具体实施方式

将参照附图说明本发明的优选实施方式。注意，所公开的技术不受实施方式的限制。以下说明的实施方式可以在实施方式不引起矛盾的范围内适当地组合。

[a]第一实施方式

光调制器1的构造

图1是例示第一实施方式中的光调制器1的示例的平面图。图1所示的光调制器1例如是缝隙型相位调制器。光调制器1包括第一保护膜2、第一电极3A(3)、第二电极3B(3)和光波导4。第一电极3A例如是施加电信号的驱动电压等的正电极。第二电极3B例如是负电极。光波导4是例如由诸如电光材料的EO聚合物41形成的并且光信号通过的波导。

图2是图1的A-A线截面图。图3是第一实施方式中的第一平板8A、第一导轨6A、光波导4、第二导轨6B以及第二平板8B的立体图。除第一保护膜2、第一电极3A、第二电极3B和光波导4之外，图2所示的光调制器1还包括基板5、第一导轨6A(6)、第二导轨6B(6)和缝隙部7。此外，光调制器1包括第一平板8A(8)、第二平板8B(8)、第二保护膜9和电极焊盘2A(2B)。

基板5例如是SiO₂的基板。第一导轨6A和第二导轨6B例如由诸如硅之类的高折射率材料形成。第一导轨6A和第二导轨6B平行地设置在基板5上。缝隙部7是用作在平行设置在基板5上的第一导轨6A和第二导轨6B之间所形成的低折射区域的空间。通过将EO聚合物41填充在缝隙部7中来形成光波导4。光波导4是用于约束通过光波导4的光的结构。

第一平板8A设置在基板5上，并且电连接第一导轨6A和第一电极3A。第一平板8A由例如硅形成。第二平板8B设置在基板5上并且电连接第二导轨6B和第二电极3B。第二平板8B也由例如硅形成。

第一平板8A包括第一局部平板11A和第二局部平板12A。第一局部平板11A电连接至第一电极3A。第二局部平板12A电连接第一导轨6A和第一局部平板11A。在第一平板8A中，相对于基板5的表面，第二局部平板12A的厚度尺寸Hs2设置为与第一导轨6A的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第一导轨6A的厚度尺寸Hr设置为第二局部平板12A的厚度尺寸Hs2的三倍以上。第一导轨6A的厚度尺寸Hr和第一局部平板11A的厚度尺寸Hs1例如相同。

第二平板8B包括第三局部平板11B和第四局部平板12B。第三局部平板11B电连接至第二电极3B。第四局部平板12B电连接第二导轨6B和第三局部平板11B。在第二平板8B中，相对于基板5的表面，第四局部平板12B的厚度尺寸Hs2设置为与第二导轨6B的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第二导轨6B的厚度尺寸Hr设置为第四局部平板12B的厚度尺寸Hs2的三倍以上。第二导轨6B的厚度尺寸Hr和第三局部平板11B的厚度尺寸Hs1例如相同。

光调制器1的制造过程图4A至图4C是例示光调制器1的制造过程的示例的说明图。图5A至图5C是例示光调制器1的制造过程的示例的说明图。在图4A所示的基板5上设置作为第一平板8A、第一导轨6A、第二导轨6B和第二平板8B的材料的硅10。

例如，通过在图4B所示的基板5上蚀刻硅10，在基板5上形成第一导轨6A、第二导轨6B、第一平板8A和第二平板8B。在基板5的表面上形成有凹部5A，该凹部5A相当于形成于第一导轨6A和第二导轨6B之间的缝隙部7所形成于的部位。注意，可以存在凹部5A以便在缝隙部7中可靠地填充将以下说明的EO聚合物41。结果，图4B中所示的第一导轨6A、第一局部平板11A、第二导轨6B和第二导轨6B的厚度尺寸被设置为例如第二局部平板12A的厚度尺寸的三倍以上。第二局部平板12A的厚度尺寸Hs2和第四局部平板12B的厚度尺寸Hs2相同。

在形成于图4C所示的基板5上的第一导轨6A、第二导轨6B、第一平板8A以及第二平板8B上形成例如SiO₂的第二保护膜9。

此外，蚀刻第一平板8A和第二平板8B上的第二保护膜9的一些部分，以在第一平板8A上形成第一开口10A以及在第二平板8B上形成第二开口10B。如图5A所示，在第一开口10A上形成电连接至第一平板8A的第一电极3A，并且在第二开口10B上形成电连接至第二平板8B的第二电极3B。

此外，在图5A所示的第一电极3A、第二电极3B和第二保护膜9上形成例如SiO₂的第一保护膜2。如图5B所示，蚀刻第一电极3A、第二电极3B、第一平板8A、第二平板8B、缝隙部7、第一导轨6A和第二导轨6B上的第一保护膜2和第二保护膜9。结果，形成了第一电极3A上的第一电极焊盘2A和第二电极3B上的第二电极焊盘2B，并且暴露了第一平板8A、第二平板8B和缝隙部7。

