具体实施方式

前述说明及以下详细描述出于进一步阐释本发明的范围的目的而为示范性的。与本发明相关的其它目标及优势将在后续描述及附图中进行说明。

除非另外指定，否则例如“上方”、“下方”、“向上”、“左方”、“右方”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“下部”、“上部”、“之上”、“之下”等的空间描述是相对于图中所展示的定向而指示。应理解，本文中所使用的空间描述出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可在空间上以任何定向或方式布置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此布置而有偏差。

图1绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装1的横截面图。光学装置封装1包括载体10及盖17。在一些实施例中，载体10可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体10可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体10可包含多个迹线。图1中所绘示的载体10包括重布结构11、电连接件12、囊封体13、半导体装置14、光学元件15及底部填充层16。

重布结构11具有表面111及与表面111相对的表面112。电连接件12中的至少一者在重布结构11的表面112上。囊封体13囊封重布结构11的表面112及侧表面113以及电连接件12。每一电连接件12的一部分由囊封体13暴露。

半导体装置14安装于重布结构11的表面112上。半导体装置14及重布结构11由凸块141电连接。在一些实施例中，凸块141之间的空间由底部填充层16填充。电连接件12围绕半导体装置14的外围且用于扇出半导体装置14的输入及输出。光学元件15(例如，光学发射器或光学检测器)安装于重布结构11的表面111上且电连接到重布结构。

如图1中所展示，囊封体13囊封重布结构11的表面112及侧表面113以及电连接件12。囊封体13具有表面131、相对于表面131凹入的表面132及连接表面131与132的表面135。囊封体13的表面131可与重布结构11的表面111大体上共面，且因此囊封体13的表面132在高度上小于囊封体13的表面131及重布结构11的表面111。此外，表面132邻近于囊封体13的侧表面133。

鉴于以上情况，参看图1，载体10在其侧面具有通过表面132及135形成的凹入部分。

另外，盖17布置于载体10上。参看图1，盖17通过粘着剂19安置于囊封体13的表面132上。粘着剂19可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图1中所展示，粘着剂19大体上布置于囊封体13的表面132及囊封体13的侧表面135上，所述侧表面连接到囊封体13的表面131及132。即，粘着剂19布置于载体10的凹入部分处且大体上处于盖17与载体10之间。此外，由于粘着剂19布置于载体10的凹入部分处，因此粘着剂19可能不会在表面131及表面111上渗移以覆盖导线151。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线151不会被粘着剂19拉动及拖动。盖17具有由囊封体13的表面132支撑的表面172。因此，盖17的表面172在高度上小于囊封体13的表面131及重布结构11的表面111。换句话说，盖17的表面172与囊封体13的表面131及重布结构11的表面111以不同高度安置。在一些实施例中，盖17的表面173与囊封体13的侧表面133彼此可能不共面。

盖17在其顶部处具有孔隙175，且孔隙175与光学元件15大体上对准。滤光片材料18布置于孔隙175内。此外，由于盖17可通过射出模制形成，因此盖17的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖17的侧表面173的粗糙度可与盖17的顶表面171的粗糙度相同。

图2绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装1的横截面图。图2中所展示的光学装置封装1在某些方面上类似于图1中所展示的光学装置封装1，只不过在图2中衬底100附接到囊封体13的表面134且电连接到电连接件12，表面134与囊封体13的表面131相对。此外，电连接件12可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装1进一步包括衬底100，且囊封体13囊封重布结构11的表面112及侧表面113、衬底100的表面101以及电连接件12。

图3绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装2的横截面图。光学装置封装2包括载体20及盖27。在一些实施例中，载体20可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体20可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体20可包含多个迹线。图3中所绘示的载体20包括重布结构21、电连接件22、囊封体23、半导体装置24、光学元件25及底部填充层26。

重布结构21具有表面211及与表面211相对的表面212。电连接件22中的至少一者在重布结构21的表面212上。囊封体23囊封重布结构21的表面212及侧表面213以及电连接件22。每一电连接件22的一部分由囊封体23暴露。

