之，在引线框架300的除源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子360的安装部361以外的区域，例如通过如压缩成形或转移成形之类的模成形，来填充树脂511。在形成有引线框架薄壁部300S的区域填充树脂511后，优选通过研磨加工，使引线框架300以及树脂511的下表面侧变得平坦。由此，形成源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子360的安装部361通过树脂511而一体化的引线端子密封体510。

其次，参照图7～图10，之后对利用密封树脂521对MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240进行密封的工序进行说明。利用密封树脂521对MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240进行密封的工序包括如下工序：对引线框架薄壁部300S进行加工，形成引回导体330、连接导体350及I/O引线端子360，将MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240接合于引回导体330、连接导体350及I/O引线端子360。

图7表示继图6之后的半导体装置100的制造方法，图7(A)为俯视图，图7(B)为图7(A)的VIIB-VIIB线剖视图，图8表示继图7之后的半导体装置100的制造方法，图8(A)为俯视图，图8(B)为图8(A)的VIIIB-VIIIB线剖视图，图9表示继图8之后的半导体装置100的制造方法，图9(A)为俯视图，图9(B)为图9(A)的IXB-IXB线剖视图，图10表示继图9之后的半导体装置100的制造方法，图10(A)为俯视图，图10(B)为图10(A)的XB-XB线剖视图。

如图7(A)、图7(B)所图示，使用光微影技术将引线框架薄壁部300S图案化。众所周知，光微影技术是将光致抗蚀剂在表面形成膜而作为屏蔽，进行曝光、显影来形成光致抗蚀剂图案的方法。通过将形成在引线框架薄壁部300S上的光致抗蚀剂图案作为屏蔽，对引线框架薄壁部300S进行蚀刻，从而引线框架薄壁部300S形成为与光致抗蚀剂图案相同的图案。

通过将引线框架薄壁部300S图案化，源极引线端子320a～320f相互分离而形成。源极引线端子320a～320c分别与相互分离的引回导体330a～330c一体化而形成。各引回导体330a～330c的与源极引线端子320a～320c侧相反侧的端部331分别形成在与源极引线端子320d～320f接近的位置。另外，通过将引线框架薄壁部300S进行蚀刻，漏极连接用引线端子313从引线框架薄壁部300S分离而形成。

在引线框架薄壁部300S上，如图7(A)所图示，多个连接导体350相互分离而形成。进而，在引线框架薄壁部300S上，形成安装部361与连接部362一体化的I/O引线端子360。I/O引线端子360的与控制用半导体元件240的电极242接合的连接部362的厚度比安装部361的厚度薄。

如此一来，通过将引线框架薄壁部300S图案化，源极引线端子320a～320f及I/O引线端子360的安装部361相互分离，形成引回导体330a～330c、连接导体350及I/O引线端子360的连接部362。源极引线端子320a～320f及I/O引线端子360的安装部361由树脂511密封，引回导体330a～330c、连接导体350以及I/O引线端子360的连接部362由树脂511保持。

其次，如图8(A)、(B)所图示，在源极引线端子320a～320f以及漏极连接用引线端子313的上下两面、I/O引线端子360的安装部361的下表面、连接导体350的一端及另一端、以及I/O引线端子360的连接部362的一端，分别形成接合层531。接合层531通过例如溅镀或镀敷而形成。接合层531可为单层或者多层结构。

其次，如图9(A)、图9(B)所图示，将MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240通过焊料等接合材(未图示)而与接合层531接合。详细而言，将MOSFET 110a～110c的源电极S分别与形成在源极引线端子320a～320c上的接合层531接合。将MOSFET 120a～120c的源电极S分别与形成在源极引线端子320d～320f上的接合层531接合。将MOSFET 110a～110c、120a～120c的各自的栅电极G，利用接合材(未图示)而与形成在连接导体350的一端的接合层531接合。

控制用半导体元件240a、240b分别具有2个电极241及242。将这2个电极241及242中的一个电极241，利用接合材(未图示)与形成在连接导体350的端部上的接合层531接合，且将另一个电极242，利用接合材(未图示)而与形成在I/O引线端子360的连接部362上的接合层531接合。

