高压串联可控硅双电源触发系统
阅读说明：本技术 高压串联可控硅双电源触发系统 (High-voltage series silicon controlled rectifier dual-power trigger system ) 是由 陈国成 张军军 董天平 杜小刚 徐颖 赵阳 薛超 李刚 叶荣微 于 2021-01-25 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种高压串联可控硅双电源触发系统,包括：全桥整流电路、稳压电路、电压转换电路、触发电路、稳态供电电路、暂态供电电路和可控硅接口；全桥整流电路将高压电缆中的电压整流成原始电压；稳压电路对原始电压进行稳压操作,得到暂态供电电压；电压转换电路对暂态供电电压进行电压转换,得到比暂态供电电压小的稳态供电电压；暂态供电电路将暂态供电电压传输给触发电路,稳态供电电路将稳态供电电压传输给触发电路,以使触发电路通过可控硅接口触发可控硅。采用本发明的技术方案,利用比暂态供电电压小的稳态供电电压为触发电路供电,能够降低触发电路中的电阻功率,这样便能降低整体的触发功率,从而实现节能。(The invention relates to a high-voltage series silicon controlled rectifier dual-power trigger system, which comprises: the power supply circuit comprises a full-bridge rectifier circuit, a voltage stabilizing circuit, a voltage conversion circuit, a trigger circuit, a steady-state power supply circuit, a transient power supply circuit and a silicon controlled interface; the full-bridge rectification circuit rectifies the voltage in the high-voltage cable into original voltage; the voltage stabilizing circuit performs voltage stabilizing operation on the original voltage to obtain a transient power supply voltage; the voltage conversion circuit performs voltage conversion on the transient power supply voltage to obtain a steady-state power supply voltage smaller than the transient power supply voltage; the transient power supply circuit transmits transient power supply voltage to the trigger circuit, and the steady-state power supply circuit transmits steady-state power supply voltage to the trigger circuit, so that the trigger circuit triggers the controllable silicon through the controllable silicon interface. By adopting the technical scheme of the invention, the trigger circuit is powered by the steady-state power supply voltage smaller than the transient-state power supply voltage, so that the resistance power in the trigger circuit can be reduced, the integral trigger power can be reduced, and the energy conservation is realized.)
技术领域
本发明涉及可控硅触发技术领域，具体涉及一种高压串联可控硅双电源触发系统。
背景技术
随着电力电子技术的飞速发展，可控硅软启动装置应运而生。可控硅是晶体闸流管的简称，又可称作可控硅整流器。可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
目前，高压软启可控硅触发系统中，有源驱动是通过磁环取能原理实现可控硅触发板供电。高压串联可控硅的触发需要强触发，通常是通过一根高压电缆穿越多片驱动板取能磁环进行取能，由于磁环不一致，会造成取能电压不平均，还需要进行稳压，从而将设计的原始电压(30V，具有分散性，范围25～35V)稳压到目标电压(18V)，从而保证高压串联可控硅触发后的正常工作。
