具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实 施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅 用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种通带状态可调的传输吸波结构 方法，传输吸波结构包括：PIN二极管加载的带通层、PMI泡沫、阻抗元件加载 的阻抗层三层依次排列构成；带通层与阻抗层通过PMI泡沫串联，PMI泡沫等 效为阻抗变换电路；带通层包括：PIN二极管加载的金属贴片层、介质基板以及 金属缝隙层；PIN二极管加载到金属贴片层两相邻贴片之间，且关于金属贴片层 的中心旋转对称；当传输吸波结构接收通带内传输小信号时，PIN二极管处于截 止状态，带通层处于谐振状态，整个传输吸波结构的阻抗等效为无穷大，小信 号以低损耗穿透传输吸波结构；当传输吸波结构接收强电磁能量时，金属缝隙层感应出的场强使得PIN二极管导通，通带关闭，整个带通层在通带表现屏蔽 特性。

上述通带状态可调的传输吸波结构中，采用集总元件加载的多层对称谐振 复合结构，综合利用金属结构与集总元件分布式效应，实现防护结构通带低插 损与宽吸波带特性。利用PIN二极管强场导通、弱场截止特性，实现防护结构 通带可调节性；利用阻抗元件加载谐振结构实现宽带吸波功能，从而实现通带 状态可调与宽带吸波功能。

在其中一个实施例中，PMI泡沫为低介电常数和低损耗的PMI泡沫。

在其中一个实施例中，带通层通过LC串联谐振小型化结构设计，介质基板 为罗杰斯4350B介质基板，带通层等效为电感、电容并联电路。

在其中一个实施例中，PIN二极管在垂直和水平两个方向以对称方式加载到 金属贴片层上，且两个方向加载周期与金属贴片层单元结构相同。

在其中一个实施例中，阻抗层为阻抗元件加载的金属方形同心双环。

在其中一个实施例中，金属方形同心双环的外环尺寸为8.5mm，内环尺寸 为5.5mm；外环加载的阻抗元件阻抗值为300欧姆，内环加载的阻抗元件阻抗 值为1000欧姆，介质基本厚度为0.25mm。

为了验证本发明的技术效果，选择频率1.8GHz作为通带频率，与此对应的 带通层周期尺寸为10mm，所选择二极管型号为NXP BAP5102；中间介质基本 厚度为0.5mm。PMI泡沫层是一种轻质高强度的泡沫塑料，其介电常数选为1.5 左右，周期尺寸为10mm，厚度约为4mm。PMI泡沫层置于金属层之间，起支 撑作用。金属方形同心双环的外环尺寸为8.5mm，内环尺寸为5.5mm；外环加 载的阻抗元件阻抗值为300欧姆，内环加载的阻抗元件阻抗值为1000欧姆，介 质基本厚度为0.25mm。

在具体工作原理上，通带状态可调的传输吸波结构的工作原理为：对于通 带内小信号，PIN二极管处于截止状态，此时带通层则处于谐振状态，整个结构 阻抗等效为无穷大，信号以较低的损耗穿透结构；当通带内出现强电磁能量时， 金属缝隙上感应出的场强使得PIN二极管导通，原通带关闭，整个带通层在通 带表现出屏蔽特性，屏蔽效能不小于10dB，电磁能量被反射会空间，对于吸波 带内的能量则被吸收。无论是强电磁能量还是弱电磁能量，只要频率落入吸波 带内，则后端带通层就表现为金属板特性，电磁能量被完全反射，经PMI泡沫 层阻抗变换达到阻抗层，此时由于电磁频率落入阻抗层谐振频率内，电磁波被 阻抗元件完全吸收。传输通带频率主要由带通层通带频率决定，同时也受到PMI 泡沫影响，PMI泡沫越薄，耦合强度越大，等效电容也会随之增加，通带频率 越往下偏移。

利用商业微波仿真软件进行仿真模拟，仿真结果如图2所示。

在仿真过程中，二极管等效截止状态等效电路为一个电容，导通状态下等 效为一个小电阻与电感串联。在低场强入射时，在1.82GHz处有一个传输通带， 插入损耗小于1dB，当二极管导通(即强电磁能量入射时)，通带关闭；无论电 磁能量强弱，在6.9GHz至22.8GHz都为吸波带。

从图3可以看出，在小信号入射即二极管处于截止状态时，仿真与实测都 存在一个传输通带，当强电磁能量入射即二极管处于导通，通带关闭，原通带 处屏蔽效能可达20dB。而无论二极管导通与否，都存在一个较宽的吸波带。图3 仿真与实测结果表明所设计通带状态可调的传输吸波结构满足设计要求。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述 实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特 征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的 普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改 进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权 利要求为准。