其次，如图10(A)、图10(B)所图示，在形成在引回导体330a～330c的端部331上的接合层531上，分别接合漏极导体340a～340c的源极连接部343。漏极导体340a～340c的源极连接部343与引回导体330a～330c的端部331的接合以漏极导体340a～340c的漏极连接部342分别与MOSFET 120a～120c的漏电极D电连接的方式进行。根据需要，也可将漏极导体340a～340c的源极连接部343与MOSFET 120a～120c的漏电极D，利用导电性粘接片或导电性粘接材而粘接，或者利用焊料等接合材而接合。由此，MOSFET 120a～120c的漏电极D分别连接于MOSFET 110a～110c的源电极S。

另外，在形成在漏极连接用引线端子313上的接合层531上，接合漏极连接导体312的引线端子连接部312b。漏极连接导体312的引线端子连接部312b与漏极连接用引线端子313的接合以漏极连接导体312的漏极连接部312a与MOSFET 110a～110c的漏电极D电连接的方式进行。根据需要，也可将漏极连接导体312的漏极连接部312a与MOSFET 110a～110c的漏电极D，利用导电性粘接片或导电性粘接材而粘接，或者利用焊料等接合材而接合。由此，MOSFET 110a～110c的各漏电极D相互电连接。

然后，将引线端子密封体510的上表面与设置在引线端子密封体510的上表面的MOSFET 110、MOSFET 120、控制用半导体元件240、漏极导体340以及漏极连接导体312，利用密封树脂521而密封。利用密封树脂的密封例如可通过如转移模成形之类的模成形。如此一来，可获得图2(A)、(B)及图3所图示的半导体装置100。

根据上述第一实施方式的半导体装置100，起到下述效果。

(1)半导体装置100具备：具有源电极S的至少一个MOSFET 110；具有电极242的控制用半导体元件240；与MOSFET 110的源电极S连接的源极引线端子320；与控制用半导体元件240的电极242连接的I/O引线端子360的安装部361；将源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361密封的树脂511；以及将MOSFET 110及控制用半导体元件240密封的密封树脂521。该半导体装置100的制造方法包括下述工序：利用树脂511将源极引线端子320及I/O引线端子360密封而形成引线端子密封体510；在引线端子密封体510的源极引线端子320上连接MOSFET 110的源电极S；在引线端子密封体510的I/O引线端子360上连接控制用半导体元件240的电极242；以及利用密封树脂521，将MOSFET 110、控制用半导体元件240、以及引线端子密封体510的MOSFET 110及控制用半导体元件240侧的面密封。源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361由树脂511密封且保持。因此，能够容易地进行源极引线端子320与MOSFET 110的接合、以及I/O引线端子360的安装部361与控制用半导体元件240的接合。另外，也没有损伤连接半导体元件的连接构件的顾虑。进而，利用密封树脂521将MOSFET110及控制用半导体元件240密封的工序也容易。因此，可提高半导体装置100的生产性。

(2)半导体装置100还具有由树脂511保持的连接导体350，MOSFET 110具有栅电极G，控制用半导体元件240具有电极241，MOSFET 110的栅电极G以及控制用半导体元件240的电极241分别与连接导体350连接。如此一来，能够将MOSFET 110与控制用半导体元件240，利用与通常的电路基板的配线相当的连接导体350而连接。

在专利文献1所述的半导体装置中，MOSFET与驱动器IC是经由接合线而相互连接的结构，并非仅由引线框架来相互电连接的结构。因此，可应用的半导体装置的范围受到限定。与此相对，在本实施方式的半导体装置100中，MOSFET 110与控制用半导体元件240通过利用引线框架而形成的连接导体350来相互电连接。因此，能够应用的半导体装置的范围大幅度扩大。另外，由在半导体装置100内部具有将半导体元件相互连接的连接导体350，因此包括电路基板的构装密度提高，能够实现小型化。