在图5B所示的缝隙部7中填充EO聚合物41，以形成光波导4。注意，可以通过在缝隙部7中填充EO聚合物41来形成光波导4。缝隙部7的宽度为纳米级。因此，为了将EO聚合物41可靠地填充在缝隙部7中，将EO聚合物41填充在围绕缝隙部7的第一导轨6A、第二导轨6B、第一平板8A和第二平板8B上。

图6是例示光调制器1在转态期间的动作的示例的说明图。因为EO聚合物41是无定形的并且不具有电光效应，所以为了使形成光波导4的EO聚合物41具有普克尔斯(Pockels)效应，需要对通过图4和图5中所示的制造过程形成的光调整器1执行转态处理。将光调制器1中的光波导4中的EO聚合物41加热至接近玻璃化转变温度，以使EO聚合物41中的染料分子容易移动。然后，将直流电压施加到第一电极3A。结果，DC电压被施加到第一电极3A，并且电流从第一电极3A流向第二电极3B。因此，光波导4中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。之后，降低光波导4中的EO聚合物41的温度以固定EO聚合物41的取向状态。

光调制器1的操作动作

图7是例示光调制器1在操作期间的动作的示例的说明图。光调制器1包括生成电信号的信号源31和输出从光源31接收的电信号(驱动电压)的驱动器32。驱动器32连接到光调制器1的第一电极3A，并且将第二电极3B连接到地。驱动器32将驱动电压施加到光调制器1中的光波导4，并且当电流从第一电极3A流向第二电极3B时，对通过光波导4的光信号进行相位调制。

图8是例示图7所示的光调制器1的等效电路的示例的说明图。第一电极3A、第一平板8A和第一导轨6A可以由电阻R来表示。第二导轨6B、第二平板8B和第二电极3B也可以由电阻R来表示。此外，光波导4可以由电容器C表示。因此，第一电极3A、第一平板8A、第一导轨6A、光波导4、第二导轨6B、第二平板8B和第二电极3B相当于图8所示的具有RC常数的低通滤波器。通过1/4πRC来计算低通滤波器的截止频率fc。因此，当电阻R增加时，截止频率降低并且频带受到限制。

图9是例示光调制器1的尺寸的示例的说明图。图9中所示的基板5的表面上的第一局部平板11A(第三局部平板11B)的厚度尺寸Hs1是第一局部平板11A(第三局部平板11B)在附图中的Y方向上的厚度。基板5的表面上的第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度尺寸Hs2是第二局部平板12A(第四局部平板12B)在附图中的Y方向上的厚度。基板5的表面上的第一导轨6A(第二导轨6B)的厚度尺寸Hr是第一导轨6A(第二导轨6B)在附图中的Y方向上的厚度。

此外，第一局部平板11A的厚度尺寸Hs1是第二保护膜9的表面与基板5的表面之间的第一局部平板11A的厚度。第二局部平板12A的厚度尺寸Hs2是第二局部平板12A在EO聚合物41的接触表面与基板5的表面之间的厚度。第四局部平板12B的厚度尺寸Hs1是第四局部平板12B在第二保护膜9的表面和基板5的表面之间的厚度。第三局部平板11B的厚度尺寸Hs2是第三局部平板11B在EO聚合物41的接触表面与基板5的表面之间的厚度。

此外，光波导4的宽度Wslot是缝隙部7在第一导轨6A与第二导轨6B之间的宽度，并且是光波导4在附图中的X方向上的宽度。第一导轨6A(第二导轨6B)的导轨宽度Wrail是第一导轨6A(第二导轨6B)在附图中的X方向上的宽度。第一局部平板11A(第三局部平板11B)的宽度Wslab1是第一局部平板11A(第三局部平板11B)的X方向上的宽度。第二局部平板12A(第四局部平板12B)的宽度Wslab2是第二局部平板12A(第四局部平板12B)在附图中的X方向上的宽度。

图10是例示光调制器1的光模式分析结果的示例的说明图。在第一实施方式的光调制器1中，第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度Hs2设置为45nm，并且第一局部平板11A(第三局部平板11B)的厚度Hs1设置为190nm。此外，在光调制器1中，第一导轨6A(第二导轨6B)的厚度Hr设置为190nm，并且光波导4的宽度Wslot设置为160nm，并且第一导轨6A(第二导轨6B)的导轨宽度Wrail设置为240nm。此外，在光调制器1中，第一局部平板11A(第三局部平板11B)的宽度Wslab1设置为18μm，第二局部平板12A(第四局部平板12B)的宽度Wslab2设置为2μm，并且光调制器1的Z轴方向的长度设置为1mm。在这种情况下，从光调制器1的光模式分析结果可以看出，如图10所示，光信号被约束在光波导4中。

