具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

本发明的一个方面，如图1所示，提供一种芯片的封装结构的制备方法S100，方法S100包括：

S110、提供承载片。

示例性的，一并结合图2，提供一承载片110，承载片110包括沿其厚度方向相对设置的第一表面111和第二表面112。在本步骤中，承载片110可以是硅、玻璃、金属、有机基板等材料的平板，本领域技术人员也可以根据实际需要，选择其他材料的承载片，本实施例对此并不限制。

S120、在所述承载片沿其厚度方向的第一表面依次形成至少一层第一钝化层以及至少一层第二钝化层，所述第二钝化层与所述第一钝化层交替间隔设置。

示例性的，在本步骤中，可以先在承载片沿其厚度方向的第一表面形成一层第一钝化层，然后在该第一钝化层形成金属布线之后，再在该第一钝化层上形成一层第二钝化层。或者，也可以在形成第一层第一钝化层、第一层金属布线以及第一层第二钝化层之后，再在该第一层第二钝化层上形成第二层第一钝化层，然后在该第二层第一钝化层形成第二层金属布线，之后，再在该第二层第一钝化层上形成第二层第二钝化层。也就是说，第二钝化层与第一钝化层交替间隔设置，第一钝化层以及第二钝化层可以均只有一层，也可以均有两层、三层等多层，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。下文将以第一钝化层以及第二钝化层均有两层为例结合附图进行具体说明。

如图2所示，在承载片110的第一表面111形成第一钝化层121。在本步骤中，形成第一钝化层的工艺，可以是沉积、溅射等工艺，也可以是其他工艺，本实施例对此并不限制。第一钝化层可以是二氧化硅、氮化硅、聚合物胶等材质，也可以是其他材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。需要说明的是，本实施例并不限制第一钝化层的具体厚度，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

S130、图形化所述第一钝化层以形成第一过孔，在所述第一过孔中形成金属层，每层所述金属层的厚度均大于其对应层的所述第一钝化层的厚度。

示例性的，在本步骤中，如图2所示，图形化第一钝化层121以形成第一过孔121a，具体可以采用以下方式：首先在第一钝化层121上形成图形化的第一掩膜层，之后，以所述第一掩膜层为掩膜，在合适的位置刻蚀第一钝化层121，形成第一过孔121a。第一掩膜层的材料可以是光刻胶，也可以根据实际需要选择其他材料，本实施例对此并不限制。刻蚀第一钝化层的工艺可以选择干法刻蚀工艺，也可以选择其他工艺，本实施例对此并不限制。当然，本领域技术人员也可以选择其他方式图形化所述第一钝化层以形成第一过孔，本实施例对此并不限制。

示例性的，在本步骤中，如图3所示，可以采用电镀、化学镀、溅射、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、大气压化学气相沉积或电子回旋谐振化学气相沉积等工艺在第一过孔121a中形成金属层131，金属层131的厚度大于其对应层的第一钝化层121的厚度。当然，本领域技术人员也可以选择其他方式在第一过孔中形成金属层，本实施例对此并不限制。

S140、将各高于所述第一钝化层的金属去除，使余留部分的所述金属层与其对应的所述第一钝化层齐平，获得各层金属布线。

优选的，所述将各高于所述第一钝化层的金属去除，包括：

通过研磨工艺将各高于所述第一钝化层的金属去除。

示例性的，在本步骤中，如图4所示，可以通过化学机械研磨(CMP)等研磨工艺将高于第一钝化层121的金属去除，使余留部分的金属层与其对应的第一钝化层121齐平，获得金属布线131a。当然，本领域技术人员也可以通过其他方式将高于所述第一钝化层的金属去除，本实施例对此并不限制。

需要说明的是，在本步骤中，金属布线可以只有一层，也可以有两层、三层等多层，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。

在本步骤中，各层的金属布线与其对应的第一钝化层齐平，使得金属布线与其对应的第一钝化层的表面平整，提高了第一钝化层的精度，降低了对金属布线的线宽的要求，使得金属布线的线宽最小可以达到1μm。

示例性的，如图5所示，在第一钝化层121上形成第二钝化层141。在本步骤中，形成第二钝化层的工艺，可以是沉积、溅射等工艺，也可以是其他工艺，本实施例对此并不限制。第二钝化层可以是二氧化硅、氮化硅、聚合物胶等材质，也可以是其他材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。需要说明的是，本实施例并不限制第二钝化层的具体厚度，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