(3)源极引线端子320、I/O引线端子360的安装部361及连接导体350由引线框架300形成，连接导体350的厚度形成为比源极引线端子320的厚度薄。通过使连接导体350的厚度比源极引线端子320的厚度薄，蚀刻时的刻入深度可以小，由此，蚀刻加工的精度提高，连接导体350可高精细化，能实现半导体装置100的小型化。如此一来，可使如下结构并存，即，在增加源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361的厚度来确保热容量、与使连接导体350变薄而实现高精细化之间相互权衡的结构。

(4)源极引线端子320连接在高电位部，I/O引线端子360的安装部361连接在低电位部。在与源极引线端子320接合的MOSFET 110的源电极S、和与I/O引线端子360的安装部361接合的控制用半导体元件240的电极242之间，配置有MOSFET 110的栅电极G以及控制用半导体元件240的电极241。因此，可使连接在高电位部的源极引线端子320与连接在低电位部的I/O引线端子360的安装部361的沿面距离增大，可防止由放电引起的绝缘破坏，或可抑制噪声阻碍。

(5)源极引线端子320、I/O引线端子360的安装部361及连接导体350包含铜或铜合金。因此，可实现半导体装置100内的电路导体的低电阻化。

(6)MOSFET 120在与配置源电极S及栅电极G的一侧相反的一侧具有漏电极D，半导体装置100还具有与漏电极D连接的漏极导体340。因此，与在MOSFET 120的漏电极D上连接有接合线的结构相比，可实现半导体装置100的低背化、低电感化、低电容化、低电阻化。

(7)漏极导体340在配置MOSFET 120的一侧的相反侧，具有从密封树脂521中露出的上表面。因此，不仅可将漏极导体340作为导电体，也可兼用为散热片。

(8)本实施方式的半导体装置100的制造方法包括下述工序：在引线端子密封体510的源极引线端子320上接合MOSFET 110的源电极S之前、以及在引线端子密封体510的I/O引线端子360的安装部361上接合控制用半导体元件240的电极242之前，在源极引线端子320的上下两面以及I/O引线端子360的上下两面均形成接合层531。源极引线端子320的上下两面中的上表面是MOSFET 110的源电极S所接合的面，且为源极引线端子320的上下两面中的下表面的相反侧的面。I/O引线端子360的上下两面中的上表面是控制用半导体元件240的电极242所接合的面，且为I/O引线端子360的上下两面中的下表面的相反侧的面。因此，与将MOSFET 110以及控制用半导体元件240经由接合层531而接合在引线框架300之后，在源极引线端子320及I/O引线端子360的安装部361的从树脂511中露出的面上设置接合层531的通常的制法相比，可削减工序数。

-第二实施方式-

参照图11～图20，对本发明的第二实施方式的半导体装置100A进行说明。图11表示本实施方式的半导体装置100A，图11(A)为俯视图，图11(B)为图11(A)的XIB-XIB线剖视图，图12为图11(A)所示的半导体装置100A的XII-XII线剖视图，图13为图11所示的半导体装置100A的仰视图。

第二实施方式的半导体装置100A并非由引线框架300来形成第一实施方式的半导体装置100中的引回导体330a～330c、连接导体350及I/O引线端子360的连接部362等电路导体，而是通过镀敷来形成。

在以下的说明中，以与第一实施方式不同的构成为主进行说明，与第一实施方式相同的构成对所对应的构成标注同样的符号，适当省略说明。此外，在第二实施方式中，控制用半导体元件240作为除了电极241及电极242之外，还具有第三电极243而例示。也可与第一实施方式同样，将第二实施方式中的控制用半导体元件240设为具有电极241及电极242这2个电极。

半导体装置100A具有：6个MOSFET 110、120(参照图11(B)、图12)；6个源极引线端子320(参照图13)；漏极连接用引线端子313(参照图12、图13)；多个I/O引线端子安装部361a(参照图13)；I/O引线端子连接部362a；树脂511(参照图11(B)、图13)；2个控制用半导体元件240a、240b(参照图11(B)、图19)；多个连接导体372(参照图11(B)、图17)；7个导体371(参照图11(B)、图17)；漏极连接导体312(参照图11(A)、图11(B))；3个漏极导体340(参照图11(A)、图11(B))；以及密封树脂521(参照图11(A)、图11(B)、图12)。

