一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法
阅读说明：本技术 一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法 (High heat-resistant structure for heat dissipation of photoelectronic device and preparation method thereof ) 是由 周殿力 杨根杰 吴梦鸽 于军胜 于 2020-12-14 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法,属于耐热材料领域,高耐热结构,其特征在于,从下到上依次为附着面和薄膜结构,所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；所述薄膜结构以质量成分计,分别为,吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％；其制备方法是先对散热器或基底表面进行清洗,然后依次喷涂吸热剂,中间连接剂,烘干后再依次喷涂耐热剂和保护剂,最后烘干即可,通过本发明可以解决高温环境下工作的设备,由于外界温度本身高于设备温度,普通散热的方法对此类设备并不管用的问题。(The invention discloses a high heat-resistant structure capable of being used for heat dissipation of an optoelectronic device and a preparation method thereof, belonging to the field of heat-resistant materials, and the high heat-resistant structure is characterized in that an attachment surface and a film structure are sequentially arranged from bottom to top, and the film structure is sequentially provided with a heat absorbing agent, an intermediate connecting agent, a heat-resistant agent and a protective agent from bottom to top; the film structure comprises, by mass, 35-45% of a heat absorbing agent, 10-20% of an intermediate connecting agent, 30-50% of a heat resisting agent and 5% of a protective agent; the preparation method comprises the steps of cleaning the surface of a radiator or a substrate, spraying a heat absorbent, an intermediate connecting agent, drying, spraying a heat-resistant agent and a protective agent in sequence, and drying.)
技术领域
本发明属于耐热材料领域，特别涉及一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法。
背景技术
随着电子产品也向薄、轻、小的方向发展以适应现代社会对电子设备质量轻便，携带方便，柔性透明和集成度一体化的程度越来越高的要求的趋势的增加，电子产品表面温度不断升高，被放置的环境也越来越恶劣的情况导致电子元件的寿命骤降，电子产品的耐热性和对高温工作环境适应性差的问题越来越严峻；过高的温度会导致电子元器件性能下降，会导致电子器件中光学部件的老化，从而严重影响设备的整体性能，也不利于设备在整个行业中的推广；因此，耐热问题在设计建造各种类型的电子设备的过程中是重点要解决的问题。
目前实际使用中的解决电子设备热问题的方法大部分是从散热角度出发，通过增加散热能力，导出设备内部多余热量，从而达到保证设备正常工作的目的，这能解决一部分设备的散热问题；但在实际中，一部分设备越来越多的会工作于极端环境，例如极寒，沙漠或者大海，森林等人迹罕至的地方；在高温环境下工作的设备，由于外界温度本身高于设备温度，这使得散热的方法对此类设备并不管用。
因此，必须要采用全新的思路针对这类情况进行散热设计。
发明内容
针对背景技术中存在的问题，本发明的目的在于：提供了一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法，解决了高温环境下工作的设备，由于外界温度本身高于设备温度，普通散热的方法对此类设备并不管用的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：本发明包括了一种可用于光电子器件散热的高耐热结构及其制备方法，其中，一种可用于光电子器件散热的高耐热结构，从下到上依次为附着面和薄膜结构，所述附着面为基底或者散热器表面；所述基底为刚性基底或柔性基底；所述薄膜结构的总厚度不超过25um；所述薄膜结构从下到上依次为吸热剂、中间连接剂、耐热剂和保护剂；所述薄膜结构以质量成分计，分别为，吸热剂35～45％、中间连接剂10～20％、耐热剂30～50％、保护剂5％；
作为优选的，所述刚性基底为玻璃或蓝宝石；
作为优选的，所述柔性基底为金属箔、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸薄膜中的一种；
进一步的，所述吸热剂为具有三维空间结构的导热性和吸热性良好的金属纳米球或者氧化物纳米球中的一种或多种；
作为优选的，所述吸热剂为银纳米球。
进一步的，所述中间连接剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷中一种处理方法的氮化硼水分散溶液；
进一步的，所述耐热剂为金属合金纳米线或金属纳米线中的一种或多种；
作为优选的，所述耐热剂具体为铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金纳米线、镉银合金纳米线、铟银合金纳米线、锡银合金纳米线、钨银合金纳米线、铂银合金纳米线、铝金合金纳米线、镍金合金纳米线、钴金合金纳米线、锰金合金纳米线、镉金合金纳米线、铟金合金纳米线、锡金合金纳米线、钨金合金纳米线、钴镍合金纳米线、锰镍合金纳米线、镉镍合金纳米线、铟镍合金纳米线、锡镍合金纳米线、钨镍合金纳米线、铂镍合金纳米线、镉锰合金纳米线、铟锰合金纳米线、锡锰合金纳米线、钨锰合金纳米线、铂锰合金纳米线、铟镉合金纳米线、锡镉合金纳米线、钨镉合金纳米线、铂镉合金纳米线、锡铟合金纳米线、钨铟合金纳米线、铂铟合金纳米线、钨锡合金纳米线、铂锡合金纳米线、铂钨合金纳米线中的一种或多种；
进一步的，所述保护剂为含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液；
一种可用于光电子器件散热的高耐热结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：先对散热器的表面或基底的表面进行清洗，包括如下分步骤：
步骤S1-1：分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇对散热器的表面或基底的表面进行超声清洗；
步骤S1-2：将清洗后的散热器的表面或基底的表面用干燥氮气吹干；
步骤S1-3：然后用氧离子对散热器的表面或基底的表面进行轰击；
步骤S2：将步骤S1处理好的散热器的表面或基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂，喷涂速率为70-520μL/min；
步骤S3：将步骤S2处理好的散热器的表面或基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂，喷涂速率为30-90μL/min；
步骤S4：将步骤S3所得的散热器的表面或基底的表面进行80℃烘干处理5min；
步骤S5：在步骤S4所得散热器的表面或基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂，喷涂速率为100-520μL/min；
步骤S6：在步骤S5所得散热器的表面或基底的表面采用喷涂法喷涂保护剂，即含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100μL/min；
步骤S7：将步骤S6所得散热器的表面或基底的表面进行50℃烘干处理3min，得到耐热结构；
步骤S8：将步骤S7所得耐热结构进行耐热测试。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明具有以下积极的技术效果：
1、本发明所选取的加入聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，具有环保可弯折特性，并且在与金属纳米线或金属合金纳米线喷涂烘干处理后会产生褶皱的特性，能够有效的增大散热面积，聚醚改性聚硅氧烷同时具有防静电作用，除尘效果良好；金属纳米线或金属合金纳米线有较大的比表面积和较高的导热率，能有效提高耐热效率。
2、同时，海松树干提取液具有独特的隔热功能，能够有效减少外界环境中的高温对设备造成的损害，还具有致密耐腐蚀的特点，从而提高设备的使用寿命。
