一种耐高温大功率快插式smp负载

文档序号:720465 发布日期:2021-04-16 浏览:22次 >En<

阅读说明:本技术 一种耐高温大功率快插式smp负载 (High-temperature-resistant high-power quick-plugging SMP load ) 是由 戴林华 周敏 陈黎丽 于 2020-12-31 设计创作,主要内容包括:本发明公开了一种耐高温大功率快插式SMP负载,包括SMP型快插阴接头,接地夹,负载片,内芯腔体和盖板;SMP型快插阴接头,内芯腔体,盖板依次固定连接;负载片通过接地夹固定于内芯腔体内并与SMP型快插阴接头进行导通;其中,负载片为氧化铍介质基片;氧化铍介质基片表面增设有一层致密电阻膜层,本方案通过在内芯腔体内设置负载片并在负载片上增设一层致密电阻膜层能够达到大功率,耐高温的性能;其次本方案结构组装非常方便,并且通过SMP型快插阴接头能够快速插拔。(The invention discloses a high-temperature-resistant high-power quick-plug type SMP load, which comprises an SMP type quick-plug female connector, a grounding clamp, a load sheet, an inner core cavity and a cover plate; the SMP type quick-plug female connector, the inner core cavity and the cover plate are fixedly connected in sequence; the load sheet is fixed in the inner core cavity through the grounding clamp and is communicated with the SMP type quick plug female connector; wherein, the load sheet is a beryllium oxide medium substrate; the compact resistance film layer is additionally arranged on the surface of the beryllium oxide medium substrate, and the scheme can achieve the performances of high power and high temperature resistance by arranging the load sheet in the inner core cavity and additionally arranging the compact resistance film layer on the load sheet; secondly this scheme structure equipment is very convenient to insert female joint through the SMP type soon can quick plug.)

一种耐高温大功率快插式SMP负载

技术领域

本发明涉及电子元件技术领域,具体涉及一种耐高温大功率快插式SMP负载。

背景技术

同轴固定负载是微波元件的一种,广泛应用在微波通讯、雷达等设备中,目前,中国大力建设5G网络,5G采用“中低频宏基站+高频小基站”的组网覆盖模式,其中小基站将以超密集组网方式部署,对快速插拔,耐高温大功率的负载需求将大幅增长。特别是为了提供泛在、融合网络,5G采用了多项新型关键技术,对快速插拔、耐高温大功率器件的要求和依赖性进一步提升,但中国5G高频器件的国产化水平与国外存在显著差距,随着5G技术在商用关键时期的深入布局,快速插拔、耐高温大功率器件的重要性日益凸显。

由此可见,针对5G技术的深入,现急需提供一种耐高温大功率快插式SMP负载。

发明内容

针对于现有技术存在功率低且不耐温的技术问题,本方案的目的在于提供一种耐高温大功率快插式SMP负载,其具有大功率,耐高温的特点,很好的解决了上述的技术问题。

为了达到上述目的,本发明提供的耐高温大功率快插式SMP负载,包括SMP型快插阴接头,内芯腔体和盖板;所述SMP型快插阴接头,内芯腔体,盖板依次固定连接;还包括负载片和接地夹;所述负载片通过接地夹固定于内芯腔体内并与SMP型快插阴接头进行导通。

进一步地,所述负载片为氧化铍介质基片;所述氧化铍介质基片表面增设有一层致密电阻膜层。

进一步地,所述内芯腔体设有用于放置负载片的安置槽;所述内芯腔体的一端设有第一连接端并与SMP型快插阴接头进行过盈连接;另一端设有第二连接端并与盖板进行过盈连接;所述第一连接端与第二连接端通过过盈装配将SMP型快插阴接头和盖板进行限位。

进一步地,所述安置槽的宽度大于负载片的宽度。

进一步地,所述内芯腔体外表面设有用于固定快插式SMP负载的若干通孔。

进一步地,所述负载片具有四个连接端,其中两端为微带传输线输入端和微带传输线输出端并分别与SMP型快插阴接头和盖板进行连接;所述负载片另外两端分别通过接地夹紧固在内芯腔体的安置槽内。