6个源极引线端子320(参照图14)具有源极引线端子320a～320f(参照图13)。源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313、以及多个I/O引线端子安装部361a(参照图11)由树脂511密封，构成引线端子密封体510A。

3个漏极导体340具有漏极导体340a～340c(参照图11(A)、图11(B))。另外，7个导体371具有导体371a～371g(参照图11(B)、图17)。

此处，在第二实施方式中，6个源极引线端子320以及多个I/O引线端子安装部361a由引线框架300形成，连接导体372、导体371a～371g及I/O引线端子连接部362a通过镀敷而形成。即，导体371a～371g分别通过对源极引线端子320a～320f以及漏极连接用引线端子313进行镀敷而形成。另外，多个I/O引线端子连接部362a通过对I/O引线端子安装部361a进行镀敷而形成。此外，在以下的说明中，有时代表导体371a～371g而称为导体371。

漏极导体340a～340c分别与导体371a～371c连接(也参照图17)，且经由导体371a～371c而与源极引线端子320a～320c分别连接。漏极连接导体312连接于导体371g，且经由导体371g而连接于漏极连接用引线端子313。

MOSFET 110、120的各自的源电极S经由接合层531及导体371而接合于源极引线端子320。MOSFET 110、120的各自的栅电极G经由接合层531而接合于连接导体372的一端部。控制用半导体元件240所具有的2个电极241及242中的一个电极241经由接合层531而接合于连接导体372的另一端部。即，由树脂511所保持的连接导体372将MOSFET 110、120的各自的栅电极G与控制用半导体元件240所具有的2个电极241及242中的一个电极241连接。另外，控制用半导体元件240的电极242、243分别经由接合层531而接合于I/O引线端子连接部362a。

在源极引线端子320、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子安装部361a的各自的从树脂511的背面露出的面上，分别设置有接合层531。在源极引线端子320、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子安装部361a的各自的从树脂511的背面露出的面上分别形成的接合层531与未图示的电路基板的连接垫分别接合。

与第一实施方式同样，接合层531使用PPF(Pre Plated Lead frame，预镀引线框架)技术，全部以同一工序来形成。

在MOSFET 120a～120c的漏电极D上，分别电连接有漏极导体340a～340c。漏极导体340a～340c分别经由接合层531而接合于导体371a～371c。各导体371a～371c分别与源极引线端子320a～320c电连接。由此，MOSFET110a～110c的源电极S分别连接于MOSFET120a～120c的漏电极D。

与第一实施方式同样，各漏极导体340的漏极连接部342的上表面从密封树脂521中露出。因此，各漏极导体340兼具作为导电体的功能及作为散热片的功能。

如图12所示，漏极连接导体312的漏极连接部312a与MOSFET 110a～110c的漏电极D电连接。漏极连接导体312的引线端子连接部312b经由接合层531及导体371g而接合于漏极连接用引线端子313。与第一实施方式同样，漏极连接导体312的漏极连接部312a的上表面从密封树脂521的上表面露出。因此，漏极连接导体312兼具作为导电体的功能及作为散热片的功能。

参照图14～图20，对第二实施方式的半导体装置100A的制造方法进行说明。首先，参照图14～图15，对引线端子密封体510A的制造方法进行说明。图14表示图11所示的半导体装置100A的制造方法的一例，图14(A)为俯视图，图14(B)为图14(A)的XIVB-XIVB线剖视图，图15表示继图14之后的半导体装置100A的制造方法，图15(A)为俯视图，图15(B)为图15(A)的XVB-XVB线剖视图。

准备平坦的板状的引线框架300。引线框架300的材质为导电性良好的金属，例如铜或铜合金是合适的。半导体装置100A使用引线框架300来同时制作多个，但以下，引线框架300具有1个半导体装置100A的尺寸。

而且，如图14(A)、图14(B)所图示，从上表面侧对引线框架300进行半蚀刻。通过半蚀刻，在形成源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313、以及I/O引线端子安装部361a的区域以外的区域，形成引线框架薄片300T。

