具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

具体实施方式一：下面结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种三态开关量识别系统，它包括电阻R1～R7、三极管KT1、场效应管KT2和二极管RD1；

电阻R7的一端连接电阻R6的一端，电阻R7的另一端接GND；

电阻R6和电阻R7的连接端作为mi输入端；

电阻R6的另一端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接二极管RD1的阴极，二极管RD1的阳极连接效应管KT2的漏极，场效应管KT2的源极连接电阻R4的一端，场效应管KT2的源极同时接VCC，场效应管KT2的栅极同时连接电阻R4的另一端和电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接三极管KT1的集电极，三极管KT1的发射极和电阻R2的一端同时接GND，三极管KT1的基极同时连接电阻R2的另一端和电阻R1的一端；

电阻R1的另一端作为mo输出端；

电阻R5和电阻R6的连接端作为开关量识别输出端；

根据mi输入端和mo输出端的不同逻辑识别开关量识别输出端的开光量识别状态。

进一步的，所述开光量识别状态包括：悬空状态、高电平状态和低电平状态。

再进一步的，根据mi输入端和mo输出端的不同逻辑识别开关量识别输出端的开光量识别状态具体包括：

在一个周期范围内，mo输出电平为11、mi输入电平为10时，开光量识别状态为悬空状态；

在一个周期范围内，mo输出电平为10、mi输入电平为11时，开光量识别状态为高电平状态；

在一个周期范围内，mo输出电平为10、mi输入电平为00时，开光量识别状态为低电平状态。

结合图1说明本发明的工作原理：

当开关量为悬空状态时，此电路采集逻辑如下：

首先，mo为单片机的电平信号输出，当输出为高电平时，A点电压达到三极管KT1导通电压，三极管发射极与基极导通，电阻R3对地短路，这样电阻R3与R4线路就有电流流通，R3与R4就有各自的电压降，此时B点的电压就是R3所承担的压降，KT2选用了一颗P-MOS，当R4承担压降后，MOS管的G极与S极形成了负压，当这个电压达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极就会导通，VCC会加载到二极管RD1上，与电阻R5，R6，R7组成一个回路，mi为单片机采集电平，KT2导通后，R7上形成压降，mi采集到高电平，输入给单片机为逻辑“1”；

当mo输出为低电平时，A点电压为零，没有达到三极管KT1导通电压，三极管发射极与基极之间无法导通，R3没有连接到GND，这样电阻R3与R4线路就没有电流流通，此时B点的电压值等同于VCC的电压值，R4两端没有形成压降，所以MOS管的G极与S极也没有形成负压，无法达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极不会导通，VCC没有加载到RD1上，电阻R5，R6，R7没有电流流过，mi采集到的电平就等同于GND，输入给单片机为逻辑“0”；

当开关量为高电平状态时，此电路采集逻辑如下：

首先，mo为单片机的电平信号输出，当输出为高电平时，A点电压达到三极管KT1导通电压，三极管射极与基极导通，电阻R3对地短路，这样电阻R3与R4线路就有电流流通，R3与R4就有各自的电压降，此时B点的电压就是R3所承担的压降，KT2选用了一颗P-MOS，当R4承担压降后，MOS管的G极与S极形成了负压，当这个电压达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极就会导通，VCC会加载到二极管RD1上，与电阻R5，R6，R7组成一个回路，mi为单片机采集电平，KT2导通后，R7上形成压降，mi采集到高电平，输入给单片机为逻辑“1”；

当mo输出为低电平时，A点电压为零，没有达到三极管KT1导通电压，三极管射极与基极之间无法导通，R3没有连接到GND，这样电阻R3与R4线路就没有电流流通，此时B点的电压值等同于VCC的电压值，R4两端没有形成压降，所以MOS管的G极与S极也没有形成负压，无法达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极不会导通，VCC没有加载到RD1上，但因为此时开关量为高电平，与电阻R5，R6，R7依然会组成一个通路，形成电流，电阻R7上形成压降mi采集到高电平，输入给单片机为逻辑“1”；

当开关量为低电平状态时，此电路采集逻辑如下：

首先，mo为单片机的电平信号输出，当输出为高电平时，A点电压达到三极管KT1导通电压，三极管射极与基极导通，电阻R3对地短路，这样电阻R3与R4线路就有电流流通，R3与R4就有各自的电压降，此时B点的电压就是R3所承担的压降，KT2选用了一颗P-MOS，当R4承担压降后，MOS管的G极与S极形成了负压，当这个电压达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极就会导通，VCC会加载到二极管RD1上，但是因为此时开关量为低电平，所以C点的电位就是零，VCC与二极管RD1，电阻R5构成回路，电阻R6，R7没有电流流通，mi采集到低电平，输入给单片机为逻辑“0”；

当mo输出为低电平时，A点电压为零，没有达到三极管KT1导通电压，三极管射极与基极之间无法导通，R3没有连接到GND，这样电阻R3与R4线路就没有电流流通，此时B点的电压值等同于VCC的电压值，R4两端没有形成压降，所以MOS管的G极与S极也没有形成负压，无法达到MOS管的导通阈值，MOS管的射极与源极不会导通，VCC没有加载到RD1上，电阻R5，R6，R7没有电流流过，mi采集到的电平就等同于GND，输入给单片机为逻辑“0”。

上述根据逻辑识别出开关量的状态如表1所示：

表1

虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。