但是，现有技术中，将30V原始电压稳压到18V目标电压后，利用18V电源供电，电阻功率较大，导致可控硅的触发功率较大，从而造成能源浪费。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高压串联可控硅双电源触发系统，以解决现有技术中将30V原始电压稳压到18V目标电压后，利用18V电源供电，电阻功率较大，导致可控硅的触发功率较大，从而造成能源浪费的问题。
为实现以上目的，本发明采用如下技术方案：
一种高压串联可控硅双电源触发系统，包括：全桥整流电路、稳压电路、电压转换电路、触发电路、稳态供电电路、暂态供电电路和可控硅接口；
所述全桥整流电路与所述稳压电路相连；
所述稳压电路分别与所述电压转换电路和所述暂态供电电路相连；
所述电压转换电路与所述稳态供电电路相连；
所述暂态供电电路和所述稳态供电电路分别与所述触发电路相连；
所述触发电路通过所述可控硅接口与可控硅相连；
所述全桥整流电路用于将高压电缆中的电压整流成原始电压；
所述稳压电路用于对所述原始电压进行稳压操作，得到暂态供电电压；
所述电压转换电路用于对所述暂态供电电压进行电压转换，得到稳态供电电压；
所述暂态供电电路用于将所述暂态供电电压传输给所述触发电路，所述稳态供电电路用于将所述稳态供电电压传输给所述触发电路，以使所述触发电路通过所述可控硅接口触发所述可控硅；
其中，所述稳态供电电压小于所述暂态供电电压。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统，还包括放电电路；
所述放电电路与所述暂态供电电路相连；
所述放电电路用于在每次进行可控硅触发前，对所述暂态供电电路进行电容放电操作，以保证所述暂态供电电路的持续工作。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述触发电路包括：触发光纤组件、驱动器和驱动电路；
所述触发光纤组件通过所述驱动器与所述驱动电路相连；
所述驱动电路分别与所述稳态供电电路、所述暂态供电电路和所述可控硅接口相连；
所述触发光纤组件用于将主控器发送的触发信号传输给所述驱动器，以使所述驱动器通过所述驱动电路触发与所述可控硅接口相连的可控硅。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述电压转换电路采用直流斩波电路。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述全桥整流电路包括：磁环、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容和第二电容；
所述磁环的第一端分别与所述第一二极管的第一端和所述第二二极管的第二端相连；
所述磁环的第二端分别与所述第三二极管的第一端和所述第四二极管的第二端相连；
所述第一二极管的第二端、所述第三二极管的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端分别与所述稳压电路的第一端相连；
所述第二二极管的第一端、所述第四二极管的第一端、所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端和所述稳压电路的第二端均接地。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述稳压电路包括：第一芯片、第五二极管、第六二极管、第三电容、第四电容、第五电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；
所述第一芯片的第一端分别与所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电容的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第六二极管的第一端相连；
所述第一芯片的第二端分别与所述第五二极管的第一端、所述第三电阻的第二端、所述第六二极管的第二端、所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端相连；
所述全桥整流电路生成的原始电压从所述第一芯片的第三端输入，所述第一芯片的第二端输出所述暂态供电电压，所述第一芯片的第二端与所述暂态供电电压对应的暂态供电电源相连，所述第一芯片的第一端与所述原始电压对应的原始电源相连；
所述第一芯片的第三端分别与所述第五二极管的第二端、所述第一二极管的第二端、所述第三二极管的第二端、所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端相连；
所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端、所述第三电容的第二端、所述第四电容的第二端和所述第五电容的第二端均接地。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述电压转换电路包括：第二芯片、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、电感和第一发光二极管；
所述第二芯片的第一端通过所述第八电容与所述第二芯片的第四端相连；
所述第二芯片的第二端和所述第六电容的第一端均与所述暂态供电电源相连；