S150、图形化所述第二钝化层以形成第二过孔，各层所述金属布线之间通过所述第二过孔电连接。

示例性的，在本步骤中，如图5所示，图形化第二钝化层141以形成第二过孔141a，具体可以采用以下方式：首先在第二钝化层141上形成图形化的第二掩膜层，之后，以所述第二掩膜层为掩膜，在合适的位置刻蚀第二钝化层141，形成第二过孔141a。第二掩膜层的材料可以是光刻胶，也可以根据实际需要选择其他材料，本实施例对此并不限制。刻蚀第二钝化层的工艺可以选择干法刻蚀工艺，也可以选择其他工艺，本实施例对此并不限制。当然，本领域技术人员也可以选择其他方式图形化所述第二钝化层以形成第二过孔，本实施例对此并不限制。

示例性的，如图6所示，可以在第二钝化层141上再形成一层第一钝化层122，图形化第一钝化层122以形成第一过孔122a。之后，如图7所示，在第二过孔141a以及第一过孔122a中形成金属层132，金属层132的厚度大于其对应层的第一钝化层122的厚度。之后，如图8所示，将高于第一钝化层122的金属去除，使余留部分的金属层与其对应的第一钝化层122齐平，获得金属布线132a，金属布线132a通过第二过孔141a与金属布线131a电连接。之后，如图9所示，在第一钝化层122上形成第二钝化层142，图形化第二钝化层142以形成第二过孔142a。在本步骤中，形成第一钝化层122、第一过孔122a、金属层132、金属布线132a、第二钝化层142以及第二过孔142a的具体步骤可以参考前文记载，在此不作赘述。

S160、在最顶层的所述第二钝化层上形成金属凸块，所述金属凸块通过所述第二过孔与各层所述金属布线电连接，以制备得到封装结构。

示例性的，在本步骤中，如图10所示，可以通过溅射、电镀、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、大气压化学气相沉积或电子回旋谐振化学气相沉积等工艺在第二钝化层142上形成金属凸块150，金属凸块150通过第二过孔142a与金属布线132a电连接，并通过第二过孔141a与金属布线131a电连接。当然，本领域技术人员也可以通过其他方法在第二钝化层上形成金属凸块，本实施例对此并不限制。金属凸块150的线宽与线距可以分别为5μm～300μm，也可以根据实际需要进行设置，本实施例对此并不限制。金属凸块150的高度范围可以是5μm～20μm，也可以根据实际需要进行设置，本实施例对此并不限制。

本实施例可以使各层金属布线与其对应的第一钝化层的表面平整，提高第一钝化层的精度，降低了对金属布线的线宽的要求，金属布线的线宽最小可达到1μm。

优选的，所述金属布线的线宽大于等于1μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的线宽可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的线宽可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的线宽可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线宽的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的线距大于等于1μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的线距可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的线距可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的线距可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线距的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的厚度大于等于1μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的厚度可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的厚度的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的线宽范围为1μm～5μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的线宽范围可以均为1μm～5μm。例如，金属布线131a的线宽可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等，金属布线132a的线宽可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线宽的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的线距范围为1μm～5μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的线距范围可以均为1μm～5μm。例如，金属布线131a的线距可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等，金属布线132a的线距可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线距的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的厚度范围为1μm～2μm。

示例性的，如图10所示，金属布线131a以及金属布线132a的厚度范围可以均为1μm～2μm。例如，金属布线131a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是1.5μm等等，金属布线132a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是1.5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的厚度的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，方法S100还包括：

在所述金属凸块上形成第三钝化层。

示例性的，在本步骤中，如图11所示，在金属凸块150上形成第三钝化层160。在本步骤中，形成第三钝化层的工艺，可以是沉积、溅射等工艺，也可以是其他工艺，本实施例对此并不限制。第三钝化层可以是聚合物胶、二氧化硅、氮化硅等材质，也可以是其他材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。第三钝化层的厚度范围可以是5μm～30μm，例如，第三钝化层的厚度可以是5μm，也可以是30μm，还可以是10μm、15μm、20μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定第三钝化层的具体厚度，本实施例对此并不限制。

图形化所述第三钝化层以将部分所述金属凸块暴露出。

示例性的，在本步骤中，如图11所示，图形化第三钝化层160以将部分金属凸块150暴露出，具体可以采用以下方式：首先在第三钝化层160上形成图形化的第三掩膜层，之后，以所述第三掩膜层为掩膜，在合适的位置刻蚀第三钝化层160，以将部分金属凸块150暴露出。第三掩膜层的材料可以是光刻胶，也可以根据实际需要选择其他材料，本实施例对此并不限制。刻蚀第三钝化层的工艺可以选择干法刻蚀工艺，也可以选择其他工艺，本实施例对此并不限制。当然，本领域技术人员也可以选择其他方式图形化所述第三钝化层以将部分所述金属凸块暴露出，本实施例对此并不限制。