半导体装置24安装于重布结构21的表面212上。半导体装置24及重布结构21由凸块241电连接。在一些实施例中，凸块241之间的空间由底部填充层26填充。电连接件22围绕半导体装置24的外围且用于扇出半导体装置24的输入及输出。光学元件25安装于重布结构21的表面211上且电连接到重布结构。关于这两个光学元件25，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如图3中所展示，囊封体23囊封重布结构21的表面212及侧表面213以及电连接件22。囊封体23具有表面231、相对于表面231凹入的表面232及连接表面231与232的表面235。囊封体23的表面231可与重布结构21的表面211大体上共面，且因此囊封体23的表面232在高度上小于囊封体23的表面231及重布结构21的表面211。此外，表面232邻近于囊封体23的侧表面233。

鉴于以上情况，参看图3，载体20在其侧面具有通过表面232及235形成的凹入部分。

另外，盖27布置于载体20上。参看图3，盖27通过粘着剂29安置于重布结构21的表面211及囊封体23的表面232上。粘着剂29可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图3中所展示，粘着剂29大体上布置于囊封体23的表面232及囊封体23的侧表面235上且布置于重布结构21的第一表面211上，所述侧表面连接到囊封体23的表面231及232。即，粘着剂29布置于载体20的凹入部分处且大体上处于盖27与载体20之间。此外，由于粘着剂29布置于载体20的凹入部分处，因此粘着剂29可能不会在表面231及表面211上渗移以覆盖导线251。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线251不会被粘着剂29拉动及拖动。盖27具有由囊封体23的表面232支撑的表面272。因此，盖27的表面272在高度上小于囊封体23的表面231及重布结构21的表面211。换句话说，盖27的表面272与囊封体23的表面231及重布结构21的表面211以不同高度安置。此外，盖27可具有将光学元件25彼此隔离的内壁274。盖27的内壁274具有由重布结构21的表面211支撑的表面276。因此，表面272在高度上小于表面276。即，盖27的表面272及276以不同高度安置。在一些实施例中，盖27的表面273与囊封体23的侧表面233彼此可能不共面。

盖27在其顶部处具有两个孔隙275，且孔隙275中的每一者与光学元件25大体上对准。另外，滤光片材料28分别布置于孔隙275内。此外，由于盖27可通过射出模制形成，因此盖27的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖27的侧表面273的粗糙度可与盖27的顶表面271的粗糙度相同。

图4绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装2的横截面图。图4中所展示的光学装置封装2在某些方面上类似于图3中所展示的光学装置封装2，只不过在图4中衬底200附接到囊封体23的表面234且电连接到电连接件22，表面234与囊封体23的表面231相对。此外，电连接件22可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装2进一步包括衬底200，且囊封体23囊封重布结构21的表面212及侧表面213、衬底200的表面201以及电连接件22。

图5绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装3的横截面图。光学装置封装3包括载体30及盖37。在一些实施例中，载体30可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体30可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体30可包含多个迹线。图5中所绘示的载体30包括重布结构31、电连接件32、囊封体33、半导体装置34、光学元件35及底部填充层36。

重布结构31具有表面311及与表面311相对的表面312。电连接件32中的至少一者在重布结构31的表面312上。囊封体33囊封重布结构31的表面312及电连接件32。每一电连接件32的一部分由囊封体33暴露。此外，重布结构31具有侧表面313，且一些电镀线可在侧表面313上暴露。

半导体装置34安装于重布结构31的表面312上。半导体装置34及重布结构31由凸块341电连接。在一些实施例中，凸块341之间的空间由底部填充层36填充。电连接件32围绕半导体装置34的外围且用于扇出半导体装置34的输入及输出。光学元件35(例如，光学发射器或光学检测器)安装于重布结构31的表面311上且电连接到重布结构。

如图5中所展示，囊封体33囊封重布结构31的表面312及电连接件32。因此，囊封体33具有相对于重布结构31的表面311凹入且邻近于重布结构31的侧表面313的表面331。即，囊封体33的表面331在高度上小于重布结构31的表面311。此外，囊封体33的表面331可与重布结构31的表面312共面。

