制造半导体器件的方法
阅读说明：本技术 制造半导体器件的方法 (Method for manufacturing semiconductor device ) 是由 訾安仁 张庆裕 林进祥 于 2020-09-09 设计创作，主要内容包括：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法,包括在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层。在半导体衬底的第一主表面之上形成含金属光致抗蚀剂层。去除第一保护层,并且将含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射。在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第二保护层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经图案化的光致抗蚀剂层,并且去除第二保护层。(The present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device. A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first protective layer over an edge portion of a first main surface of a semiconductor substrate. A metal-containing photoresist layer is formed over a first major surface of a semiconductor substrate. The first protective layer is removed and the metal-containing photoresist layer is selectively exposed to actinic radiation. A second protective layer is formed over an edge portion of the first main surface of the semiconductor substrate. The selectively exposed photoresist layer is developed to form a patterned photoresist layer, and the second protective layer is removed.)
技术领域
本公开总体涉及制造半导体器件的方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)行业经历了快速的增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了数代IC，其中每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了IC加工和制造的复杂性，并且对于要实现的这些进步，需要IC加工和制造中的类似发展。在集成电路发展的过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常在增加，而几何尺寸(即可以使用制造工艺产生的最小部件(或线))在减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小还增加了IC加工和制造的复杂性，并且对于要实现的这些进步，需要IC加工和制造中的类似发展。在一个实例中，实施先进的光刻图案化技术以在半导体晶圆上形成各种图案，例如栅极电极和金属线。光刻图案化技术包括在半导体晶圆的表面上涂覆抗蚀剂材料。
现有的抗蚀剂涂覆方法(例如旋涂)在包括晶圆边缘的晶圆的所有区域上，甚至在晶圆的背面形成抗蚀剂材料。在涂覆工艺和后续工艺(例如显影)期间，晶圆的边缘和背面的抗蚀剂材料会导致各种与污染有关的问题和困扰，例如污染涂覆器卡盘或轨道。抗蚀剂材料在晶圆边缘上的积累会干扰晶圆边缘上的图案化稳定性，并在光刻工艺期间导致错误的水平读数。例如，在斜面和背面上存在抗蚀剂材料不仅增加了高热点的概率，而且还可能污染后续的工艺工具。在其他实例中，现有的涂覆工艺在晶圆边缘和斜面处具有高抗蚀剂残留物，这可能引起抗蚀剂剥离并导致较差良率。使用或提出了各种方法来解决这些问题，例如边缘珠冲洗(edge bead rinse)、背面冲洗和附加涂层。然而，边缘珠冲洗和背面冲洗产生不希望的隆起，这是随后工艺中潜在的缺陷源。在其他情况下，附加涂层还会对晶圆和光刻系统造成污染，或者对生产吞吐量具有额外的效率和有效性问题。因此，期望提供一种没有上述缺点的系统及其利用方法。
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