阅读说明：本技术 具有减少的静电电荷的玻璃片及其生产方法 (Glass sheet having reduced electrostatic charge and method of producing the same ) 是由 冯江蔚 于 2019-02-22 设计创作，主要内容包括：一种制造和处理玻璃制品的方法,其中制品的处理包含将等离子体流(如包括大气压等离子体喷流的等离子体流)导向制品的主表面。上述处理可减少在主表面上的绝对测量电压。(A method of making and treating a glass article, wherein the treatment of the article comprises directing a plasma stream (e.g., a plasma stream comprising an atmospheric pressure plasma jet) toward a major surface of the article. The above process may reduce the absolute measurement voltage on the main surface.)

具有减少的静电电荷的玻璃片及其生产方法

本申请案根据专利法要求于2018年2月22日申请的美国临时申请案序号第62/633,772号的优先权的权益，依据所述案的内容且将所述案的内容通过全文引用方式并入本文。

技术领域

本公开案通常涉及具有减少的静电电荷的玻璃片及其生产方法。

背景技术

在玻璃制品的生产中，如用于显示器应用(包含电视机及如电话和平板电脑的手持装置)的玻璃片，通常存在多个处理步骤，其中玻璃的表面与其他表面之间的接触可能在玻璃表面上产生静电电荷。在玻璃表面上积聚上述电荷可能对并入上述玻璃制品的电子装置的性能产生不利影响。因此，持续需要控制和减少在例如显示器应用和其他电子装置中使用的玻璃制品上的静电电荷产生。

发明内容

本文公开的实施方式包含用于制造玻璃制品的方法。所述方法包含形成所述玻璃制品。所述玻璃制品包含第一主表面、第二主表面和边缘表面，所述第二主表面与所述第一主表面平行，所述边缘表面在与所述第一主表面和所述第二主表面垂直的方向上在所述第一主表面与所述第二主表面之间延伸。所述方法还包含将等离子体流导向第一主表面。将等离子体流导向第一主表面使所述第一主表面上的绝对测量电压减少至少约35％，并且改变所述第一主表面的平均表面粗糙度Ra少于约20％。

本文公开的实施方式还包含处理玻璃制品的方法。所述玻璃制品包含第一主表面、第二主表面和边缘表面，所述第二主表面与所述第一主表面平行，所述边缘表面在与所述第一主表面和所述第二主表面垂直的方向上在所述第一主表面与所述第二主表面之间延伸。所述方法包含将等离子体流导向第一主表面。将等离子体流导向第一主表面使所述第一主表面上的绝对测量电压减少至少约35％，并且改变所述第一主表面的平均表面粗糙度Ra少于约20％。

本文公开的实施方式还包含玻璃制品。所述玻璃制品包含第一主表面、第二主表面和边缘表面，所述第二主表面与所述第一主表面平行，所述边缘表面在与所述第一主表面和所述第二主表面垂直的方向上在所述第一主表面与所述第二主表面之间延伸。第一主表面上的绝对测量电压小于约0.25kV，并且所述第一主表面的平均表面粗糙度Ra小于约0.3nm。

本文公开的实施方式的附加特征和优点将在以下的实施方式中记载，并且部分地对于本领域技术人员而言从所述实施方式将为显而易见的，或通过实践本文所述的公开的实施方式而认知，本文包含以下的实施方式、权利要求书和附图。

应理解，前述一般性描述和以下实施方式两者呈现欲提供用于理解本申请的实施方式的本质和特性的概要或架构的实施方式。本文包含附图以提供进一步理解，且附图并入此说明书中且构成此说明书的一部分。附图绘示本公开案的各种实施方式，且附图与说明一起用以解释本公开案的原理和操作。