鉴于以上情况，参看图5，载体30在其侧面具有通过表面331及313形成的凹入部分。

另外，盖37布置于载体30上。参看图5，盖37通过粘着剂39安置于囊封体33的表面331上。粘着剂39可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图5中所展示，粘着剂39大体上布置于囊封体33的表面331及重布结构31的侧表面313上，所述侧表面连接重布结构31的表面311与囊封体33的表面331。即，粘着剂39布置于载体30的凹入部分处且大体上处于盖37与载体30之间。此外，由于粘着剂39布置于载体30的凹入部分处，因此粘着剂39可能不会在表面311上渗移以覆盖导线351。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线351不会被粘着剂39拉动及拖动。盖37具有由囊封体33的表面332支撑的表面372。因此，盖37的表面372在高度上小于重布结构31的表面311。换句话说，盖37的表面372及重布结构31的表面311以不同高度安置。在一些实施例中，盖37的表面373与囊封体33的侧表面333彼此可能不共面。

盖37在其顶部处具有孔隙375，且孔隙375与光学元件35大体上对准。滤光片材料38布置于孔隙375内。此外，由于盖37可通过射出模制形成，因此盖37的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖37的侧表面373的粗糙度可与盖37的顶表面371的粗糙度相同。

图6绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装3的横截面图。图6中所展示的光学装置封装3在某些方面上类似于图5中所展示的光学装置封装3，只不过在图6中衬底300附接到囊封体33的表面334且电连接到电连接件32，表面334与囊封体33的表面331相对。此外，电连接件32可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装3进一步包括衬底300，且囊封体33囊封重布结构31的表面312、衬底300的表面301以及电连接件32。

图7绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装4的横截面图。光学装置封装4包括载体40及盖47。在一些实施例中，载体40可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体40可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体40可包含多个迹线。图7中所绘示的载体40包括重布结构41、电连接件42、囊封体43、半导体装置44、光学元件45及底部填充层46。

重布结构41具有表面411及与表面411相对的表面412。电连接件42中的至少一者在重布结构41的表面412上。囊封体43囊封重布结构41的表面412及电连接件42。每一电连接件42的一部分由囊封体43暴露。此外，重布结构41具有侧表面413，且一些电镀线可在侧表面413上暴露。

半导体装置44安装于重布结构41的表面412上。半导体装置44及重布结构41由凸块441电连接。在一些实施例中，凸块441之间的空间由底部填充层46填充。电连接件42围绕半导体装置44的外围且用于扇出半导体装置44的输入及输出。光学元件45安装于重布结构41的表面411上且电连接到重布结构。关于这两个光学元件45，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如图7中所展示，囊封体43囊封重布结构41的表面412及电连接件42。囊封体43具有相对于重布结构41的表面411凹入且邻近于重布结构41的侧表面413的表面431。因此，囊封体43的表面431在高度上小于重布结构41的表面411。此外，囊封体43的表面431可与重布结构41的表面412共面。

鉴于以上情况，参看图7，载体40在其侧面具有通过表面431及413形成的凹入部分。

另外，盖47布置于载体40上。参看图7，盖47通过粘着剂49安置于重布结构41的表面411及囊封体43的表面431上。粘着剂49可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图7中所展示，粘着剂49大体上布置于囊封体43的表面431及重布结构41的侧表面413上，且布置于重布结构41的表面411上，所述侧表面连接到重布结构41的表面411及囊封体43的表面431。即，粘着剂49布置于载体40的凹入部分处且大体上处于盖47与载体40之间。此外，由于粘着剂49布置于载体40的凹入部分处，因此粘着剂49可能不会在表面411上渗移以覆盖导线451。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线451不会被粘着剂49拉动及拖动。盖47具有由囊封体43的表面431支撑的表面472。因此，盖47的表面472在高度上小于重布结构41的表面411。换句话说，盖47的表面472及重布结构41的表面411以不同高度安置。此外，盖47可具有将光学元件45彼此隔离的内壁474。盖47的内壁474具有由重布结构41的表面411支撑的表面476。因此，表面472在高度上小于表面476。即，盖47的表面472及476以不同高度安置。在一些实施例中，盖47的表面473与囊封体43的侧表面433彼此可能不共面。

盖47在其顶部处具有两个孔隙475，且孔隙475中的每一者与光学元件45大体上对准。另外，滤光片材料48分别布置于孔隙475内。此外，由于盖47可通过射出模制形成，因此盖47的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖47的侧表面473的粗糙度可与盖47的顶表面471的粗糙度相同。

