具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

图1示出了本申请一实施例提供的光刻曝光方法，参照图1，该光刻曝光方法包括以下步骤：

步骤S1：将晶片的目标面划分为曝光阵列，该曝光阵列包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布。

图2示出晶片目标面100划分为曝光阵列200的示意图，参照图2，该曝光阵列覆盖该晶片的目标面100，该曝光阵列200包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布。需要解释的是，步骤S1中的曝光阵列是在光刻机台中，对晶片的目标面预先拟定的，用于引导曝光的规划，而并非实际形成于晶片目标面上的物理结构。其中晶片的目标面指的是该晶片用于曝光的一侧表面。每个曝光区域所限定的晶片目标面的范围，为一次曝光的范围。

对于该曝光阵列，其中的每个曝光区域具有唯一的位置标识码，该位置标识码能够表示曝光区域在该曝光阵列中对应的位置。

步骤S2：确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域。

所述步骤S2：确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域，包括：

首先，在曝光阵列中确定目标量测曝光区域；其中，用于选定进行光刻图形关键尺寸量测的曝光区域为目标量测曝光区域；对于同一批次进行曝光的晶片，其曝光阵列排布相同，目标量测曝光区域在曝光阵列中的具体位置相同，且预先设定于机台中。

然后，在曝光阵列中，确定除目标量测曝光区域以外的曝光区域，为其他曝光区域。

对于该其他曝光区域，其对应的晶片目标面范围，会经历多次曝光，一次曝光时包括曝光能量等曝光参数一致。在后续步骤中，对所述其他曝光区域进行的光刻曝光的次数可以根据具体情况确定，但是需要使得对其他曝光区域的曝光完成后，光学系统的曝光温度维持稳定。

图3示意出了该曝光矩阵一实施例中其他曝光区域和目标量测曝光区域，在该曝光阵列上的分布示意图。参照图3，本实施例从该曝光矩阵200中确定九个目标量测曝光区域M1至M9，该九个目标量测曝光区域M1至M9分布在该曝光矩阵200的中心，和以中心为圆心的圆形四周上。由于目标量测曝光区域M1至M9，在后续中需要用于进行光刻图形关键尺寸量测。以一片晶片为例，目标量测曝光区域处形成的光刻图形平均关键尺寸，作为该晶片的平均关键尺寸，因此仅对该目标量测曝光区域进行单次曝光，以避免影响量测的准确性。

步骤S3：依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。

本实施例中可以对图3所示的其他曝光区域210，分别进行四次光刻曝光，一次曝光时包括曝光能量等曝光参数一致，使得曝光完成后光学系统的曝光温度维持稳定。

步骤S4：对所述目标量测曝光区域进行光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。

所述步骤S4，若目标量测曝光区域包括多个，应当依次对各个目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形，直至光刻曝光完一片晶片的所有的目标量测曝光区域。

由于在进行步骤S4之前，光学系统的曝光温度维持稳定，从而能够使得对于同一批次的不同晶片，在各晶片目标量测曝光区域处形成的光刻图形，其关键尺寸相近，不会出现前后片图形CD会呈现逐渐下降的态势。

在步骤S4之后进行显影，显影后还进行步骤S5：量测目标量测曝光区域处光刻图形的关键尺寸。

图4示出了通过一批晶片通过相关技术光刻曝光后，其光刻图形关键尺寸均值的变化趋势图。图4的横坐标表示晶片顺序代码，晶片顺序代码越小，越早曝光，即横坐标由左往右顺序代码逐渐变大，表示顺序代码对应的晶片被曝光的时间逐渐靠后；纵坐标表示晶片光刻图形的平均关键尺寸，单位为纳米(nm)。从图4中可以看出，随着晶片顺序代码逐渐增大，晶片光刻图形的平均关键尺寸平均值出现下降趋势，即在先曝光晶片的图形关键尺寸平均值较大。

图5示出了一批晶片通过本申请实施例提供的光刻曝光方法，和相关技术提供的光刻曝光方法，光刻曝光后，其光刻图形关键尺寸均值的变化趋势图对比图。

图5的横坐标表示晶片顺序代码，晶片顺序代码越小，越早曝光，即横坐标由左往右顺序代码逐渐变大，表示顺序代码对应的晶片被曝光的时间逐渐靠后；纵坐标表示晶片光刻图形的平均关键尺寸，单位为纳米(nm)。图5中，曲线A示出了，通过本申请实施例提供的光刻曝光方法后，一批晶片中的第一片晶片W1至第八片晶片W8中，各个晶片的光刻图形平均关键尺寸变化曲线；曲线B示出了，通过相关技术提供的光刻曝光方法后，一批晶片中的顺序代码为1至8的晶片，各个晶片的光刻图形平均关键尺寸变化曲线。

由曲线B可以看出，在顺序代码为1至4的晶片，其各个晶片的光刻图形平均关键尺寸在416nm上下浮动；而顺序代码为5至8的晶片，其各个晶片的光刻图形平均关键尺寸在408nm上下浮动。顺序代码为1至4的晶片与顺序代码为5至8的晶片，两者的光刻图形平均关键尺寸偏差已经超过误差允许的范围，从而一定程度上反应相关技术提供的光刻曝光方法，在光刻曝光的前期，曝光效果稳定较差。

由曲线A可以看出随着晶片顺序代码逐渐变大逐渐增大，各个晶片的光刻图形平均关键尺寸变化不大，在402nm的上下浮动(399nm至405nm)。因此，本申请实施例提供的光刻曝光方法解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。使得对目标量测曝光区域的曝光效果稳定，避免误导机台对光刻表现的判断。

通过以上所述可以看出，本申请通过将晶片的目标面划分为曝光阵列，该曝光阵列包括若干个曝光区域，若干个所述曝光区域呈阵列式排布；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。能够使得最终对于同一批次的不同晶片，在各晶片目标量测曝光区域处形成的光刻图形，其关键尺寸相近，不会出现前后片图形CD会呈现逐渐下降的态势。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。