图11是例示比较例1中的光调制器100的尺寸的示例的说明图。图11所示的比较例1中的光调制器100包括电连接第十一导轨106A和第十一电极103A的第十一平板108A和电连接第十二导轨106B和第十二电极103B的第十二平板108B。通过在第十一导轨106A和第十二导轨106B之间的缝隙部107中填充EO聚合物104A来形成光波导104。与第一实施方式中的第一局部平板11A(第三局部平板11B)的厚度尺寸Hs1相比，第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度尺寸Hs设置得更小。

基板105的表面上的第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度尺寸Hs是该第十一平板108A(第十二平板108B)在附图中的Y方向上的厚度。基板105的表面上的第十一导轨106A(第十二导轨106B)的厚度尺寸Hr是第十一导轨106A(第十二导轨106B)在附图中的Y方向上的厚度。此外，第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度尺寸Hs是第二保护膜的表面与基板105的表面之间的第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度。

此外，光波导104的宽度Wslot是第十一导轨106A和第十二导轨106B之间的缝隙宽度，并且是光波导104在附图中的X方向上的宽度。第十一导轨106A(第十二导轨106B)的导轨宽度Wrail是第十一导轨106A(第十二导轨106B)在附图中的X方向上的宽度。第十一平板108A(第十二平板108B)的宽度Wslab是第十一平板108A(第十二平板108B)在附图中的X方向的宽度。

比较例1中的光调制器100

图12是例示比较例1中的光调制器100的光模式分析结果的示例的说明图。在比较例1的光调制器100中，第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度Hs设置为45nm，第十一导轨106A(第十二导轨106B)的厚度Hr设置为190nm，并且光波导104的宽度Wslot设置为160nm。此外，在光调制器100中，第十一导轨106A(第十二导轨106B)的导轨宽度Wrail设置为240nm，第十一平板108A(第十二平板108B)的宽度Wslab设置为20μm，并且光调制器100在Z轴方向的长度设置为1mm。在这种情况下，从比较例1中的光调制器100的光模式分析结果可以看出，如图12所示，光信号被约束在光波导104中。

比较例2中的光调制器100A

图13是例示比较例2中的光调制器100A的尺寸的示例的说明图。图13例示的比较例2中的光调制器100A包括电连接第十一导轨106A和第十一电极103A的第二十一平板118A和电连接第十二导轨106B和第十二电极103B的第二十二平板118B。与比较例1中的第十一平板108A(第十二平板108B)的厚度尺寸Hs相比，第二十一平板118A(第二十二平板118B)的厚度尺寸Hs设置得更大。此外，与第一实施方式中的第一局部平板11A(第三局部平板11B)的厚度尺寸Hs1相比，第二十一平板118A(第二十二平板118B)的厚度尺寸Hs设置得更大。

基板105的表面上的第二十一平板118A(第二十二平板118B)的厚度尺寸Hs是第二十一平板118A(第二十二平板118B)在附图中的Y方向上的厚度。基板105的表面上的第十一导轨106A(第十二导轨106B)的厚度尺寸Hr是第十一导轨106A(第十二导轨106B)在附图中的Y方向上的厚度。此外，第二十一平板118A(第二十二平板118B)的厚度尺寸Hs是第二十一平板118A(第二十二平板118B)在第二保护膜的表面与基板105的表面之间的厚度。

此外，光波导104的宽度Wslot是缝隙部107在第十一导轨106A和第十二导轨106B之间的缝隙宽度，并且是光波导104在附图中的X方向上的宽度。第十一导轨106A(第十二导轨106B)的导轨宽度Wrail是第十一导轨106A(第十二导轨106B)在附图中的X方向上的宽度。第十一平板108A(第十二平板108B)的宽度Wslab是第二十一平板118A(第二十二平板118B)在附图中的X方向上的宽度。

图14是例示比较例2中的光调制器100A的光模式分析结果的示例的说明图。在比较例2的光调制器100A中，第二十一平板118A(第二十二平板118B)的厚度Hs设置为90nm，第十一导轨106A(第十二导轨106B)的厚度Hr设置为190nm，并且光波导104的宽度Wslot设置为160nm。在光调制器100A中，第十一导轨106A(第十二导轨106B)的导轨宽度Wrail设置为240nm，第二十一平板118A(第二十二平板118B)的宽度Wslab设置为20μm，并且光调制器100A在Z轴方向的长度设置为1mm。在这种情况下，从比较例2中的光调制器100A的光模式分析结果可以看出，如图14所示，光信号从光波导104泄漏。