图8绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装4的横截面图。图8中所展示的光学装置封装4在某些方面上类似于图7中所展示的光学装置封装4，只不过在图8中衬底400附接到囊封体43的表面434且电连接到电连接件42，表面434与囊封体43的表面431相对。此外，电连接件42可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装4进一步包括衬底400，且囊封体43囊封重布结构41的表面412、衬底400的表面401以及电连接件42。

图9绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装5的横截面图。光学装置封装5包括载体50及盖57。在一些实施例中，载体50可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体50可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体50可包含多个迹线。图9中所绘示的载体50包括重布结构51、电连接件52、囊封体53、半导体装置54、光学元件55及底部填充层56。

重布结构51具有表面511、相对于511凹入的表面512、与表面511及512相对的表面513、连接表面512与513的表面514，及连接表面511与512的表面515。电连接件52中的至少一者在重布结构51的表面513上。囊封体53囊封重布结构51的表面513及侧表面514以及电连接件52。每一电连接件52的一部分由囊封体53暴露。此外，一些电镀线可在重布结构51的表面515上暴露。

半导体装置54安装于重布结构51的表面513上。半导体装置54及重布结构51由凸块541电连接。在一些实施例中，凸块541之间的空间由底部填充层56填充。电连接件52围绕半导体装置54的外围且用于扇出半导体装置54的输入及输出。光学元件55(例如，光学发射器或光学检测器)安装于重布结构51的表面511上且电连接到重布结构。

如上文所提及，重布结构51具有表面511、相对于511凹入的表面512及与表面511及512相对的表面513，且囊封体53囊封重布结构51的表面513及侧表面514以及电连接件52。囊封体53具有可邻近于重布结构51的表面512且与所述表面共面的表面531。即，重布结构51的表面512及囊封体53的表面531在高度上小于重布结构51的表面511。

鉴于以上情况，参看图9，载体50在其侧面具有通过表面515、512及531形成的凹入部分。

另外，盖57布置于载体50上。参看图9，盖57通过粘着剂59安置于重布结构51的表面512及囊封体53的表面531上。粘着剂59可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图9中所展示，粘着剂59大体上布置于囊封体53的表面531、重布结构51的表面512及重布结构51的侧表面515上，所述侧表面连接到重布结构51的表面511及512。即，粘着剂59布置于载体50的凹入部分处且大体上处于盖57与载体50之间。此外，由于粘着剂59布置于载体50的凹入部分处，因此粘着剂59可能不会在表面511上渗移以覆盖导线551。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线551不会被粘着剂59拉动及拖动。盖57具有由重布结构51的表面512及囊封体53的表面531支撑的表面572。因此，盖57的表面572在高度上小于重布结构51的表面511。换句话说，盖57的表面572及重布结构51的表面511以不同高度安置。在一些实施例中，盖57的表面573与囊封体53的侧表面533彼此可能不共面。

盖57在其顶部处具有孔隙575，且孔隙575与光学元件55大体上对准。滤光片材料58布置于孔隙575内。此外，由于盖57可通过射出模制形成，因此盖57的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖57的侧表面573的粗糙度可与盖57的顶表面571的粗糙度相同。

图10绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装5的横截面图。图10中所展示的光学装置封装5在某些方面上类似于图9中所展示的光学装置封装5，只不过在图10中衬底500附接到囊封体53的表面534且电连接到电连接件52，表面534与囊封体53的表面531相对。此外，电连接件52可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装5进一步包括衬底500，且囊封体53囊封重布结构51的表面513及侧表面514、衬底500的表面501以及电连接件52。

图11绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装6的横截面图。光学装置封装6包括载体60及盖67。在一些实施例中，载体60可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体60可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体60可包含多个迹线。图11中所绘示的载体60包括重布结构61、电连接件62、囊封体63、半导体装置64、光学元件65及底部填充层66。

重布结构61具有表面611、相对于611凹入的表面612、与表面611及612相对的表面613、连接表面612与613的表面614，及连接表面611与612的表面615。电连接件62中的至少一者在重布结构61的表面613上。囊封体63囊封重布结构61的表面613及侧表面614以及电连接件62。每一电连接件62的一部分由囊封体63暴露。此外，一些电镀线可在重布结构61的表面615上暴露。

