具体实施方式

第一实施方式

超薄基板结构的制造方法的第一实施方式包括如下步骤：准备承载板101—步骤(a)，如图1(a)所示。承载板101可以包括支撑层1011和在支撑层1011的至少一个表面上的金属箔。通常，金属箔可以为第一金属箔1012和第二金属箔1013通过物理压合附着在一起的双层金属箔，第一金属箔1012位于支撑层1011的的第一表面，第二金属箔1013位于第一金属箔1012的表面，在后续移除承载板101时可以通过分离第一金属箔1012和第二金属箔1013，然后蚀刻第二金属箔1013实现。金属箔还可以为单层金属箔，并且在支撑层1011和单层金属箔之间之间具有离型层，离型层可以包括加热可移除的发泡胶层，发泡胶层采用温度敏感型材料，在后续移除承载板101时可以通过将基板加热至特定温度，以使发泡胶层和单层金属箔分离，然后蚀刻单层金属箔实现。承载板101还可以包括位于支撑层1011的第二表面的第三金属箔1014。通常，支撑层1011可以包括半固化片层；金属箔可以包括铜、铝或镍，优选铜。

通常，可以根据实际需求设定承载板101各层的厚度，为超薄基板结构提供足够的支撑强度；优选，第一金属箔1012为3μm铜箔，第二金属箔1013为18μm铜箔，第三金属箔1014为18μm铜箔，支撑层为145μm聚丙烯。

接着，在承载板101的表面形成第一阻焊层102，并在第一阻焊层102内形成第一阻焊开窗1021—步骤(b)，如图1(b)所示。通过在第二金属箔1013的表面施加阻焊材料形成第一阻焊层102，阻焊材料可以为感光型介电材料，例如，绿油或PID材料等，具体不做限定；也可以为非感光型介电材料。阻焊材料为感光型介电材料时，可以通过曝光显影的方式在第一阻焊层102内形成第一阻焊开窗1021；当阻焊材料为非感光型介电材料时，可以通过镭射加工或钻孔的方式在第一阻焊层102内形成第一阻焊开窗1021。第一阻焊层的厚度可为5-15μm。

然后，在第一阻焊层102上施加第一金属种子层1031，在第一金属种子层1031上施加第一光刻胶层1032并图案化第一光刻胶层1032形成第一特征图案，电镀第一特征图案形成第一布线层1033—步骤(c)，如图1(c)所示。通常，可以通过化学镀或溅射的方式在第一阻焊层102上施加第一金属种子层1031；第一金属种子层1013可以包括钛、铜、钛钨合金或它们的组合；优选，采用首先溅射钛层，然后在钛层表面溅射铜层的方式施加第一金属种子层1031；钛层的厚度可以为0.1-0.3μm，铜层的厚度可以为0.8-2.0μm；优选，钛层的厚度为0.1μm，铜层的厚度为1.0μm；钛层与第二金属层1013直接相邻，在后续蚀刻第二金属层1013的工序中，能够防止第一布线层1033被药水蚀刻，提高第一布线层1033的可控性。在第一特征图案中电镀铜形成第一布线层1033，第一布线层1033的厚度为8-15μm。采用图形电镀的方式制备布线层，布线层的宽度、距离可控，均匀性佳。

接着，承接步骤(c)，在第一布线层1033外施加第二光刻胶层1034并图案化第二光刻胶层1034形成第二特征图案，电镀第二特征图案形成第一通孔柱层1035—步骤(d)，如图1(d)所示。通常，在第二特征图案中电镀铜形成第一通孔柱层1035，第一通孔柱层1035的高度为15-30μm。采用图像电镀的方式制备通孔柱，通孔柱上下尺寸一致，具有更高的电信号可靠性及更好的导热性。

然后，移除第一光刻胶层1032和第二光刻胶层1034，蚀刻掉暴露的第一金属种子层1031，层压介电材料形成第一介电层103，并减薄第一介电层103暴露第一通孔柱层1035的端部—步骤(e)，如图1(e)所示。通常，介电材料可以包括有机介电材料、无机介电材料或它们的组合；优选，介电材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪树脂、陶瓷填料、玻璃纤维或它们的组合；按功能性要求分，介电材料包括感光型介电材料和非感光型介电材料。当介电材料为非感光型介电材料时，可以通过磨板或等离子蚀刻的方式整体减薄第一介电层103暴露第一通孔柱层1035的端部，或者通过镭射加工或钻孔的方式局部减薄第一介电层103暴露第一通孔柱层1035的端部；当介电材料为感光型介电材料时，可以通过曝光显影的方式局部减薄第一介电层103暴露第一通孔柱层1035的端部。