在比较例1和比较例2的光调制器100(100A)中，在宽带特性和驱动电压/光损耗之间出现了折衷。为了将光波导104用作光调制器，需要电连接两个导轨106A(106B)(Si)和两个电极103A(103B)的平板108A(108B)(Si)。然而，可被平板(108A，108B)约束在缝隙部107中的光的一部分泄漏到平板侧。当存在这样的光的泄漏时，效率劣化并且需要大的驱动电压。而且，光损耗在光通过光波导104时会增加。因此，可以通过Vπ＝(λd)/(n³γΓL)来表示半波长电压Vπ，该半波长电压Vπ是将相移量改变π所需的驱动电压。

注意，波长表示为“λ”，缝隙部7的宽度表示为“d”，电光材料(EO聚合物41)的折射率表示为“n”，电光材料(EO聚合物41)的电光常数表示为“γ”，电极3的长度表示为“L”，并且施加的电场减小系数(表示有助于调制的电场分布的比率的校正系数)表示为“Γ”。“Γ”是指示电场被约束在缝隙部7中的比率的指示符。当光的泄漏增加时，“Γ”减小。在这种情况下，半波长电压Vπ增加。因此，为了减小半波长电压Vπ，需要尽可能地减少光向平板8的泄漏。为了减少光的泄漏，如果平板8的厚度尺寸Hs设置为与第一导轨6A(第二导轨6B)的厚度尺寸Hr相比足够小，则可以抑制平板8的光的泄漏。然而，平板8的电阻R增加。此外，当电阻R增加时，截止频率降低并且频带受到限制。

比较结果

图15是例示第一实施方式中的光调制器1、比较例1中的光调制器100和比较例2中的光调制器100A中的每一个的驱动电压、光损耗和宽带特性的比较结果的说明图。注意，为了便于说明，为了便于比较，比较例1中的半波长电压Vπ、光损耗和宽带特性的值被设置为1。半波长电压Vπ和光损耗的值越小越优秀，并且宽带特性的值越大越优秀。

在比较例1的光调制器100中，与第一实施方式中的光调制器1相比，半波长电压Vπ和光损耗没有显著差异。但是，由于比较例1的光调制器100的平板108A(108B)的厚度尺寸小，因此电阻R增加。截止频率下降，并且频带受到限制。因此，与比较例1中的光调制器100相比，第一实施方式中的光调制器1可以将频带设置得更宽。

在比较例2的光调制器100A中，由于光的泄漏增加，所以半波长电压Vπ和光损耗的值增加。但是，电阻随着平板的厚度尺寸增加而减小。能够实现宽带。在比较例2的光调制器100A中，与第一实施方式的光调制器100相比，半波长电压Vπ和光损耗出现显著不同，半波长电压Vπ大，光的泄漏大，并且光损耗大。因此，与比较例1中的光调制器100相比，第一实施方式中的光调制器1能够减小宽带特性，尤其是半波长电压Vπ和光损耗。

在比较例1和比较例2中，出现了半波长电压Vπ/光损耗和宽带特性的折衷。相反，在第一实施方式中的光调制器1的情况下，尽管半波长电压Vπ/光损耗与比较例1中的半波长电压Vπ/光损耗基本上相等，但是能够实现宽带。

第一实施方式中的效果

在第一实施方式的光调制器1中，与第一导轨6A相比，电连接第一导轨6A和(电连接至第一电极3A的)第一局部平板11A的第二局部平板12A的厚度尺寸设置得更小。此外，在光调制器1中，与第二导轨6B相比，电连接第二导轨6B和(电连接至第二电极3B的)第三局部平板11B的第四局部平板12B的厚度尺寸设置得更小。结果，可以减小半波长电压Vπ并减小光损耗，并且可以减小平板部分中的电阻R，抑制截止频率的降低，并实现宽带。

注意，第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度尺寸在允许范围内减小。第一局部平板11A(第三局部平板11B)的厚度尺寸增大。结果，由于第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度尺寸小，因此可以抑制在调制动作期间的光的泄漏。

由于第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度尺寸减小，因此仅从第二局部平板12A(第四局部平板12B)的厚度来看，电阻R增加。但是，由于能够减小第一局部平板11A(第三局部平板11B)的电阻R，因此，当将光调制器1作为整体考虑时，与比较例1、和比较例2相比，能够减小电阻R。结果，可以改善在宽带特性和驱动电压/光损耗之间的折衷。能够实现安装有EO聚合物41的小型、低驱动电压和宽带的光调制器。

注意，在第一实施方式的光调制器1中，第一平板8A中的第一局部平板11A和第二平板8B中的第三局部平板11B的厚度尺寸与第一导轨6A(第二导轨6B)的厚度尺寸相同。因此，电阻R增加。因此，下面将作第二实施方式来说明应对这种情况的实施方式。注意，与第一实施方式中的光调制器1的组件相同的组件由相同的附图标记表示，以省略关于这些组件和动作的冗余说明。