半导体装置64安装于重布结构61的表面613上。半导体装置64及重布结构61由凸块641电连接。在一些实施例中，凸块641之间的空间由底部填充层66填充。电连接件62围绕半导体装置64的外围且用于扇出半导体装置64的输入及输出。光学元件65安装于重布结构61的表面611上且电连接到重布结构。关于这两个光学元件65，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如上文所提及，重布结构61具有表面611、相对于611凹入的表面612及与表面611及612相对的表面613，且囊封体63囊封重布结构61的表面613及侧表面614以及电连接件62。囊封体63具有可邻近于重布结构61的表面612且与所述表面共面的表面631。即，重布结构61的表面612及囊封体63的表面631在高度上小于重布结构61的表面611。

鉴于以上情况，参看图11，载体60在其侧面具有通过表面615、612及631形成的凹入部分。

另外，盖67布置于载体60上。参看图11，盖67通过粘着剂69安置于重布结构61的表面611、重布结构61的表面612及囊封体63的表面631上。粘着剂69可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图11中所展示，粘着剂69大体上布置于重布结构61的表面611、囊封体63的表面631、重布结构61的表面612及重布结构61的侧表面615上，所述侧表面连接到重布结构61的表面611及612。即，粘着剂69布置于载体60的凹入部分处且大体上处于盖67与载体60之间。此外，由于粘着剂69布置于载体60的凹入部分处，因此粘着剂69可能不会在表面611上渗移以覆盖导线651。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线651不会被粘着剂69拉动及拖动。盖67具有由重布结构61的表面612及囊封体63的表面631支撑的表面672。因此，盖67的表面672在高度上小于重布结构61的表面611。换句话说，盖67的表面672及重布结构61的表面611以不同高度安置。此外，盖67可具有将光学元件65彼此隔离的内壁674。盖67的内壁674具有由重布结构61的表面611支撑的表面676。因此，表面672在高度上小于表面676。即，盖67的表面672及676以不同高度安置。在一些实施例中，盖67的表面673与囊封体63的侧表面633彼此可能不共面。

盖67在其顶部处具有两个孔隙675，且孔隙675中的每一者与光学元件65大体上对准。另外，滤光片材料68分别布置于孔隙675内。此外，由于盖67可通过射出模制形成，因此盖67的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖67的侧表面673的粗糙度可与盖67的顶表面671的粗糙度相同。

图12绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装6的横截面图。图12中所展示的光学装置封装6在某些方面上类似于图11中所展示的光学装置封装6，只不过在图12中衬底600附接到囊封体63的表面634且电连接到电连接件62，表面634与囊封体63的表面631相对。此外，电连接件62可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装6进一步包括衬底600，且囊封体63囊封重布结构61的表面613及侧表面614、衬底600的表面601以及电连接件62。

图13绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装7的横截面图。光学装置封装7包括载体70及盖77。在一些实施例中，载体70可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体70可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体70可包含多个迹线。图13中所绘示的载体70包括重布结构71、电连接件72、囊封体73、半导体装置74、光学元件75及底部填充层76。

重布结构71具有表面711及与表面711相对的表面712。电连接件72中的至少一者在重布结构71的表面712上。囊封体73囊封重布结构71的表面712及电连接件72。每一电连接件72的一部分由囊封体73暴露。此外，重布结构71具有侧表面713，且一些电镀线可在侧表面713上暴露。

半导体装置74安装于重布结构71的表面712上。半导体装置74及重布结构71由凸块741电连接。在一些实施例中，凸块741之间的空间由底部填充层76填充。电连接件72围绕半导体装置74的外围且用于扇出半导体装置74的输入及输出。光学元件75(例如，光学发射器或光学检测器)安装于重布结构71的表面711上且电连接到重布结构。

如图13中所展示，囊封体73囊封重布结构71的表面712及电连接件72。囊封体73具有表面731、相对于表面731凹入的表面732以及连接到表面731及表面732的侧表面735。囊封体73的表面731大体上附接到重布结构71的712。囊封体73的侧表面735可邻近于重布结构71的侧表面713且与重布结构71的侧表面713大体上共面。参看图13，囊封体73的表面732在高度上小于重布结构71的表面711。