所述第二芯片的第三端分别与所述第四电阻的第一端、所述第五电阻的第一端和所述第七电容的第一端相连；
所述第四电阻的第二端与所述原始电源相连；
所述第二芯片的第四端通过所述电感分别与所述第六电阻的第一端、所述第九电容的第一端、所述第十电容的第一端、所述第十一电容的第一端和所述第八电阻的第一端相连；
所述第二芯片的第四端通过所述电感输出所述稳态供电电压，所述第二芯片的第四端通过所述电感与所述稳态供电电压对应的稳态供电电源相连；
所述第二芯片的第五端分别与所述第六电阻的第二端、所述第七电阻的第一端和所述第九电容的第二端相连；
所述第八电阻的第二端与所述第一发光二极管的第一端相连；
所述第六电容的第二端、所述第五电阻的第二端、所述第七电容的第二端、所述第二芯片的第六端、所述第七电阻的第二端、所述第十电容的第二端、所述第十一电容的第二端和所述第一发光二极管的第二端均接地。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述稳态供电电路包括：第九电阻、第十电阻、第十二电容和第七二极管；
所述第九电阻的第一端与所述稳态供电电源相连；
所述第九电阻的第二端分别与所述第十二电容的第一端和所述第十电阻的第一端相连；
所述第十电阻的第二端与所述第七二极管的第一端相连；
所述第七二极管的第二端与所述驱动电路相连；
所述第十二电容的第二端接地。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述暂态供电电路包括：第十三电容、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻和第二发光二极管；
所述放电电路包括：第十四电阻和第十五电阻；
所述第十三电容的第一端、所述第十三电阻的第一端、所述第十四电阻的第一端和所述第十五电阻的第一端分别与所述暂态供电电源相连；
所述第十三电容的第二端分别与所述第十一电阻的第一端和所述第十二电阻的第一端相连；
所述第十三电阻的第二端与所述第二发光二极管的第一端相连；
所述第十一电阻的第二端、所述第十二电阻的第二端、所述第十四电阻的第二端、所述第十五电阻的第二端和所述第二发光二极管的第二端均与所述驱动电路相连。
进一步地，上述高压串联可控硅双电源触发系统中，所述触发光纤组件包括：光纤收发器和第十六电阻；
所述驱动电路包括：第十七电阻、第十八电阻、第十九电阻、第二十电阻、第十四电容、第八二极管、稳压二极管和MOS管；
所述光纤收发器的第一端分别与所述第十六电阻的第一端和所述稳态供电电源相连；
所述光纤收发器的第二端分别与所述第十六电阻的第二端和所述驱动器的第一端相连；
所述驱动器的第二端通过所述第十七电阻分别与所述稳压二极管的第二端所述第十八电阻的第一端和所述MOS管的第一端相连；
所述MOS管的第二端分别与所述第七二极管的第二端、所述第十一电阻的第二端、所述第十二电阻的第二端、所述第十四电阻的第二端、所述第十五电阻的第二端和所述第二发光二极管的第二端相连；
所述MOS管的第三端分别与所述第十九电阻的第一端、所述第二十电阻的第一端、所述第十四电容的第一端和所述第八二极管的第一端相连；
所述第八二极管的第二端与所述可控硅接口的第二端相连；
所述可控硅接口的第一端、所述第十四电容的第二端、所述第二十电阻的第二端、所述第十九电阻的第二端、所述第十八电阻的第二端、所述稳压二极管的第一端、所述驱动器的第三端和所述光纤收发器的第三端均接地。
一种高压串联可控硅双电源触发系统，包括：全桥整流电路、稳压电路、电压转换电路、触发电路、稳态供电电路、暂态供电电路和可控硅接口；全桥整流电路与稳压电路相连；稳压电路分别与电压转换电路和暂态供电电路相连；电压转换电路与稳态供电电路相连；暂态供电电路和稳态供电电路分别与触发电路相连；触发电路通过可控硅接口与可控硅相连；全桥整流电路用于将高压电缆中的电压整流成原始电压；稳压电路用于对原始电压进行稳压操作，得到暂态供电电压；电压转换电路用于对暂态供电电压进行电压转换，得到稳态供电电压；暂态供电电路用于将暂态供电电压传输给触发电路，稳态供电电路用于将稳态供电电压传输给触发电路，以使触发电路通过可控硅接口触发可控硅；其中，稳态供电电压小于暂态供电电压。采用本发明的技术方案，可以通过电压转换电路将暂态供电电压转换为电压更小的稳态供电电压，利用暂态供电电压和稳态供电电压实现触发电路的双电源模式，比暂态供电电压小的稳态供电电压为触发电路供电，能够降低触发电路中的电阻功率，这样便能降低整体的触发功率，从而实现节能。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的高压串联可控硅双电源触发系统一种实施例提供的电路框图；
图2是图1中全桥整流电路和稳压电路的电路图；
图3是图1中电压转换电路的电路图；
图4是图1中暂态供电电路、稳态供电电路、触发电路和放电电路的电路图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。
图1是本发明的高压串联可控硅双电源触发系统一种实施例提供的电路框图，如图1所示，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统包括：全桥整流电路101、稳压电路102、电压转换电路103、稳态供电电路105、暂态供电电路104、触发电路106和可控硅接口107。全桥整流电路101与稳压电路102相连；稳压电路102分别与电压转换电路103和暂态供电电路104相连；电压转换电路103与稳态供电电路105相连；稳态供电电路105和暂态供电电路104分别与触发电路106相连；触发电路106通过可控硅接口106与可控硅30相连。