附图说明

图1是示例性熔融下拉玻璃制造设备和工艺的示意图；

图2是玻璃片的透视图；

图3是使用等离子体喷流的主表面处理工艺的至少一部分的透视图；

图4是使用等离子体喷流的主表面处理的示意前视图；

图5是使用线性(linear)等离子体流的主表面处理的至少一部分的透视图；和

图6是使用线性等离子体流的主表面处理的示意前视图。

具体实施方式

现将详细参照本公开案的当前优选实施方式，所述实施方式的实例绘示于附图中。在附图各处将尽可能使用相同的元件符号来指称相同或相似的部件。然而，此公开案可以许多不同的形式来实现，并且不应被解释为限于本文记载的实施方式。

在本文中可将范围表示为从“约”一个特定值，和/或至“约”另一个特定值。当表示上述范围时，另一个实施方式包含从所述个特定值和/或至所述另一个特定值。类似地，当将数值表示为近似值时，例如通过使用先行词“约”，将理解所述特定值形成另一个实施方式。将进一步理解，每个范围的端点关于另一个端点都是有意义的并且独立于所述另一个端点。

本文使用的方向性用语──例如，上、下、右、左、前、后、顶部、底部──仅为参照所绘制的附图而作出，而不欲暗示绝对定向。

除非另外明确说明，否则本文记载的任何方法决不欲解释为要求以特定顺序实行所述方法的步骤，也无要求以任何设备、特定的定向来实行。因此，当方法权利要求实际上并未叙述所述方法的步骤所要遵循的顺序时，或当任何设备权利要求实际上并未叙述对个别部件的顺序或定向时，或当在权利要求书或说明中并未另外特定说明步骤将限于特定的顺序时，或当并未叙述对设备的部件的特定顺序或定向时，决不欲在任何方面中推断顺序或定向。此适用于用于解释的任何可能的非明白表示依据，包含：关于步骤的安排、操作流程、部件的顺序或部件的定向的逻辑事项；从语法组织或标点符号得到的简单含义，和；说明书中描述的实施方式的数量或类型。

如本文使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”包含复数指示物。因此，例如，除非上下文另有明确指示，否则对“一”部件的参照包含具有两个或多于两个上述部件的方面。

如本文使用的，用语“等离子体”指包括正离子和自由电子的电离气体(ionizedgas)。

如本文使用的，当提及大气压等离子体喷流或线性大气压等离子体流时用语“大气压”指从孔径放电的等离子体流，其中等离子体压力大约匹配周围大气的压力，包含其中等离子体压力在101.325千帕(标准大气压)的90％与110％之间的条件。

如本文使用的，用语“绝对测量电压”指如本文实例部分所述的通过电压测量技术(VMT)测量的电压的绝对值。因此，用语“减少绝对测量电压”指减少如本文实例部分所述的由VMT测量的测量电压的绝对值。

如本文使用的，用语“表面粗糙度Ra”指JIS B 0031(1994)中规定的算术平均表面粗糙度。

如本文使用的，用语“清洁干燥空气”(clean dry air；CDA)指每千克的空气中包括少于1克水蒸气的空气。

图1示出示例性玻璃制造设备10。在一些实例中，玻璃制造设备10可包括玻璃熔炉12，玻璃熔炉12可包含熔化容器14。除了熔化容器14之外，玻璃熔炉12可任选地包含一或更多个另外的部件，如加热元件(例如燃烧器或电极)，其加热原料并且将原料转化成熔融玻璃。在进一步实例中，玻璃熔炉12可包含热管理装置(例如，绝缘部件)，其减少从熔化容器附近损失的热。在更进一步实例中，玻璃熔炉12可包含电子装置和/或机电装置，其促使将原料熔化成玻璃熔体。更进一步，玻璃熔炉12可包含支撑结构(例如，支撑底盘、支撑构件等)或其他部件。

玻璃熔化容器14通常由耐火材料构成，如耐火陶瓷材料，例如，包括氧化铝或氧化锆的耐火陶瓷材料。在一些实例中，玻璃熔化容器14可由耐火陶瓷砖构成。以下将更详细地描述玻璃熔化容器14的具体实施方式。