鉴于以上情况，参看图13，载体70在其侧面具有通过表面713、732及735形成的凹入部分。

另外，盖77布置于载体70上。参看图13，盖77通过粘着剂79安置于囊封体73的表面732上。粘着剂79可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图13中所展示，粘着剂79大体上布置于囊封体73的表面732、囊封体73的侧表面735及重布结构71的侧表面713上，侧表面735连接囊封体73的表面732，侧表面713连接到重布结构71的表面711。即，粘着剂79布置于载体70的凹入部分处且大体上处于盖77与载体70之间。此外，由于粘着剂79布置于载体70的凹入部分处，因此粘着剂79可能不会在表面711上渗移以覆盖导线751。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线751不会被粘着剂79拉动及拖动。盖77具有由囊封体73的表面732支撑的表面772。因此，盖77的表面772在高度上小于囊封体73的表面731及重布结构71的表面711。换句话说，盖77的表面772与囊封体73的表面731及重布结构71的表面711以不同高度安置。在一些实施例中，盖77的表面773与囊封体73的侧表面733彼此可能不共面。

盖77在其顶部处具有孔隙775，且孔隙775与光学元件75大体上对准。滤光片材料78布置于孔隙775内。此外，由于盖77可通过射出模制形成，因此盖77的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖77的侧表面773的粗糙度可与盖77的顶表面771的粗糙度相同。

图14绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装7的横截面图。图14中所展示的光学装置封装7在某些方面上类似于图13中所展示的光学装置封装7，只不过在图14中衬底700附接到囊封体73的表面734且电连接到电连接件72，表面734与囊封体73的表面731及732相对。此外，电连接件72可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装7进一步包括衬底700，且囊封体73囊封重布结构71的表面712、衬底700的表面701以及电连接件72。

图15绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装8的横截面图。光学装置封装8包括载体80及盖87。在一些实施例中，载体80可包含陶瓷材料或金属板。在一些实施例中，载体80可为衬底、有机衬底或引线框架。在一些实施例中，载体80可包含多个迹线。图15中所绘示的载体80包括重布结构81、电连接件82、囊封体83、半导体装置84、光学元件85及底部填充层86。

重布结构81具有表面811及与表面811相对的表面812。电连接件82中的至少一者在重布结构81的表面812上。囊封体83囊封重布结构81的表面812及电连接件82。每一电连接件82的一部分由囊封体83暴露。此外，重布结构81具有侧表面813，且一些电镀线可在侧表面813上暴露。

半导体装置84安装于重布结构81的表面812上。半导体装置84及重布结构81由凸块841电连接。在一些实施例中，凸块841之间的空间由底部填充层86填充。电连接件82围绕半导体装置84的外围且用于扇出半导体装置84的输入及输出。光学元件85安装于重布结构81的表面811上且电连接到重布结构。关于这两个光学元件85，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如图15中所展示，囊封体83囊封重布结构81的表面812及电连接件82。囊封体83具有表面831、相对于表面831凹入的表面832以及连接到表面831及表面832的侧表面833。囊封体83的表面831大体上附接到重布结构81的812。囊封体83的侧表面833可邻近于重布结构81的侧表面813且与重布结构81的侧表面813大体上共面。参看图15，囊封体83的表面832在高度上小于重布结构81的表面811。

鉴于以上情况，参看图15，载体80在其侧面具有通过表面813、832及835形成的凹入部分。

另外，盖87布置于载体80上。参看图15，盖87通过粘着剂89安置于重布结构81的表面811及囊封体83的表面832上。粘着剂89可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。特定地说，如图15中所展示，粘着剂89大体上布置于重布结构81的表面811、囊封体83的表面832、囊封体83的侧表面833及重布结构81的侧表面813上，侧表面833连接囊封体83的表面832，侧表面813连接重布结构81的表面811。即，粘着剂89布置于载体80的凹入部分处且大体上处于盖87与载体80之间。此外，由于粘着剂89布置于载体80的凹入部分处，因此粘着剂89可能不会在表面811上渗移以覆盖导线851。在例如加热或固化工艺的装配工艺期间，导线851不会被粘着剂89拉动及拖动。盖87具有由囊封体83的表面832支撑的表面872。因此，盖87的表面872在高度上小于囊封体83的表面831及重布结构81的表面811。换句话说，盖87的表面872与囊封体83的表面831及重布结构81的表面811以不同高度安置。此外，盖87可具有将光学元件85彼此隔离的内壁874。盖87的内壁874具有由重布结构81的表面811支撑的表面876。因此，表面872在高度上小于表面876。即，盖87的表面872及876以不同高度安置。在一些实施例中，盖87的表面873与囊封体83的侧表面835彼此可能不共面。