[b]第二实施方式

第二实施方式中的光调制器1A的构造

图16是第二实施方式中的光调制器1A的A-A线截面图。图17是第二实施方式中的第一平板8A、第一导轨6A、光波导4、第二导轨6B以及第二平板8B的立体图。图16中所示的光调制器1A与第一实施方式中的光调制器1的不同之处在于第一局部平板11A1和第三局部平板11B1的硅的掺杂浓度被设置为高。注意，第二实施方式中的第一局部平板11A1和第三局部平板11B1的形状与第一实施方式中的第一局部平板11A和第三局部平板11B的形状相同。

第二实施方式中的效果

在第二实施方式的光调制器1A中，第一局部平板11A1和第三局部平板11B1的硅的掺杂浓度被设置为高于第一导轨6A和第二导轨6B以及第二局部平板12A和第四局部平板12B的硅的掺杂浓度。因此，可以减小第一局部平板11A1和第三局部平板11B1的电阻，并且可以提高截止频率。而且，当掺杂浓度增加时，光损耗也增加。然而，光调制器1A被设计为使得大部分光能够会聚在缝隙部7、第二局部平板12A和第四局部平板12B中。结果，可以增加频带，同时忽略对半波长电压Vπ和光损耗的值的影响。

注意，第一实施方式和第二实施方式中的光调制器1(1A)的光波导4能够被认为是例如马赫-曾德尔(Mach-Zehnder)调制器中的两个光调制器之一。

[c]第三实施方式

第三实施方式中的光调制器1B的构造

图18是例示第三实施方式中的光调制器(GSG型)1B的示例的平面图。图19是图18的A1-A1线截面图。图18中所示的光调制器1B是GSG类型的马赫-曾德尔调制器。光调制器1B包括光分离部(optical dividing portion)21、两个光波导4和光复用部22。光分离部21对光信号进行光分离，并将光分离后的光信号输出给光波导4。两个光波导4包括例如第一光波导4A和第二光波导4B。第一光波导4A对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并将相位调制后的光信号输出给光复用部22。第二光波导4B对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并且将相位调制后的光信号输出给光复用部22。光复用部22对来自光波导4的相位调制后的光信号进行复用，并输出复用后的光信号。

除了第一光波导4A和第二光波导4B之外，光调制器1B还包括第一保护膜2、第一电极3A1(G)、第二电极3B1(S)和第三电极3C1(G)。第一电极3A1例如是负电极。第二电极3B1是向第一光波导4A和第二光波导4B施加驱动电压的正电极。第三电极3C1例如是负电极。

此外，光调制器1B包括第一平板8A1、第一光波导4A、第三平板8C1、第二光波导4B和第二平板8B1。通过在第一缝隙部7A中填充EO聚合物41来形成第一光波导4A，第一缝隙部7A形成于设置在基板5上的第一导轨6A和与第一导轨6A平行地设置在基板5上的第二导轨6B之间。通过在第二缝隙部7B中填充EO聚合物41来形成第二光波导4B，该第二缝隙部7B形成于设置在基板5上的第三导轨6C和平行于第三导轨6C设置在基板5上的第四导轨6D之间。

第一平板8A1设置在基板5上，并且电连接第一导轨6A和第一电极3A1。第二平板8B1设置在基板上并且电连接第四导轨6D和第三电极3C1。第三平板8C1设置在基板5上，并且电连接第二导轨6B和第二电极3B1以及电连接第三导轨6C和第二电极3B1。

第一平板8A1包括第一局部平板11A1和第二局部平板12A1。第一局部平板11A1与第一电极3A1电连接。第二局部平板12A1电连接第一导轨6A和第一局部平板11A1。在第一平板8A1中，相对于基板5的表面，第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2设置为与第一导轨6A的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第一导轨6A的厚度尺寸Hr设置为第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第二平板8B1包括第三局部平板11B1和第四局部平板12B1。第三局部平板11B1电连接至第三电极3C1。第四局部平板12B1电连接第四导轨6D和第三局部平板11B1。在第二平板8B1中，相对于基板5的表面，第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2设置为与第四导轨6D的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第四导轨6D的厚度尺寸Hr设置为第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第三平板8C1包括第五局部平板11C1、第六局部平板12C1和第七局部平板12D11。第五局部平板11C1电连接至第二电极3B1。第六局部平板12C1电连接第二导轨6B和第五局部平板11C1。第七局部平板12D11电连接第三导轨6C和第五局部平板11C1。

在第三平板8C1中，相对于基板5的表面，第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2设置为与第二导轨6B的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第二导轨6B的厚度尺寸Hr设置为第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。在第三平板8C1中，相对于基板5的表面，第七局部平板12D11的厚度尺寸Hs2设置为与第三导轨6C的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望第三导轨6C的厚度尺寸Hr设置为第七局部平板12D11的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