进一步地,所述微带传输线输入端,微带传输线输出端和SMP型快插阴接头为同心轴设置。

本发明提供的一种耐高温大功率快插式SMP负载,其通过在负载片上增设一层致密电阻膜层能够达到大功率,耐高温的性能。

附图说明

以下结合附图和

具体实施方式

来进一步说明本发明。

图1为本快插式SMP负载的结构示意图;

图2为本快插式SMP负载中负载片的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。

本方案提供的一种耐高温大功率快插式SMP负载,其包括SMP型快插阴接头100,接地夹200,负载片300,内芯腔体400和盖板500。

其中,SMP型快插阴接头100为快插式接头,其用于外部设备连接时快插拔,节约测试时间。

SMP新型快插阴接头100固定设置在内芯腔体400的一端。SMP新型快插阴接头100的一端设有弹性接触帽,位于内芯腔体400的内部,用于实现负载片300与SMP型快插阴接头100的信号联通。

内芯腔体400内部开设有安置槽,用于安装负载片300,其中,安置槽的宽度比负载片300的稍宽。

在内芯腔体400一端设有第一连接端,另一端设有第二连接端。第一连接端与SMP新型快插阴接头100进行过盈连接;第二连接端与盖板500进行过盈连接。

这里第一连接端与第二连接端的构成不做限定,可以为光孔,在具体应用时,可根据实际情况而定。

其次,内芯腔体400的外表面设有若干个通孔600,用于将快插式SMP负载整体固定在所需的场所。

盖板500位于内芯腔体内400并与内芯腔体400的第二连接端进行固定连接,盖板500与内芯腔体400通过过盈装备被内芯腔体400顶住,从而实现接地,保证了整个装置内的安全性。

SMP型快插阴接头100,内芯腔体400和盖板500依次通过固定连接构成整体结构固定;内芯腔体400的第一连接端和第二连接端通过过盈压配的方式将SMP型快插阴接头100和盖板500进行限位,有利于抵抗外界的震动和抖动所引起的错位,保证指标的稳定性。

负载片300安装于内芯腔体400的安置槽内。

其中,负载片300为氧化铍介质基片310,本方案中在氧化铍介质基片310的上表面设有一层致密电阻膜层320,致密电阻膜层320具体可通过厚膜工艺直接高频溅射在氧化铍介质基片310上。

通过在氧化铍介质基片310上表面在增设一层致密电阻膜层320,由此设计构成的负载片300,使得负载的阻抗可达到50Ω,功率可达10W,耐高温可达250摄氏度。

负载片300上有4个连接端;其中,在负载片300的两端设有微带传输线输入端和微带传输线输出端,微带传输线输入端和微带传输线输出端形成传输导体。微带传输线输入端和微带传输线输出端分别与SMP型快插阴接头100和盖板500连接。

同时,微带传输线输入端和微带传输线输出端和SMP型快插阴接头100为同心轴设置,这样外部信号,可通过SMP型快插阴接头100输入,经过负载片300能够吸收全部功率。

接地夹200用于固定负载片300的另两端。

接地夹200为弹性元件,界面为喇叭口状,负载片的另两个连接端通过接地夹200固定在内芯腔体400安置槽内。负载片的两端连接端分别通过接地夹200插装在内芯腔体400的安置槽内,这样使得负载片300和内芯腔体400可形成一整体结构,更有利于散热。

由上述方案构成快插式SMP负载通过将SMP型快插阴接头100,内芯腔体400和盖板500依次固定连接,形成整体结构固定;内芯腔体400两端通过过盈压配的方式将SMP型快插阴接头100和盖板500进行限位,有利于抵抗外界的震动和抖动所引起的错位,保证指标的稳定性。

通过接地夹200安装于内芯腔体400内的负载片300,通过在氧化铍介质基片310上镀一层致密电阻膜层320能够达到大功率,耐高温的性能。

本方案结构组装非常方便,并且通过SMP型快插阴接头100可以实现快速插拔。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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