在所述暴露出的金属凸块上形成焊球。

示例性的，如图12所示，在本步骤中，可以通过植球、印刷、电镀、化学镀等工艺在暴露出的金属凸块150上形成焊球170。当然，本领域技术人员也可以通过其他工艺在所述暴露出的金属凸块上形成焊球，本实施例对此并不限制。

本实施例通过在暴露出的金属凸块上形成焊球，可以方便封装结构的后续使用。

本发明的另一个方面，提供一种芯片的封装结构，该封装结构包括承载片、至少一层第一钝化层、至少一层第二钝化层、至少一层金属布线以及金属凸块。该封装结构可以采用前文记载的制备方法制作形成，具体可以参考前文相关记载，在此不作赘述。

示例性的，如图12所示，一种芯片的封装结构100，可以包括承载片110、第一钝化层121、第二钝化层141、第一钝化层122、第二钝化层142、金属布线131a、金属布线132a以及金属凸块150。也就是说，封装结构100包括两层第一钝化层、两层第二钝化层以及两层金属布线。其中，第二钝化层与第一钝化层交替间隔设置在承载片110沿其厚度方向的第一表面111。第一钝化层121设置有第一过孔121a，第二钝化层141设置有第二过孔141a。金属布线131a设置在对应的第一过孔121a中，金属布线131a与其对应的第一钝化层121齐平。类似的，第一钝化层122设置有第一过孔122a，第二钝化层142设置有第二过孔142a。金属布线132a设置在对应的第一过孔122a中，金属布线132a与其对应的第一钝化层122齐平，金属布线132a与金属布线131a之间通过第二过孔141a电连接。金属凸块150设置在最顶层的第二钝化层142上，金属凸块150通过第二过孔142a与金属布线132a电连接，并通过第二过孔141a与金属布线131a电连接。金属凸块150的线宽与线距可以分别为5μm～300μm，也可以根据实际需要进行设置，本实施例对此并不限制。金属凸块150的高度范围可以是5μm～20μm，也可以根据实际需要进行设置，本实施例对此并不限制。

需要说明的是，本实施例中的第一钝化层、第二钝化层以及金属布线均可以只有一层，也可以均有两层、三层等多层，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本实施例对此并不限制。

需要说明的是，本实施例并不限定各个结构的具体材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。例如，承载片可以是硅、玻璃、金属、有机基板等材质，也可以是其他材质，第一钝化层可以是二氧化硅、氮化硅、聚合物胶等材质，也可以是其他材质，第二钝化层可以是二氧化硅、氮化硅、聚合物胶等材质，也可以是其他材质，本实施例对此并不限制。

本实施例的芯片的封装结构，可以使各层金属布线与其对应的第一钝化层的表面平整，提高第一钝化层的精度，降低了对金属布线的线宽的要求，金属布线的线宽最小可达到1μm。

优选的，所述金属布线的线宽大于等于1μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的线宽可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的线宽可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的线宽可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线宽的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的线距大于等于1μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的线距可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的线距可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的线距可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线距的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，所述金属布线的厚度大于等于1μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的厚度可以均大于等于1μm。例如，金属布线131a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等，金属布线132a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是3μm、4μm、5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的厚度的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，金属布线的线宽范围为1μm～5μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的线宽范围可以均为1μm～5μm。例如，金属布线131a的线宽可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等，金属布线132a的线宽可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线宽的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，金属布线的线距范围为1μm～5μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的线距范围可以均为1μm～5μm。例如，金属布线131a的线距可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等，金属布线132a的线距可以是1μm，也可以是5μm，还可以是2μm、3μm、4μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的线距的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，金属布线的厚度范围为1μm～2μm。

示例性的，如图12所示，金属布线131a以及金属布线132a的厚度范围可以为1μm～2μm。例如，金属布线131a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是1.5μm等等，金属布线132a的厚度可以是1μm，也可以是2μm，还可以是1.5μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定金属布线的厚度的具体数值，本实施例对此并不限制。

优选的，如图12所示，封装结构100还包括第三钝化层160以及焊球170。第三钝化层160设置在金属凸块150上，第三钝化层160设置有第三过孔160a。第三钝化层的厚度范围可以是5μm～30μm，例如，第三钝化层160的厚度可以是5μm，也可以是30μm，还可以是10μm、15μm、20μm等等。当然，本领域技术人员也可以根据实际需要设定第三钝化层的具体厚度，本实施例对此并不限制。焊球170设置在第三过孔160a中，并与金属凸块150电连接。

需要说明的是，本实施例并不限定各个结构的具体材质，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。例如，第三钝化层可以是二氧化硅、氮化硅等材质，也可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)等聚合物胶，还可以是其他材质，本实施例对此并不限制。

本实施例通过设置第三钝化层以及焊球，可以方便封装结构的后续使用。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。