3、位于纳米球和纳米线之间的中间连接剂氮化硼水分散溶液以其独特稳定结构，强的导热性，同时具有固定纳米球和为纳米线提供附着点，增加吸热剂和耐热剂之间的接触性的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图，其中：
图1是本发明的高耐热薄膜结构示意图；
图2是本发明的高耐热薄膜结构制备方法示意图；
图中标记：1-附着面；2-吸热剂；3-保护剂；4-耐热剂；5-中间连接剂。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例一
如图1所示，所述强耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂35％、中间连接剂10％、耐热剂50％、保护剂5％；
制备方法及步骤如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与膜有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为520uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为30uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为120uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例二
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂35％、中间连接剂15％、耐热剂45％、保护剂5％
制备方法及步骤如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为420uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为40uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为120uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例三
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液；成分组成如下：
吸热剂35％、中间连接剂20％、耐热剂40％、保护剂5％；
制备方法及步骤如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为220uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为70uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为220uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例四
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂40％、中间连接剂20％、耐热剂35％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为120uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为80uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为320uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例五
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂40％、中间连接剂15％、耐热剂40％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为320uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为30uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热及保护剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为320uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例六
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂45％、中间连接剂15％、耐热剂35％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为420uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为30uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为220uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例七
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂45％、中间连接剂20％、耐热剂30％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为70uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为80uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为420uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例八
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂37％、中间连接剂20％、耐热剂38％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为170uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为40uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为520uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例九
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂43％、中间连接剂15％、耐热剂37％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为70uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为90uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为320uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
实施例十
如图1所示，所述高耐热薄膜，总厚度为25um，吸热剂为银纳米球，中间连接剂为氮化硼水分散溶液，耐热剂为银纳米线，保护剂为含有10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液。成分组成如下：
吸热剂45％、中间连接剂20％、耐热剂30％、保护剂5％；
制备方法如下：
1、先对散热器的表面或待喷涂基底的表面进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的散热器的表面或待喷涂基底的表面采用喷涂法喷涂浓度为0.02mg/ml的吸热剂银纳米球水溶性分散液，喷涂速率为70uL/min；
3、在吸热层表面采用喷涂法喷涂浓度为1mg/ml的中间连接剂氮化硼水分散溶液，喷涂速率为90uL/min；
4、将步骤3所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min；
5、在步骤4所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂浓度为0.5％的耐热剂银纳米线异丙醇溶液，喷涂速率为420uL/min；
6、在步骤5所得薄膜结构表面采用喷涂法喷涂保护剂含有体积分数为10％聚醚改性聚硅氧烷的海松树干提取液，喷涂速率为100uL/min；
7、将步骤6所得薄膜结构进行50℃烘干处理3min，得到可用于光电子器件的高耐热薄膜；
8、将步骤7所得薄膜结构进行耐热测试。
表1为纯散热器和喷涂有实施例1～10耐热膜的散热器在相同起始温度90℃条件下不同时间间隔后的温度(单位℃)对比。
时间(h)
0
2
4
6
8
10
纯散热器
90
83
77
70
65
58
实施例1
90
82
75
68
61
47
实施例2
90
80
73
66
56
50
实施例3
90
79
67
59
50
39
实施例4
90
83
71
63
55
48
实施例5
90
81
74
65
58
45
实施例6
90
79
71
63
55
47
实施例7
90
81
69
61
52
42
实施例8
90
80
70
59
53
44
实施例9
90
82
71
62
54
43
实施例10
90
79
70
62
52
43
表1
在上文中，结合具体的实施例对本发明的各种实施方式进行了描述；然而，应当得出的理解是：本发明的对各个实施例描述的用意不是对本发明的限制；以上所述仅是本发明的示范性实施例，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由权利要求确定。
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