其次，如图15(A)、图15(B)所图示，在引线框架300的形成引线框架薄片300T的区域，换言之，在引线框架300中的源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子安装部361a以外的区域，例如通过如转移模成形之类的模成形而填充树脂511。在形成有引线框架薄片300T的区域填充树脂511后，优选通过研磨加工，使引线框架300以及树脂511的上表面侧变得平坦。

由此，在引线框架300的形成有引线框架薄片300T的区域的上部，形成填充有树脂511的引线端子密封体510A。引线端子密封体510A的形成在引线框架300上的源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313、I/O引线端子安装部361a在该时间点，与引线框架薄片300T形成为一体，并非分别分离。

其次，参照图16～图20，对如下工序进行说明，即，在引线端子密封体510A上形成连接导体372、导体371及I/O引线端子连接部362a，将MOSFET110、120以及控制用半导体元件240接合在导体371、连接导体372及I/O引线端子360，将这些等利用密封树脂521进行密封。

图16表示继图15之后的半导体装置100A的制造方法，图16(A)为俯视图，图16(B)为图16(A)的XVIB-XVIB线剖视图，图17表示继图16之后的半导体装置100A的制造方法，图17(A)为俯视图，图17(B)为图17(A)的XVIIB-XVIIB线剖视图，图18表示继图17之后的半导体装置100A的制造方法，图18(A)为俯视图，图18(B)为图18(A)的XVIIIB-XVIIIB线剖视图，图19表示继图18之后的半导体装置100A的制造方法，图19(A)为俯视图，图19(B)为图19(A)的XIXB-XIXB线剖视图，图20表示继图19之后的半导体装置100A的制造方法，图20(A)为俯视图，图20(B)为图20(A)的XXB-XXB线剖视图。

如图16(A)、(B)所图示，在引线端子密封体510A的上表面侧，与引线框架薄片300T一体化的源极引线端子320a～320f的上表面、漏极连接用引线端子313的上表面、I/O引线端子安装部361a的上表面、以及树脂511的上表面300U(以下称为导体形成面)变得平坦。

如图16(A)、图16(B)所图示，在导体形成面300U上形成导体膜370。导体膜370的形成优选为如下方法：通过溅镀而形成基底层(未图示)，以基底层为电流路，通过电解电镀而形成。但是，并不限定于该方法，例如也可仅通过溅镀而形成。作为导体膜370的材料，铜或铜合金是合适的。

其次，如图17(A)、图17(B)所图示，使用光微影技术，将导体膜370图案化。通过将导体膜370图案化，导体371a～371g、连接导体372及I/O引线端子连接部362a分别分离而形成。此时，在漏极连接用引线端子313上也形成导体371g(参照图12)。导体371a～371c的与源极引线端子320a～320c侧相反侧的端部331分别形成于与源极引线端子320d～320f(参照图14、图17)接近的位置。

其次，如图18(A)、图18(B)所图示，去除引线框架薄片300T，使树脂511的下表面从引线端子密封体510A的下表面露出。由此，源极引线端子320a～320f、漏极连接用引线端子313及I/O引线端子安装部361a分别相互分离。因此，导体371a～371g、连接导体372及I/O引线端子连接部362a分别成为电独立的电路导体。

而且，在源极引线端子320a～320f以及漏极连接用引线端子313的上下两面、I/O引线端子安装部361a的下表面、连接导体372的一端及另一端、以及I/O引线端子连接部362a的一端的上表面，分别形成接合层531。

其次，如图19(A)、图19(B)所图示，将MOSFET 110、120以及控制用半导体元件240，分别利用焊料等接合材(未图示)而接合在接合层531上。详细而言，将MOSFET 110a～110c、120a～120c的源电极S，分别利用接合材(未图示)而与形成在源极引线端子320a～320f上的接合层531接合。另外，将MOSFET 110a～110c、120a～120c的各自的栅电极G，利用接合材(未图示)而与形成在连接导体372的一端的接合层531接合。