图20是第三实施方式的平板的立体图。图20中所示的平板包括第一平板8A1、第一导轨6A、第一缝隙部7A、第二导轨6B、第三平板8C1、第三导轨6C、第二缝隙部7B、第四导轨6D以及第二平板8B1。注意，第二导轨6B和第三导轨6C通过第三平板8C1电联接。

第三实施方式中的光调制器1B的制造过程

图21是例示GSG型的光调制器1B在转态期间的动作的示例的说明图。光调制器1B中的第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41加热至接近玻璃化转变温度，以使EO聚合物41中的染料分子容易移动。然后，将DC电压施加到第一电极3A1。结果，DC电压被施加到第一电极3A1，并且电流从第一电极3A1流向第三电极3C1。因此，第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。此后，降低第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41的温度以固定EO聚合物41的取向状态。注意，在转态期间不使用第二电极3B1(正电极)。

注意，DC电压可以施加到第三电极3C1以将电流从第三电极3C1馈送到第一电极3A1。第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41的染料分子的取向可以被定向为固定方向，并且可以适当地改变。

第三实施方式中的光调制器1B的操作动作

图22是例示GSG型的光调制器1B在操作期间的动作的示例的说明图。GSG型的光调制器1B包括生成电信号的信号源31和输出从信号源31接收的电信号的驱动器32。驱动器32连接到光调制器1B的第二电极3B1，并且将第一电极3A1和第三电极3C1连接接到地。驱动器32向光调制器1B中的第一光波导4A和第二光波导4B施加驱动电压。电流从第二电极3B1流向第一电极3A1和第三电极3C1。结果，通过第一光波导4A和第二光波导4B的光信号被相位调制。

第三实施方式中的效果

GSG型的光调制器1B将从第二电极3B1接收的驱动电压施加到第一光波导4A和第二光波导4B，以对通过第一光波导4A和第二光波导4B的光信号进行相位调制。注意，GSG型的光调制器1B的调制动作是使用两个光波导4执行的推挽作用。因此，半波长电压Vπ能够减半。

[d]第四实施方式

第四实施方式中的光调制器1C的构造

图23是例示第四实施方式中的光调制器(GSSG型)1C的示例的平面图。图24是图23的A2-A2线截面图。图23所示的光调制器1C是GSSG型的马赫-曾德尔调制器。光调制器1C包括光分离部21、两个光波导4和光复用部22。光分离部21对光信号进行光分离，并将光分离后的光信号输出给光波导4。两个光波导4包括例如第一光波导4A和第二光波导4B。第一光波导4A对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并将相位调制后的光信号输出给光复用部22。第二光波导4B对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并且将相位调制后的光信号输出给光复用部22。光复用部22对来自光波导4的相位调制后的光信号进行复用，并输出复用后的光信号。

除了第一光波导4A和第二光波导4B之外，光调制器1C还包括第一保护膜2、第一电极3A1(G)、第二电极3B1(S)、第四电极3D1(S)、以及第三电极3C1(G)。第一电极3A1例如是负电极。第二电极3B1例如是施加驱动电压的正电极。第四电极3D1例如是施加驱动电压的正电极。第三电极3C1例如是负电极。

此外，光调制器1C包括第一平板8A1、第一光波导4A、第三平板8C1、第四平板8D1、第二光波导4B和第二平板8B1。通过在第一缝隙部7A中填充EO聚合物41来形成第一光波导4A，第一缝隙部7A形成于设置在基板5上的第一导轨6A和与第一导轨6A平行地设置在基板5上的第二导轨6B之间。通过在第二缝隙部7B中填充EO聚合物41来形成第二光波导4B，第二缝隙部7B形成于设置在基板5上的第三导轨6C和与第三导轨6C平行地设置在基板5上的第四导轨6D之间。