盖87在其顶部处具有两个孔隙875，且孔隙875中的每一者与光学元件85大体上对准。另外，滤光片材料88分别布置于孔隙875内。此外，由于盖87可通过射出模制形成，因此盖87的外表面的粗糙度可大体上统一。即，盖87的侧表面873的粗糙度可与盖87的顶表面871的粗糙度相同。

图16绘示根据本发明的一些实施例的光学装置封装8的横截面图。图16中所展示的光学装置封装8在某些方面上类似于图15中所展示的光学装置封装8，只不过在图16中衬底800附接到囊封体83的表面834且电连接到电连接件82，表面834与囊封体83的表面831及832相对。此外，电连接件82可能未暴露。因此，在至少一些实施例中，光学装置封装8进一步包括衬底800，且囊封体83囊封重布结构81的表面812、衬底800的表面801以及电连接件82。

图17A、17B、17C、17D、17E、17F、17G、17H、17I及17J绘示根据本发明的一些实施例的制造光学装置封装2的方法的一或多个阶段。图17A绘示已经由以下阶段处理的衬底(例如，重布结构)21：烘烤衬底条带。

如图17B中所展示，接着对衬底21执行以下阶段：通过倒装芯片(FC)接合将裸片24安装到衬底21的表面212上。

如图17C中所展示，接着对衬底21执行以下阶段：分散底部填充物(UF)26；及固化UF 26。

如图17D中所展示，接着对衬底21执行以下阶段：将电连接件22安装到衬底21的表面212上。

如图17E中所展示，将衬底200附接且连接到电连接件22。

如图17F中所展示，将薄膜型模制原料(例如，囊封体)23涂覆于衬底21、衬底200、电连接件22及裸片24上。因此，囊封体23囊封衬底21的侧表面213及表面212、衬底200的表面201以及电连接件22及裸片24。囊封体23具有表面231，其中表面231可与衬底21的表面211大体上共面，表面211与衬底21的表面212相对。

如图17G中所展示，接着对衬底21执行以下阶段：切割衬底200及囊封体23。

如图17H中所展示，将两个光学元件25安装到重布结构21的表面211上。关于这两个光学元件25，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如图17I中所展示，移除囊封体239的一部分。因此，囊封体23具有邻近于囊封体23的侧表面233且相对于囊封体23的表面231凹入的表面232。

如图17J中所展示，通过粘着剂29将可通过射出模制形成的盖27安置于重布结构21的表面211及囊封体23的表面232上。粘着剂29可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。此外，盖27的孔隙275与光学元件25大体上对准。另外，盖27是在盖27安置于重布结构21的表面211及囊封体23的表面232上之前形成，且因此盖27的侧表面273可能不与囊封体23的侧表面233共面。图17J展示根据本发明的一些实施例的光学装置封装2。

图18A、18B、18C、18D、18E、18F、18G、18H、18I及18J绘示根据本发明的一些实施例的制造光学装置封装6'的方法的一或多个阶段。图18A绘示已经由以下阶段处理的衬底(例如，重布结构)61：烘烤衬底条带。另外，衬底61包括电镀线617。

如图18B中所展示，接着对衬底61执行以下阶段：通过倒装芯片(FC)接合将裸片64安装到衬底61的表面613上。

如图18C中所展示，接着对衬底61执行以下阶段：分散底部填充物(UF)66；及固化UF 66。

如图18D中所展示，接着对衬底61执行以下阶段：将电连接件62安装到衬底61的表面613上。

如图18E中所展示，将衬底600附接且连接到电连接件62。

如图18F中所展示，将薄膜型模制原料(例如，囊封体)63涂覆于衬底61、衬底600、电连接件62及裸片64上。因此，囊封体63囊封衬底61的侧表面614及表面613、衬底600的表面601以及电连接件62及裸片64。