将控制用半导体元件240a、240b各自所具有的电极241，利用接合材(未图示)而与形成在连接导体372的端部上的接合层531接合，且将电极242、243，利用接合材(未图示)而分别与形成在I/O引线端子连接部362a上的接合层531接合。

其次，如图20(A)、图20(B)所图示，在形成在导体371a～371c的端部331(图17参照)上的接合层531上，分别接合漏极导体340a～340c的源极连接部343。漏极导体340a～340c的源极连接部343与导体371a～371c的端部331的接合以漏极导体340a～340c的漏极连接部342分别与MOSFET120a～120c的漏电极D电连接的方式进行。由此，MOSFET 120a～120c的漏电极D分别与MOSFET 110a～110c的源电极S连接。

另外，在形成在漏极连接用引线端子313上的接合层531上，接合漏极连接导体312的引线端子连接部312b(参照图12)。漏极连接导体312的引线端子连接部312b与漏极连接用引线端子313的接合以漏极连接导体312的引线端子连接部312b与MOSFET 110a～110c的漏电极D电连接的方式进行。

然后，将引线端子密封体510A的上表面以及设置在引线端子密封体510A的上表面的MOSFET 110、120、控制用半导体元件240、漏极导体340及漏极连接导体312，利用密封树脂521密封。如此一来，可获得图11(A)、(B)及图12所图示的半导体装置100A。

即使在第二实施方式中，半导体装置100A也包括：将源极引线端子320及I/O引线端子安装部361a密封的树脂511；以及将MOSFET 110及控制用半导体元件240密封的密封树脂521。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(1)同样的效果。

在第二实施方式中，半导体装置100A具有由树脂511保持的连接导体372，MOSFET110具有栅电极G，控制用半导体元件240具有电极241，MOSFET110的栅电极G以及控制用半导体元件240的电极241分别连接于连接导体372。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(2)同样的效果。

在第二实施方式中，源极引线端子320及I/O引线端子安装部361a由引线框架300形成，连接导体372通过比引线框架300的厚度薄的镀敷而形成。因此，第二实施方式中，起到与第一实施方式的效果(3)同样的效果。

此外，在第二实施方式中，由于连接导体372通过镀敷而形成，因此可使其厚度比由引线框架形成的连接导体更薄且微细。因此，在第二实施方式中，可进一步提高连接导体372的高精细化。

即使在第二实施方式，源极引线端子320也连接在高电位部，I/O引线端子安装部361a也连接在低电位部。在与源极引线端子320接合的MOSFET 110的源电极S、和与I/O引线端子安装部361a接合的控制用半导体元件240的电极242之间，配置有MOSFET 110的栅电极G以及控制用半导体元件240的电极241。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(4)同样的效果。

即使在第二实施方式中，源极引线端子320、I/O引线端子安装部361a以及连接导体372也包含铜或铜合金。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(5)同样的效果。

即使在第二实施方式中，MOSFET 120也在与配置有源电极S和门电极G的一侧相反侧的面上具有漏电极D，半导体装置100A还具有与漏电极D连接的漏极导体340(导电体)。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(6)同样的效果。

即使在第二实施方式中，MOSFET 120也在与配置有源电极S和门电极G的一侧相反侧的面上具有漏电极D，且还具有与漏电极D连接的漏极导体340，漏极导体340具有配置有MOSFET 120的一侧的相反侧的面即上表面，且该上表面从密封树脂521中露出。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(7)同样的效果。

即使在第二实施方式中，半导体装置100A的制造方法也包括下述工序：在引线端子密封体510A的源极引线端子320上的导体371上接合MOSFET110、120的源电极S之前、以及在引线端子密封体510A的I/O引线端子安装部361a上的I/O引线端子连接部362a上接合控制用半导体元件240的电极242、243之前，在源极引线端子320的上下两面、I/O引线端子连接部362a的一端的上表面以及I/O引线端子安装部361a的下表面，均形成接合层531(接合用镀敷层)。因此，即使在第二实施方式中也起到与第一实施方式的效果(8)同样的效果。

