具体实施方式

下文是举实施例配合所附附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本案所涵盖的范围，而结构操作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本案所涵盖的范围。

另外，关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指二或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指二或多个元件相互操作或动作。

在本文中，使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件是可以被理解的。但是这些元件不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件。因此，在下文中的一第一元件也可被称为第二元件，而不脱离本案的本意。

于本文中，用语“电路系统(circuitry)”可泛指包含一或多个电路(circuit)所形成的单一系统。用语“电路”可泛指由一或多个晶体管与/或一或多个主被动元件按一定方式连接以处理信号的物件。

关于本文中所使用的“约”、“大约”或“大致约”一般通常是指数值的误差或范围约百分之二十以内，较好地是约百分之十以内，而更佳地则是约百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，即如“约”、“大约”或“大致约”所表示的误差或范围。

为易于理解，以下各附图中的类似元件将被指定为相同符号。

参考图1。图1为根据本揭示文件的一些实施例所绘示的一种通讯系统100的示意图。如图1所示，通讯系统100包含传输装置110、接收装置120与传输线TL。传输线TL耦接于传输装置110与接收装置120之间，但本案并不以此为限。例如，通讯系统100还包含连结器(未绘示)耦接于传输线TL与传输装置110之间。在一些实施例中，通讯系统100可为序列器/解序列器系统(serializer/deserializer,SerDes)，但本案并不此为限。

在一些实施例中，传输装置110用以输出信号，并透过传输线TL传输至接收装置120。接收装置120用以接收经传输线TL传输的信号。在一些实施例中，信号可为类比信号或数位信号。

在一些实施例中，传输线TL包含信号抑制器130。信号抑制器130耦接接收装置120，用以抑制从接收装置120反射的反射信号。如图1所示，信号抑制器130包含次传输线135、补偿元件140以及上拉元件145。次传输线135的第一端耦接传输装置110，次传输线135的第二端耦接补偿元件140的第一端与上拉元件145的第一端，补偿元件140的第二端透过节点TN耦接接收装置120。

在一些实施例中，次传输线135的第一端直接耦接传输装置110，其具有大约45～60ohm的阻抗值。

在一些实施例中，上拉元件145用以降低从信号抑制器130到接收装置120的等效阻抗。在一些实施例中，上拉元件145的第二端悬空(open)(或称开路残断)。在一些实施例中，上拉元件145具有大约20～30ohm的阻抗值。在一些实施例中，上拉元件145具有大约6～10mm的长度。

在一些实施例中，补偿元件140用以补偿从信号抑制器130到接收装置120的等效阻抗。在一些实施例中，补偿元件140用以提高从信号抑制器130到接收装置120的等效阻抗。在一些实施例中，补偿元件140具有大约70ohm的阻抗值。在一些实施例中，补偿元件140具有大约7～13mm的长度。

在一些实施例中，通讯系统100上的信号可透过测量节点TN来取得。例如，用探针在节点TN上测量传输至接收装置120的信号。

在一些实施例中，接收装置120为NAND逻辑门，其具有低阻抗值大约为30ohm。在一些实施例中，当传输线TL的阻抗高于接收装置120的阻抗时，因为传输线TL具有较高的阻抗值，因此信号传输至接收装置120后产生反射，且反射的信号与传输进接收装置120的信号反相。传输进接收装置120的信号与反射的信号在节点TN上叠加。由于传输进接收装置120的信号与反射的信号在节点TN上叠加，反相的两信号一部分彼此抵消，因此当探针在节点TN测量时，会得到比预定传输进接收装置120的信号还要小的信号，使接收装置120实际接收的信号失真。下列将以图2所示实施例来说明如何解决上述信号失真的问题。

参考图2。图2为根据本揭示文件的另一些实施例所绘示的部分通讯系统100的示意图。在图2中绘示信号抑制器130与接收装置120。

如图2所示，信号抑制器130包含次传输线135、补偿元件140以及上拉元件145，其中上拉元件145包含导通孔146与电容装置147。次传输线135的第二端135a耦接导通孔146与补偿元件140的第一端140a，以及导通孔146耦接电容装置147的第一端。

在一些实施例中，传输线TL设置在印刷电路板上，且印刷电路板包含多个层用以设置电路元件。在一些实施例中，次传输线135设置在印刷电路板的第一层，电容装置147设置在印刷电路板的第二层，补偿元件140设置在印刷电路板的第一层，以及导通孔146设置在印刷电路板的第一层上、第二层上以及第一层与第二层之间。在一些实施例中，第一层与第二层不同。换言之，导通孔146于印刷电路板的第一层与第二层之间耦接次传输线135与电容装置147。在一些实施例中，印刷电路板的第一层为印刷电路板的底层。