第一平板8A1设置在基板5上，并且电连接第一导轨6A和第一电极3A1。第三平板8C1设置在基板5上，并且电连接第二导轨6B和第二电极3B1。

第一平板8A1包括第一局部平板11A1和第二局部平板12A1。第一局部平板11A1电连接至第一电极3A1。第二局部平板12A1电连接第一导轨6A和第一局部平板11A1。在第一平板8A1中，相对于基板5的表面，第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2设置为与第一导轨6A的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望第一导轨6A的厚度尺寸Hr设置为第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第二平板8B1设置在基板5上，并且电连接第四导轨6D和第三电极3C1。第二平板8B1包括第三局部平板11B1和第四局部平板12B1。第三局部平板11B1电连接至第三电极3C1。第四局部平板12B1电连接第四导轨6D和第三局部平板11B1。在第二平板8B1中，相对于基板5的表面，第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2设置为与第四导轨6D的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望第四导轨6D的厚度尺寸Hr设置为第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第三平板8C1包括第五局部平板11C1和第六局部平板12C1。第五局部平板11C1电连接至第二电极3B1。第六局部平板12C1电连接第二导轨6B和第五局部平板11C1。在第三平板8C1中，相对于基板5的表面，第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2设置为与第二导轨6B的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第二导轨6B的厚度尺寸Hr设置为第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第四平板8D1设置在基板5上，并且电连接第三导轨6C和第四电极3D1。第四平板8D1包括第七局部平板11D1和第八局部平板12D1。第七局部平板11D1电连接到第四电极3D1。第八局部平板12D1电连接第三导轨6C与第七局部平板11D1。在第四平板8D1中，相对于基板5的表面，第八局部平板12D1的厚度尺寸Hs2设置为与第三导轨6C的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第三导轨6C的厚度尺寸Hr设置为第八局部平板12D1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

图25是第四实施方式的平板的立体图。图25中所示的平板包括第一平板8A1、第一导轨6A、第一缝隙部7A、第二导轨6B、第三平板8C1和第四平板8D1。此外，平板包括第三导轨6C、第二缝隙部7B、第四导轨6D和第二平板8B1。注意，第三平板8C1和第四平板8D1是电分开的。

第四实施方式中的光调制器1C的制造过程

图26是例示在GSSG型的光调制器1C在转态期间的动作的示例的说明图。光调制器1C中的第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41加热至接近玻璃化转变温度，以使EO聚合物41中的染料分子容易移动。然后，将DC电压施加到第二电极3B1和第四电极3D1。结果，DC电压被施加到第二电极3B1，并且电流从第二电极3B1流向第一电极3A1。因此，第一光波导4A中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。DC电压被施加到第四电极3D1，并且电流从第四电极3D1流向第二电极3B1。因此，第二光波导4B中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。此后，降低第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41的温度以固定EO聚合物41的取向的状态。

第四实施方式中的光调制器1C的操作动作

图27是例示GSSG型的光调制器1C在操作期间的动作的示例的说明图。GSSG型的光调制器1C包括生成电信号的信号源31和输出从信号源31接收的电信号的差分驱动器32A。差分驱动器32A连接到光调制器1C的第二电极3B1和第四电极3D1。第一电极3A1和第三电极3C1连接到地。差分驱动器32A向光调制器1C中的第一光波导4A施加驱动电压，并且当电流从第二电极3B1流向第一电极3A1时，对通过第一光波导4A的光信号进行相位调制。差分驱动器32A向第二光波导4B施加驱动电压，并且当电流从第四电极3D1流向第三电极3C1时，对通过第二光波导4B的光信号进行相位调制。

第四实施方式中的效果

GSSG型的光调制器1C将从第二电极3B1和第四电极3D1接收的驱动电压施加到第一光波导4A和第二光波导4B，以对通过第一光波导4A和第二光波导4B的光信号进行相位调制。注意，GSSG型的光调制器1C的调制动作也是使用两个光波导4执行的推挽动作。因此，半波长电压Vπ能够减半。

[e]第五实施方式

第五实施方式中的光调制器1D的结构

图28是例示第五实施方式中的光调制器(GSGSG型)1D的示例的平面图。图29是图28的A3-A3线截面图。图28中所示的光调制器1D是GSGSG型的马赫-曾德尔调制器。光调制器1D包括光分离部21、两个光波导4和光复用部22。光分离部21对光信号进行光分离，并将光分离后的光信号输出给光波导4。两个光波导4包括例如第一光波导4A和第二光波导4B。第一光波导4A对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并将相位调制后的光信号输出给光复用部22。第二光波导4B对从光分离部21接收的光信号进行相位调制，并且将相位调制后的光信号输出给光复用部22。光复用部22将来自光波导4的相位调制后的光信号进行复用，并输出复用后的光信号。

除了第一光波导4A和第二光波导4B之外，光调制器1D还包括第一保护膜2、第一电极3A1(G)、第二电极3B1(S)、第五电极3E1(G)、第四电极3D1(S)和第三电极3C1(G)。第一电极3A1例如是负电极。第二电极3B1例如是正电极。第五电极3E1例如是负电极。第四电极3D1例如是正电极。第三电极3C1例如是负电极。

此外，光调制器1D包括第一平板8A1、第一光波导4A、第三平板8C1、第四平板8D1、第二光波导4B和第二平板8B1。通过在第一缝隙部7A中填充EO聚合物41来形成第一光波导4A，第一缝隙部7A形成于设置在基板5上的第一导轨6A和与第一导轨6A平行地设置在基板5上的第二导轨6B之间。通过在第二缝隙部7B中填充EO聚合物41来形成第二光波导4B，第二缝隙部7B形成于设置在基板5上的第三导轨6C和与第三导轨6C平行地设置在基板5上的第四导轨6D之间。