在上述各实施方式中，将构成半导体装置100、100A的电力转换部即变换电路130的开关元件作为MOSFET 110、120来例示。但是，开关元件并不限定于MOSFET 110、120，例如也可为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)等其他半导体元件。在构成使用IGBT作为开关元件的电力转换部的情况下，需要在射极集极间配置二极管。

在上述各实施方式中，半导体装置100、100A是作为将6个臂电路封装为1个的六合一来例示。但是，本发明可应用于具有1个以上的臂电路的所有半导体装置。

在上述各实施方式中，半导体装置100、100A作为具有将DC(直流)转换为AC(交流)的变换电路而例示。但是，本发明可应用于包括进行AC/DC转换的转换器或进行DC/DC转换的电力转换部的半导体装置。进而，本发明也可为不具有电力转换部的封装体，总而言之，可广泛应用于将多个半导体元件利用密封树脂来密封的半导体装置。

在上述各实施方式中，已对从引线端子密封体510、510A的上下两面同时镀敷接合层531的情况进行说明，但也可对上表面及下表面分别利用不同种类的金属来实施镀敷。例如为如下方法：在第一实施方式中，在源极引线端子320a～320f以及漏极连接用引线端子313的各自的上表面、连接导体350的一端及另一端、以及I/O引线端子360的连接部362的一端形成接合层531后，形成密封树脂521的工序的进而以后，在源极引线端子320a～320f以及漏极连接用引线端子313的各自的下表面、以及I/O引线端子360的安装部361的下表面，利用与上表面不同的金属来实施镀敷。作为进行镀敷的金属，例如，可对上表面使用Ag镀敷，对下表面使用Sn或SnAg合金的镀敷。也可对第二实施方式应用同样的工序。

在上述中，已对各种实施方式进行说明，但本发明并不限定于这些内容。在本发明的技术性思想的范围内所考虑的其他形态也包含在本发明的范围内。

专利文献1中记载的半导体装置具有如下结构：将2个MOSFET以及驱动器IC各自的1个电极接合在由引线框架所形成的引线端子，且将各MOSFET的其他电极通过接合线而接合在其他引线端子。2个MOSFET、驱动器IC、引线端子以及接合线总括地由树脂来密封。各引线端子的接合面的相反侧的面从树脂中露出。通过将各引线端子的从树脂中露出的面分别接合在电路基板的连接垫，实现高密度安装。

然而，在进行树脂密封之前，需要在将各MOSFET以及驱动器IC的各自的1个电极接合在引线框架，且将各MOSFET的其他电极通过接合线而接合在引线框架上的状态下，将引线框架通过蚀刻而切断，将各引线端子分离。为了对引线框架进行蚀刻，在此之前，需要将MOSFET、驱动器IC及接合线遮蔽，不仅花费时间，而且还存在使接合线等破损的顾虑。另外，引线端子彼此仅通过接合线而连接，需要在所保持的构件不存在的状态下进行模成形，因此需要在模具内正确定位，进而，必须花费工夫来防止由在树脂注入时的压力而使各引线端子的位置偏移。由于具有这种问题，因此专利文献1中记载的半导体装置无法提高生产性。但是，根据上述各实施方式的半导体装置由于不具有这种问题，因此可提高生产性。

以下的优先权基础申请的公开内容作为引用文而并入本文中。

日本特愿2019-103206号(2019年5月31日申请)

符号说明

100、100A—半导体装置，110、110a～110c—MOSFET，120、120a～120c—MOSFET，240、240a、240b—控制用半导体元件，241—电极，242、243—电极，300—引线框架，300S—引线框架薄壁部，300T—引线框架薄片，300U—导体形成面，312—漏极连接导体，313—漏极连接用引线端子，320、320a～320f—源极引线端子，330、330a～330c—引回导体，340、340a～340c—漏极导体，350—连接导体，360—I/O引线端子，361—安装部，361a—I/O引线端子安装部，362—连接部，362a—I/O引线端子连接部，372—连接导体，371、371a～371g—导体，400—马达发电机，510、510A—引线端子密封体，511—树脂，521—密封树脂，531—接合层，D—漏电极，S—源电极，G—栅电极。