具体实施方式

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下面结合各附图，对本发明做详细描述。

实施例1

参看附图1，一种晶体温度控制方法，包括支架、温度传感器6、变频控制驱动器7以及温控器4，温控器4跟支架相接，变频控制驱动器7与温控器4相接，温度传感器6的接口跟变频控制驱动器7相接，温度传感器6的探头跟支架相接，变频控制驱动器7用于驱动温控器4的触发频率，变频控制驱动器7触发时的脉冲宽度不变。

本种晶体3温度控制方法中，温度传感器6用于获取支架的温度，控温器用于对支架加热，支架用于放置晶体3，变频控制驱动器7通过温度传感器6探测支架的温度，来驱动温度控制的触发频率，模拟电流大小来驱动温控器4，温控器4对支架进行加热，其中触发时的脉冲宽度不变，从而达到对晶体3温度高精度的要求。而变频方式实现不同种类晶体3对温度范围的要求。本方法提高了不同晶体3对温度的适用范围和能力。

如图1的截面所示，晶体3被放置在盖支架1和托支架2中间的安装槽内紧密结合，晶体为长方体，截面为正方形。

如图1的截面所示，温控器4被放置在托支架2和底坐5之间紧密结合。

如图1所示，温度传感器6被放置在盖支架1和托支架2之间的安装孔内紧密结合，温度传感器6为圆柱体，测温头向内安装。

如图1所示，温度传感器6的信号线接口，接入变频控制驱动器7，用于温度探测调节输出电流幅值。

如图1所示，变频控制驱动器7的驱动电源线，接入温控器4，用于驱动温控器4。

如图1所示，电源8通过电源线接入变频控制驱动器7，用于提供温控器所需电力。

实施例2

一种量子光场成像系统，包括晶体3以及定焦镜头，还包括支架，温度传感器6、变频控制驱动器7以及温控器4，温控器4跟支架相接，变频控制驱动器7与温控器4相接，温度传感器6的接口跟变频控制驱动器7相接，温度传感器6的探头跟支架相接，支架用于跟晶体3配合。

因为量子光成像系统中需要用使用到晶体3，激光照射到晶体3上，而后产生量子光，量子光穿过定焦镜头成像，本系统中由于使用到了晶体3，为了保证成像必须控制晶体3的温度，所以采用支架，温度传感器6、变频控制驱动器7以及温控器4，通过采用支架、温度传感器6等零部件来控制晶体3的温度，实现对晶体3的精准控温。本成像系统采用上述的晶体3温度控制方法来控制晶体3的温度。

如附图2所示，定焦镜头包括第一透镜片9、第二透镜片10以及第三头镜片11，第二透镜片10位于第一透镜片9与第三头镜片11之间。

本成像系统为了保证成像时对成像光吸收小，同时保证成像质量，提供了一种成像镜头，成像时光线一次经由第一透镜片9、第二透镜片10以及第三头镜片11，最后汇聚在成像面12上。镜头结构组成为：第一透透镜片为正弯月透镜，光焦度为正，近红外介质材料为硫化锌；第二透镜片10为平凹透镜，光焦度为负，材料为普通光学玻璃；第三头镜片11为负弯月透镜，光焦度为负，材料为普通光学玻璃。其中第一镜面901与第而镜面902分别是第一透镜片9的两个表面，第三镜面1001与第四镜面1002分别是第二透镜片10的两个表面，第五镜面1101与第六镜面1102分别是第三头镜片11的两个表面，这些表面镀有减反膜。

如附图2所示，第一透镜片9的两侧分别为第一镜面901与第而镜面902，第二透镜片10的两侧分别为第三镜面1001与第四镜面1002，第三头镜片11的两侧分别为第五镜面1101与第六镜面1102，第一镜面901为凸镜面，第而镜面902为凹镜面，第三镜面1001为凹镜面，第四镜面1002为平镜面，第五镜面1101为凸镜面，第六镜面1102为凹镜面，第一镜面901与第而镜面902，第二透镜片10位于第而镜面902与第五镜面1101之间。

第二透镜片10为平凹透镜，第四镜面1002为平面，这种设计有利于透镜加工，加工难度低，且在加入普通光学玻璃后整个镜头吸收率控制在1％以内，对弱光几乎无损失。

如附图2所示，第一透镜片9、第二透镜片10以及第三头镜片11上镀有减反膜。

如附图2所示，第二透镜片10为光学玻璃透镜片，第三头镜片11为光学玻璃透镜片，第一透镜片9为硫系玻璃透镜片。

如附图2所示，支架包括盖支架1与托支架2，晶体3夹在盖支架1与托支架2之间。

本种设计有利于透镜加工，成本上更加经济且降低加工难度。在加入普通光学玻璃后整个镜头吸收率控制在1％以内，对弱光几乎无损失。

本种定焦镜头成像质量上完全满足当前主流近红外相机要求，以1064nm波长成像举例，成像系统弥散斑半径可以控制在2μm之内，畸变控制在0.5％以内，满足感光元件要求，一般近红外相机像素大小为10μm-20μm，这为感光元件像素尺寸升级留有足够空间。

如附图2所示，第一透镜片、第二透镜片、第三透镜片按上图安放顺序进行组装使用，目标物体反射近红外光线从左到右依次穿过第一镜面、第二镜面、第三镜面、第四镜面、第五镜面以及第六镜面，最终汇聚到成像面上。

上述图示案例可以为近红外0.8μm-1.7μm某一单波长成像，也可以为近红外0.8μm-1.7μm中一段波长成像。在本案例中，当入射波长为1064nm，视场角为6°，孔径值28mm，焦距120mm，后工作距80mm时，像高8mm，弥散斑直径小于2μm，畸变小于0.5％。

实施例3

如附图3所示，一种近红外量子光场成像探测仪，包括上述的量子光场成像系统。

探测仪主要由检测部分与控制处理部分两大主体组成。检测部分由激光器、压缩光场和成像系统组成，激光器、压缩广场以及成像系统采用高强度、轻型材料，保证设备的稳定性，各部分有机的结合在一起，互相嵌套，具有体积小、重量轻、易于照射成像等特点。控制处理系统将各类传感器、控制器集成于一体，包括一个小型液晶触摸屏已经多个按钮，便于操作使用。设备后端还具有多种数据接口，可以直接连接至电脑，便于后期的设备扩展以及数据信息处理。

本种近红外量子探测仪采用铝合金外壳，强度高、耐热性好、结实耐用，设备整体外形简洁，美观大方。仪器整体尺寸为桌面级设备，体积小，方便摆放和使用，适用于各种探测、探伤场合。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此即限制本发明的专利保护范围，凡是运用本发明说明书所作的等效变换，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的保护范围内。