在一些实例中，玻璃熔炉可并入作为玻璃制造设备的部件以制造玻璃基板，例如，连续长度的玻璃带。在一些实例中，本公开案的玻璃熔炉可并入作为玻璃制造设备的部件，所述玻璃制造设备包括流孔拉制(slot draw)设备、浮浴(float bath)设备、下拉(down-draw)设备(如熔合工艺)、上拉(up-draw)设备、压辊(press-rolling)设备、管拉制(tubedrawing)设备或将受益于本文公开的方面的任何其他玻璃制造设备。作为实例，图1示意绘示玻璃熔炉12作为熔融下拉玻璃制造设备10的部件，用于熔融拉制玻璃带以用于后续处理成个别玻璃片。

玻璃制造设备10(例如，熔融下拉设备10)可任选地包含上游玻璃制造设备16，上游玻璃制造设备16位于相对于玻璃熔化容器14的上游。在一些实例中，上游玻璃制造设备16的一部分或全部可并入作为玻璃熔炉12的一部分。

如绘示的实例所示，上游玻璃制造设备16可包含储存仓(storage bin)18、原料输送装置20和连接至所述原料输送装置的电动机22。储存仓18可配置成储存定量的原料24，定量的原料24可进料至玻璃熔炉12的熔化容器14中，如箭头26所指示。原料24通常包括一或更多种玻璃成型金属氧化物和一或更多种改质剂。在一些实例中，原料输送装置20可由电动机22提供动力，使得原料输送装置20将预定量的原料24从储存仓18输送至熔化容器14。在进一步实例中，电动机22可为原料输送装置20提供动力以基于在熔化容器14的下游处感测到的熔融玻璃的水平(level)在受控速率下引入原料24。此后，可加热熔化容器14内的原料24以形成熔融玻璃28。

玻璃制造设备10还可任选地包含相对于玻璃熔炉12位于下游的下游玻璃制造设备30。在一些实例中，下游玻璃制造设备30的一部分可并入作为玻璃熔炉12的部分。在某些情况下，以下讨论的第一连接导管32或下游玻璃制造设备30的其他部分可并入作为玻璃熔炉12的部分。下游玻璃制造设备的元件(包含第一连接导管32)可由贵金属形成。适合的贵金属包含选自由铂、铱、铑、锇、钌和钯所组成的金属群组的铂族金属或其合金。例如，玻璃制造设备的下游部件可由铂-铑合金形成，其包含从约70％至约90％重量的铂与从约10％至约30％重量的铑。然而，其他适合的金属可包含钼、钯、铼、钽、钛、钨及其合金。

下游玻璃制造设备30可包含第一调节(即，处理)容器，如澄清容器34，其位于熔化容器14的下游并且通过上述第一连接导管32耦接至熔化容器14。在一些实例中，熔融玻璃28可通过第一连接导管32从熔化容器14由重力供给至澄清容器34。例如，重力可导致熔融玻璃28经由第一连接导管32的内部路径从熔化容器14流至澄清容器34。然而，应理解，其他调节容器可位于熔化容器14的下游，例如在熔化容器14与澄清容器34之间。在一些实施方式中，可在熔化容器与澄清容器之间采用调节容器，其中将来自初级熔化容器的熔融玻璃进一步加热以继续熔化工艺，或在进入澄清容器之前冷却至低于熔化容器中熔融玻璃的温度的温度。

可通过各种技术从澄清容器34内的熔融玻璃28移除气泡。例如，原料24可包含多价化合物(即，澄清剂(fining agent))，如氧化锡，当加热时，其经历化学还原反应并且释放氧。其他适合的澄清剂包含但不限于砷、锑、铁和铈。将澄清容器34加热至高于熔化容器温度的温度，从而加热熔融玻璃和澄清剂。由一或更多个澄清剂的温度诱导的化学还原产生的氧气泡上升经过澄清容器内的熔融玻璃，其中在熔化炉中产生的熔融玻璃中的气体可扩散或聚结进入由澄清剂产生的氧气泡中。然后，增大的气泡可上升至澄清容器中熔融玻璃的自由表面，然后从澄清容器排出。氧气泡可进一步引起澄清容器中熔融玻璃的机械性混合。