第一平板8A1设置在基板5上，并且电连接第一导轨6A和第一电极3A1。第三平板8C1设置在基板5上，并且电连接第二导轨6B和第二电极3B1。

第一平板8A1包括第一局部平板11A1和第二局部平板12A1。第一局部平板11A1电连接至第一电极3A1。第二局部平板12A1电连接第一导轨6A和第一局部平板11A1。在第一平板8A1中，相对于基板5的表面，第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2设置为与第一导轨6A的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望第一导轨6A的厚度尺寸Hr设置为第二局部平板12A1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第二平板8B1设置在基板5上，并且电连接第四导轨6D和第三电极3C1。第二平板8B1包括第三局部平板11B1和第四局部平板12B1。第三局部平板11B1电连接至第三电极3C1。第四局部平板12B1电连接第四导轨6D和第三局部平板11B1。在第二平板8B1中，相对于基板5的表面，第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2设置为与第四导轨6D的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第四导轨6D的厚度尺寸Hr设置为第四局部平板12B1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第三平板8C1包括第五局部平板11C1和第六局部平板12C1。第五局部平板11C1电连接至第二电极3B1。第六局部平板12C1电连接第二导轨6B和第五局部平板11C1。在第三平板8C1中，相对于基板5的表面，第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2设置为与第二导轨6B的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第二导轨6B的厚度尺寸Hr设置为第六局部平板12C1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

第四平板8D1设置在基板5上，并且电连接第三导轨6C和第四电极3D1。第四平板8D1包括第七局部平板11D1和第八局部平板12D1。第七局部平板11D1电连接到第四电极3D1。第八局部平板12D1电连接第三导轨6C和第七局部平板11D1。在第四平板8D1中，相对于基板5的表面，第八局部平板12D1的厚度尺寸Hs2设置为与第三导轨6C的厚度尺寸Hr相比更小。注意，期望将第三导轨6C的厚度尺寸Hr设置为第八局部平板12D1的厚度尺寸Hs2的三倍以上。

图30是第五实施方式的平板的立体图。图30所示的平板包括第一平板8A1、第一导轨6A、第一缝隙部7A、第二平板6B和第三平板8C1。此外，平板包括第四平板8D1、第三导轨6C、第二缝隙部7B、第四导轨6D和第二平板8B1。注意，第三平板8C1和第四平板8D1是电分开的。

第五实施方式中的光调制器1D的制造步骤

图31是例示GSGSG型的光调制器1D在转态期间的动作的示例的说明图。光调制器1D的第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41加热至接近玻璃转变温度，使EO聚合物41中的染料分子容易移动。然后，DC电压被施加到第二电极3B1和第四电极3D1。结果，DC电压被施加到第二电极3B1，并且电流从第二电极3B1流向第一电极3A1。因此，第一光波导4A中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。DC电压被施加到第四电极3D1，并且电流从第四电极3D1流向第三电极3C1。因此，第二光波导4B中的EO聚合物41的染料分子沿一个方向取向。此后，降低第一光波导4A和第二光波导4B中的EO聚合物41的温度，以固定EO聚合物41的取向的状态。

第五实施方式中的光调制器1D的操作动作

图32是例示GSGSG型的光调制器1D在操作期间的动作的示例的说明图。GSGSG型的光调制器1D包括生成电信号的信号源31和输出从信号源31接收的电信号的差分驱动器32A。差分驱动器32A连接到光调制器1D的第二电极3B1和第四电极3D1。第一电极3A1、第三电极3C1和第五电极3E1连接到地。差分驱动器32A向第二电极3B1施加驱动电压，并且当电流从第二电极3B1流向第一电极3A1时，对通过第一光波导4A的光信号进行相位调制。差分驱动器32A向第四电极3D1施加驱动电压，并且当电流从第四电极3D1流向第三电极3C1时，对通过第二光波导4B的光信号进行相位调制。

第五实施方式中的效果

GSGSG型的光调制器1D向第二电极3B1和第四电极3D1施加驱动电压，以用与驱动电压相对应的电信号对通过第一光波导4A和第二光波导4B的光信号进行相位调制。注意，GSGSG型的光调制器1D的调制动作也是使用两个光波导4执行的推挽动作。因此，半波长电压Vπ能够减半。

注意，为了便于说明，将聚合物例示为形成光波导4的电光材料。然而，电光材料不限于该聚合物，并且如果电光材料是能够填充到缝隙中的电光材料，则可以适当地改变电光材料。

所示部分的组件并非总是需要如所示的那样物理地构造。即，各部分的分布和整合的具体形式不限于所示形式。能够通过根据各种负载、使用状态等在任何单元中在功能上或物理上分布和集成这些部分来构造这些部分的全部或一部分。

可以抑制驱动电压和光损耗。