在一些实施例中，电容装置147为平行板电容。然而，上述形式的电容仅为例示而已，任何可应用于本领域的电容或电容式元件均在本案思及的范围内。

在一些实施例中，传输线TL还包含导通孔125。导通孔125耦接在节点TN与接收装置120之间。

在一些实施例中，当信号传输至次传输线135的第二端135a时，关于电路系统100从次传输线135的第二端135a看向接收装置120(如图2所示的箭头X)的等效电路，由于上拉元件145中的导通孔146与电容装置147可降低信号抑制器130的阻抗值，因此次传输线135的第二端135a的阻抗值比次传输线135本身的阻抗值还低。由于次传输线135的第二端135a具有较低的等效阻抗值，因此在次传输线135的第二端135a会产生反射信号传回次传输线135，但信号仍透过次传输线135的第二端135a传输至补偿元件140。进一步地，关于电路系统100从补偿元件140的第二端140b看向接收装置120(如图2所示的箭头Y)的等效电路，因为上拉元件145中的导通孔146与电容装置147降低信号抑制器130的阻抗值，因此补偿元件140的第二端140b其阻抗值比补偿元件140的第一端140a的阻抗值还高。换言之，从补偿元件140的第二端140b看向接收装置120(如图2所示的箭头Y)的阻抗值相对地被提升。由于补偿元件140的第二端140b对应于节点TN，因此可以视为节点TN的阻抗值相对地被提升(例如:依据补偿元件140的阻抗值设定，节点TN的阻抗值可提升至与传输线TL的阻抗值匹配)。如此一来，便可以避免前述在节点TN处有明显反射信号产生的情形(亦即传送至接收装置120的信号反射变少)，且当使用探针测量节点TN时，可以避免测量的信号(或是接收装置120实际接收的信号)失真。

综上所述，在一些实施例中，图1或图2所示的信号抑制器130主要是用以在节点TN前对所传输的信号进行反射，使得阻抗不匹配的反射提前在节点TN前发生。一旦节点TN处没有信号反射的情形发生，在节点TN量测得到的信号便会是预定传输的信号或是接近预定传输的信号。相较于没有信号抑制器130的先前作法而言，本案实施例中的信号抑制器130可经采用而有效避免接收装置120实际接收的信号失真。

参考图3a与图3b。图3a与图3b为根据本揭示文件的一些实施例所绘示量测的信号的眼图。在图3a与图3b中，眼图的横坐标为时间T以及纵坐标为信号强度单位AU。在一些实施例中，图3a与图3b中的信号强度单位AU为毫伏特(mV)，时间T的单位为纳秒(nanoseconds,ns)。在一些实施例中，图3a是绘示操作电路系统100中没有信号抑制器130的情形下节点TN上所量测的信号的眼图，而图3b是绘示操作电路系统100中采用信号抑制器130的情形下节点TN上所量测的信号的眼图。

在图3a中，眼图包含区域S1。在图3b中，眼图包含区域S2。在一些实施例中，眼图中的区域S1显示量测的信号具有一个下拉的曲线X1，区域S2显示量测的信号具有一个下拉的曲线X2。如图3a与图3b所示，区域S2中曲线X2下拉的程度小于区域S1中曲线X1下拉的程度。由此可知，当操作电路系统100中采用信号抑制器130时，节点TN上便可量测到较为平顺的传输信号。

在一些实施例中，区域S1中曲线X1与区域S2中曲线X2的下拉称为非单调边缘(non-monotonic edge)。在一些实施例中，相较于图3b中的眼图，图3a中的眼图具有较大的非单调边缘。

在其他实施例中，当次传输线135具有50ohm的阻抗值，上拉单元145具有20ohm的阻抗值与8mm的长度，以及补偿元件140具有70ohm的阻抗值与10mm的长度时，在节点TN上可量测到类似于图3b中的眼图。

综上所述，本案可透过信号抑制器130在节点TN前(或接收装置120接收信号前)对所传输的信号进行反射，使得阻抗不匹配的反射提前发生。一旦节点TN处(或接收装置120接收信号处)没有信号反射的情形发生，在节点TN量测得到的信号便会是预定传输的信号或是接近预定传输的信号。相较于没有信号抑制器130的先前作法而言，本案实施例中的信号抑制器130可经采用而有效避免接收装置120实际接收的信号失真。

虽然本案已以实施方式揭露如上，然其并非限定本案，任何熟悉此技艺者，在不脱离本案的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本案的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。