本实施例中，全桥整流电路101可以将高压电缆中的电压整流成原始电压，稳压电路102对原始电压进行稳压操作，输出暂态供电电压。电压转换电路103可以对暂态供电电压进行电压转换，从而输出稳态供电电压。暂态供电电路104可以将稳压电路102输出的暂态供电电压传输给触发电路106，从而为触发电路106供电；稳态供电电路105也可以将电压转换电路103输出的稳态供电电压传输给触发电路106，从而为触发电路106供电。通过上述暂态供电电压和稳态供电电压的供电操作，触发电路106可以获取主控器20发送的触发信号，并触发可控硅接口107连接的可控硅30。其中，稳态供电电压小于暂态供电电压。
本实施例中，原始电压优选为30V的电压，但是其具有分散性，范围为25～35V，暂态供电电压优选为18V，稳态供电电压优选为5V。
本实施例中，利用稳态供电电路和暂态供电电路为触发电路供电，可以实现触发电路的双电源模式，暂态供电电路仅提供暂态供电电压对应的暂态电流，稳态供电电路可以提供稳态供电电压对应的稳态电流。稳态供电电压比暂态供电电压小，那么采用稳态供电电压为触发电路供电，相比于现有技术中仅仅采用暂态供电电压供电，触发电路中电阻功率较小，从而使得整体触发功率降低。例如，18V的供电电压与5V的供电电压对应的电阻功率相差大概3.6倍，触发功率可以从10W降低到3W。本实施例中，在10kV的高压软启可控硅系统中，每相组件中优选设置10只可控硅，因此每只可控硅均需要对应设置本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统，每个高压串联可控硅双电源触发系统均可减少60％的功率消耗，节能效果明显，从而还能降低高频电源容量。
进一步地，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统还包括放电电路108，放电电路108与暂态供电电路104相连。每只可控硅30在一个周波10ms内触发4ms，在每次对可控硅30进行触发前，放电电路108需要对暂态供电电路104进行电容放电操作，从而保证暂态供电电路104的持续工作。
进一步地，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统中，触发电路106包括：触发光纤组件1061、驱动器1062和驱动电路1063。触发光纤组件1061通过驱动器1062与驱动电路1063相连；驱动电路1063分别与稳态供电电路105、暂态供电电路104和可控硅接口107相连。触发光纤组件1061可以将主控器20发送的触发信号传输给驱动器1062，以使驱动器1062通过驱动电路1063触发与可控硅接口107相连的可控硅30。其中，稳态供电电路105和暂态供电电路104为驱动电路1063供电，以实现可控硅30的触发。
进一步地，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统中，电压转换电路103优选采用直流斩波电路，直流斩波电路采用的斩波DC-DC方式相比于现有技术中的线性稳压器的5V电源效率更高，能够提高本实施例中暂态供电电压和稳态供电电压的双电源模式的稳定性。
图2是图1中全桥整流电路和稳压电路的电路图，如图2所示，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统中，全桥整流电路101包括：磁环T、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一电容C1和第二电容C2；稳压电路102包括：第一芯片U1、第五二极管D5、第六二极管D6、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。其中，第一电容C1和第四电容C4均为有极性电容，第一芯片U1为线性稳压器，型号优选为LM317BGT。
磁环T的第一端分别与第一二极管D1的第一端和第二二极管D2的第二端相连；磁环T的第二端分别与第三二极管D3的第一端和第四二极管D4的第二端相连；第一二极管D1的第二端、第三二极管D3的第二端、第一电容C1的第一端和第二电容C2的第一端分别与第一芯片U1的第三端(引脚VIN)的第一端相连；第二二极管D2的第一端、第四二极管D4的第一端、第一电容C1的第二端和第二电容C2的第二端均接地。
第一芯片U1的第一端(引脚ADJ)分别与第一电阻R1的第一端、第二电阻R2的第一端、第三电容C3的第一端、第三电阻R3的第一端和第六二极管D6的第一端相连；第一芯片U1的第二端(引脚VOUT)分别与第五二极管D5的第一端、第三电阻R3的第二端、第六二极管D6的第二端、第四电容C4的第一端和第五电容C5的第一端相连；全桥整流电路101生成的原始电压从第一芯片U1的第三端(引脚VIN)输入，第一芯片U1的第二端(引脚VOUT)输出暂态供电电压，第一芯片U1的第二端(引脚VOUT)与暂态供电电压对应的暂态供电电源(Vcc2)相连，第一芯片U1的第一端(引脚ADJ)与原始电压对应的原始电源(VCC20)相连；第一芯片U1的第三端(引脚VIN)还与第五二极管D5的第二端相连；第一电阻R1的第二端、第二电阻R2的第二端、第三电容C3的第二端、第四电容C4的第二端和第五电容C5的第二端均接地。