下游玻璃制造设备30可进一步包含另一个调节容器，如用于混合熔融玻璃的混合容器36。混合容器36可位于澄清容器34的下游。混合容器36可用于提供均质的玻璃熔体组成物，从而减少原本可能存在于离开澄清容器的经澄清的熔融玻璃内的化学或热不均质性的波筋(cord)。如图所示，澄清容器34可通过第二连接导管38耦接至混合容器36。在一些实例中，熔融玻璃28可通过第二连接导管38从澄清容器34重力进料至混合容器36。例如，重力可导致熔融玻璃28经由第二连接导管38的内部通道从澄清容器34流至混合容器36。应注意，尽管混合容器36示出为在澄清容器34的下游，但混合容器36可位于澄清容器34的上游。在一些实施方式中，下游玻璃制造设备30可包含多个混合容器，例如在澄清容器34的上游的混合容器和在澄清容器34的下游的混合容器。这些多个混合容器可具有相同的设计，或他们可具有不同的设计。

下游玻璃制造设备30可进一步包含另一个调节容器，如可位于混合容器36的下游的输送容器40。输送容器40可调节待供给至下游成型装置的熔融玻璃28。例如，输送容器40可作为累加器(accumulator)和/或流量控制器，以调整和/或提供一致的熔融玻璃28的流动通过出口导管44流至成型体(forming body)42。如图所示，混合容器36可通过第三连接导管46耦接至输送容器40。在一些实例中，熔融玻璃28可通过第三连接导管46从混合容器36重力供给至输送容器40。例如，重力可驱动熔融玻璃28经由第三连接导管46的内部路径从混合容器36至输送容器40。

下游玻璃制造设备30可进一步包含成型设备48，成型设备48包括上述成型体42和入口导管50。出口导管44可定位成将熔融玻璃28从输送容器40输送至成型设备48的入口导管50。例如，出口导管44可嵌套在入口导管50的内表面内并且与所述内表面间隔开，从而提供位于出口导管44的外表面与入口导管50的内表面之间的熔融玻璃的自由表面。在熔融下拉玻璃制造设备中的成型体42可包括位于成型体的上表面中的槽52和沿着成型体的底部边缘56在拉制方向上会聚的会聚成型表面54。经由输送容器40、出口导管44和入口导管50输送至成型体槽的熔融玻璃溢出槽的侧壁并且沿着会聚成型表面54下降而作为个别的熔融玻璃流。个别的熔融玻璃流在底部边缘56下方且沿着底部边缘56连接以产生单一玻璃带58，通过向玻璃带施加张力(如通过重力、边缘辊72和拉引辊82)从底部边缘56沿拉制或流动方向60拉制所述单一玻璃带58，以当玻璃冷却并且玻璃的粘度增加时控制玻璃带的尺寸。因此，玻璃带58经过粘性-弹性过渡变化(visco-elastic transition)并且获得给予玻璃带58稳定的尺寸特性的机械性质。在一些实施方式中，玻璃带58可通过玻璃分离设备100在玻璃带的弹性区域中分离成个别玻璃片62。然后，机器人64可使用夹持工具65将个别玻璃片62传送至输送系统，在所述处可进一步处理个别玻璃片。

玻璃片62可进一步通过本领域普通技术人员已知的一或更多种方法分离成个别玻璃砖(tile)，例如，通过机械切割技术。示例性切割技术包含例如使用半导体切割锯或机械划线。玻璃片63也可通过其他技术分离成个别玻璃砖，例如，基于激光的切割和分离技术。

图2示出玻璃片62的透视图，玻璃片62具有第一主表面162、第二主表面164和边缘表面166，第二主表面164在与第一主表面大致平行的方向上延伸(在玻璃片62的与第一主表面相对的侧上)，边缘表面166在第一主表面与第二主表面之间延伸并且在与第一和第二主表面162、164大致垂直的方向上延伸。