接着，在第一介电层103上施加第二金属种子层1036；在第二金属种子层1036上施加第三光刻胶层并图案化第三光刻胶层形成第三特征图案；电镀第三特征图案形成第二布线层1038；移除第三光刻胶层，蚀刻掉暴露的第二金属种子层1036—步骤(f)，如图1(f)所示。通常，可以通过化学镀或溅射的方式在第一介电层103上施加第二金属种子层1036；第二金属种子层1036可以包括钛、铜、钛钨合金或它们的组合；优选，采用首先溅射0.1μm钛层，然后在钛层表面溅射1μm铜层的方式施加第二金属种子层1036；通过溅射的方式制作第二金属种子层1036，第二布线层1038与第一介电层103的结合力更佳，具有更高的可靠性。通过在第三特征图案中电镀铜形成第二布线层1038，第二布线层1038的厚度为8-15μm。第二布线层1038和第一布线层1033通过第一通孔柱层1035导通连接。

然后，在第二布线层1038上形成第二阻焊层104，并在第二阻焊层104内形成第二阻焊开窗1041—步骤(g)，如图1(g)所示。通过在第二布线层1038上施加阻焊材料形成第二阻焊层104。阻焊材料为感光型介电材料时，可以通过曝光显影的方式在第二阻焊层104内形成第二阻焊开窗1041；当阻焊材料为非感光型介电材料时，可以通过镭射加工或钻孔的方式在第二阻焊层104内形成第二阻焊开窗1041。形成第二阻焊开窗1041后，可以通过涂覆镍钯金或有机保焊膜的方式对暴露的第二布线层1038进行金属表面处理。第二阻焊层的厚度为5-15μm。

接着，移除承载板101，得到超薄基板结构100—步骤(h)，如图1(h)所示。通常，可以通过分板第一金属箔1012和第二金属箔1013，然后蚀刻第二金属箔1013的方式移除承载板101。

第二实施方式

超薄基板结构的制造方法的第二实施方式包括如第一实施方式中所述的步骤(a)-(c)，不再赘述。

然后，承接步骤(c)，移除第一光刻胶层1032，蚀刻掉暴露的第一金属种子层1031，在第一布线层1033上层压介电材料形成第一介电层103—步骤(i)，如图1(i)所示。通常，第一介电层103的厚度为15-30μm。

接着，在第一介电层103中形成第一通孔1039，并在第一介电层103上施加第二金属种子层1036—步骤(j)，如图1(j)所示。当介电材料为非感光型介电材料时，可以通过镭射加工或钻孔的方式局部减薄介电材料在第一介电层103中形成第一通孔1039；当介电材料为感光型介电材料时，可以通过曝光显影的方式局部减薄介电材料在第一介电层103中形成第一通孔1039。

然后，在第二金属种子层1036上施加第三光刻胶层并图案化第三光刻胶层形成暴露出第一通孔1039的第三特征图案；电镀第三特征图案同时形成第一通孔柱层1035和第二布线层1038；移除第二光刻胶层，蚀刻掉暴露的第二金属种子层1036。—步骤(k)，如图1(k)所示。通常，通过在第三特征图案中电镀铜形成第一通孔柱层1035和第二布线层1038，第一通孔柱层1035的高度为15-30μm，第二布线层1038的厚度为8-15μm。第二布线层1038和第一布线层1033通过第一通孔柱层1035导通连接。

接着，在第二布线层1038上形成第二阻焊层104，并在第二阻焊层104内形成第二阻焊开窗1041—步骤(l)，如图1(l)所示。

然后，移除承载板101，得到超薄基板结构200—步骤(m)，如图1(m)所示。

此外，上述结构仅为示例演示超薄基板结构的流程，本结构不局限在2层，还可以根据实际需要在第二布线层1038上继续增层形成在第二介电层上的第三布线层，以及在第三布线层上形成第二阻焊层，并在第二阻焊层内形成第二阻焊开窗。

本领域技术人员将会认识到，本发明不限于上下文中具体图示和描述的内容。而且，本发明的范围由所附权利要求限定，包括上文所述的各个技术特征的组合和子组合以及其变化和改进，本领域技术人员在阅读前述说明后将会预见到这样的组合、变化和改进。

在权利要求书中，术语“包括”及其变体例如“包含”、“含有”等是指所列举的组件被包括在内，但一般不排除其他组件。