如图18G中所展示，接着对衬底61执行以下阶段：切割衬底600及囊封体63。

如图18H中所展示，将两个光学元件65安装到重布结构61的表面611上。关于这两个光学元件65，其可为两个光学发射器或两个光学检测器，或一者为光学发射器且另一者为光学检测器。

如图18I中所展示，移除囊封体639的一部分及衬底(重布结构)619的一部分。因此，重布结构61具有相对于表面611凹入的表面612、连接表面611与612的表面615，且囊封体63具有与重布结构61的表面612大体上共面的表面631。此外，由于移除了衬底(重布结构)619的一部分，因此电镀线617可在重布结构61的表面615上暴露。

如图18J中所展示，通过粘着剂69将可通过射出模制形成的盖67安置于重布结构61的表面612及囊封体63的表面631上。粘着剂69可为光学胶，且所述光学胶的光学密度(OD)值大于3。此外，盖67的孔隙675与光学元件65大体上对准。另外，盖67是在盖67安置于重布结构61的表面612及囊封体63的表面631上之前形成，且因此盖67的侧表面673可能不与囊封体63的侧表面633共面。图18J展示根据本发明的一些实施例的光学装置封装6'。

如本文中所使用，例如“内”、“内部”、“外”、“外部”、“顶部”、“底部”、“前部”、“背部”、“上部”、“向上”、“下部”、“向下”、“竖直”、“竖直地”、“侧向”、“侧向地”、“上方”及“下方”的相对术语是指一组组件相对于彼此的定向；此定向是根据附图，但并非制造或使用期间所必需的。

除非上下文另外清楚地规定，否则如本文中所使用，单数术语“一(a/an)”及“所述”可包含多个指示物。

如本文中所使用，术语“连接(connect、connected及connection)”是指操作联接或链接。经连接组件可例如经由另一组组件直接或间接联接到彼此。

如本文中所使用，术语“传导”、“导电”及“电导率”是指输送电流的能力。导电材料通常指示展现对于电流流动的极小或零阻力的那些材料。电导率的一个量度为西门子/米(S/m)。通常，导电材料为具有大于大约10⁴S/m(例如至少10⁵S/m或至少10⁶S/m)的电导率的一种材料。材料的电导率有时可随温度变化。除非另外指定，否则在室温下测量材料的电导率。

如本文中所使用，术语“大约”、“大体上”、“大体”及“约”指相当大的程度或范围。当结合事件或情形使用时，术语可指事件或情形精确发生的情况以及事件或情形近似地发生的情况，例如在考虑本文中所描述的制造方法的典型容限水平时。举例来说，当结合数值使用时，所述术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的±10％，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％，那么可认为所述两个数值“大体上”相同或相等。

如果两个表面之间的移位不超过5μm、不超过2μm、不超过1μm或不超过0.5μm，那么可认为两个表面共面或大体上共面。

如果表面上的最高点与最低点之间的差不超过5μm、不超过2μm、不超过1μm或不超过0.5μm，那么可将所述表面认为是平面或大体上平面的。

另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率及其它数值。应理解，此类范围格式出于便利及简洁起见而使用，且应灵活地解释为包含明确地指定为范围限制的数值，且也包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。

在一些实施例的描述中，一组件设置于另一组件“上”或“上方”可涵盖前一组件直接在后一组件上方(例如，与其物理接触)的状况，以及一或多个介入组件位于前一组件与后一组件之间的状况。

虽然已参考本发明的特定实施例描述及说明了本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由随附权利要求书定义的本发明的真实精神及范围的情况下，可作出各种改变且可取代等效物。

如各种实例实施例中所展示的结构及方法的构造及布置仅为说明性的。因此，所有这些修改意图包含于本发明的范围内。任何工艺或方法步骤的次序或顺序可根据替代实施例而变化或重新定序。可在不脱离本发明的范围的情况下在实例实施例的设计、操作条件及布置上进行其它替代、修改、改变及省略。