另外，图2中的YH1为电子散热器，型号优选采用SRX-YK25。
图3是图1中电压转换电路的电路图，如图3所示，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统中，电压转换电路103包括：第二芯片U2、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、电感L和第一发光二极管LD1。其中，第二芯片U2为DC-DC转换器，型号优选采用SY8301ABC。
第二芯片U2的第一端(引脚BS)通过第八电容C8与第二芯片U2的第四端(引脚LX)相连；第二芯片U2的第二端(引脚IN)和第六电容C6的第一端均与暂态供电电源(Vcc2)相连；第二芯片U2的第三端(引脚EN)分别与第四电阻R4的第一端、第五电阻R5的第一端和第七电容C7的第一端相连；第四电阻R4的第二端与原始电源(VCC20)相连；第二芯片U2的第四端(引脚LX)通过电感L分别与第六电阻R6的第一端、第九电容C9的第一端、第十电容C10的第一端、第十一电容C11的第一端和第八电阻R8的第一端相连；第二芯片U2的第四端(引脚LX)通过电感L输出稳态供电电压，因此第二芯片U2的第四端(引脚LX)通过电感L与稳态供电电压对应的稳态供电电源(5V)相连；第二芯片U2的第五端(引脚FB)分别与第六电阻R6的第二端、第七电阻R7的第一端和第九电容C9的第二端相连；第八电阻R8的第二端与第一发光二极管LD1的第一端相连；第六电容C6的第二端、第五电阻R5的第二端、第七电容C7的第二端、第二芯片U2的第六端(引脚GND)、第七电阻R7的第二端、第十电容C10的第二端、第十一电容C11的第二端和第一发光二极管LD1的第二端均接地。
图4是图1中暂态供电电路、稳态供电电路、触发电路和放电电路的电路图。如图4所示，本实施例的高压串联可控硅双电源触发系统中，稳态供电电路105包括：第九电阻R9、第十电阻R10、第十二电容C12和第七二极管D7；暂态供电电路104包括：第十三电容C13、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13和第二发光二极管LD2；放电电路108包括：第十四电阻R14和第十五电阻R15。触发光纤组件1061包括：光纤收发器FR和第十六电阻R16；驱动电路1063包括：第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第十四电容C14、第八二极管D8、稳压二极管DZ和MOS管Q。其中，芯片U3为驱动器1062，型号优选采用IXDF602SIA。第十二电容C12为有极性电容。
第九电阻R9的第一端与稳态供电电源(5V)相连；第九电阻R9的第二端分别与第十二电容C12的第一端和第十电阻R10的第一端相连；第十电阻R10的第二端与第七二极管D7的第一端相连；第七二极管D7的第二端与MOS管Q的第二端相连；第十二电容C12的第二端接地。
第十三电容C13的第一端、第十三电阻R13的第一端、第十四电阻R14的第一端和第十五电阻R15的第一端分别与暂态供电电源(Vcc2)相连；第十三电容C13的第二端分别与第十一电阻R11的第一端和第十二电阻R12的第一端相连；第十三电阻R13的第二端与第二发光二极管LD2的第一端相连；第十一电阻R11的第二端、第十二电阻R12的第二端、第十四电阻R14的第二端、第十五电阻R15的第二端和第二发光二极管LD2的第二端均与MOS管Q的第二端相连。其中，第十四电阻R14和第十五电阻R15作为放电电路，可以在每次进行可控硅触发前，对第十三电容C13进行放电。
光纤收发器FR的第一端分别与第十六电阻R16的第一端和稳态供电电源(5V)相连；光纤收发器FR的第二端分别与第十六电阻R16的第二端和驱动器1062的第一端(引脚INA)相连；驱动器1062的第二端(引脚)通过第十七电阻R17分别与稳压二极管DZ的第二端第十八电阻R18的第一端和MOS管Q的第一端相连；MOS管Q的第三端分别与第十九电阻R19的第一端、第二十电阻R20的第一端、第十四电容C14的第一端和第八二极管D8的第一端相连；第八二极管D8的第二端与可控硅接口107的第二端相连；可控硅接口107的第一端、第十四电容C14的第二端、第二十电阻R20的第二端、第十九电阻R19的第二端、第十八电阻R18的第二端、稳压二极管DZ的第一端、驱动器1062的第三端(引脚GND和引脚INB)和光纤收发器FR的第三端均接地。
另外，驱动器1062的引脚VCC分别与暂态供电电源(Vcc2)和第十五电容C15的第一端相连，第十五电容C15的第二端接地。第十六电容C16的第一端和第十七电容C17的第一端均与稳态供电电源(5V)相连，第十六电容C16的第二端和第十七电容C17的第二端均接地。
可以理解的是，上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考，在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指至少两个。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：反激式变换器的控制电路及控制方法