图3示出使用等离子体喷流402的玻璃片62的第一主表面162的处理工艺的至少一部分的透视图。如图3所示，处理工艺包含经由等离子体喷流402将等离子体流导向第一主表面162，其中等离子体喷头400在由箭头500所指示的方向上相对于第一主表面162移动。在某些示例性实施方式中，等离子体喷流402包括大气压等离子体喷流。

图4示出使用等离子体喷流402的主表面处理的示意前视图。如图4所示，等离子体喷头400在由箭头500所指示的方向上移动跨越玻璃片62的第一主表面162。具体而言，等离子体喷头400在从图4所示的透视图所见的向下移动片的过程中交替地从左向右移动然后从右向左移动。等离子体喷头400也可在由虚线箭头500’所指示的方向上旋转，同时大致上在由箭头500所指示的方向上移动。尽管虚线箭头500’示出大致上圆形的顺时针移动，但应理解，本文公开的实施方式包括其他等离子体喷头400的移动，如大致上圆形的逆时针移动，和以其他形状(如椭圆形或多边形)的顺时针或逆时针移动。

等离子体喷流402可在各种处理参数下导向第一主表面162。在某些示例性实施方式中，等离子体喷流402可以至少约300瓦的功率产生，如至少约500瓦的功率，包含从约300瓦至约800瓦的功率，并且进一步包含从约500瓦至约700瓦的功率。

在某些示例性实施方式中，等离子体喷流402经由直流高压放电产生，所述直流高压放电产生脉冲电弧，如至少约5kV的电压放电，如从约5kV至约15kV。在某些示例性实施方式中，等离子体喷流402以至少约10kHz的频率产生，如从约10kHz至约100kHz，并且进一步如从约30kHz至约70kHz。在某些示例性实施方式中，等离子体喷流可具有从约5毫米至约40毫米的光束长度和从约0.5毫米至约15毫米的最宽光束宽度。

在某些示例性实施方式中，等离子体喷头400的最靠近第一主表面162的部分之间的距离(本文称为“间隙距离”)为至少约1毫米，如至少约5毫米，并且进一步如至少约10毫米，如从约1毫米至约25毫米，包含从约5毫米至约20毫米。

在某些示例性实施方式中，等离子体喷头400与第一主表面162之间的相对移动速度(本文称为“扫描速度”)可在从每秒约5毫米至每秒约250毫米的范围内，如从每秒约10毫米至每秒约200毫米，并且进一步如从每秒约50毫米至每秒约150毫米。

图5示出使用线性等离子体流452的玻璃片62的第一主表面162的处理工艺的至少一部分的透视图。如图5所示，处理工艺包含经由线性等离子体装置450经由线性等离子体流452将等离子体流导向第一主表面162。在某些示例性实施方式中，线性等离子体流452包括线性大气压等离子体流。

图6示出使用线性等离子体流452的主表面处理的示意前视图。如图6所示，线性等离子体装置450在由箭头550所指示的方向上移动跨越玻璃片62的第一主表面162(线性等离子体装置跨越玻璃片62的第一主表面162的这种移动在本文中称为“扫描”)。

在某些示例性实施方式中，线性等离子体装置450可扫描玻璃片62的第一主表面162至少一次，如从1次至10次，并且进一步如从2次至6次。当线性等离子体装置450扫描玻璃片62的第一主表面162多于一次时，线性等离子体装置450可例如在奇数扫描上在箭头550的方向上移动并且在偶数扫描上在箭头550所指示的相反方向上移动。

线性等离子体流452可在各种处理参数下导向第一主表面162。在某些示例性实施方式中，线性等离子体喷流452可以至少约300瓦的功率产生，如至少约500瓦的功率，包含从约300瓦至约800瓦的功率，并且进一步包含从约500瓦至约700瓦的功率。

在某些示例性实施方式中，线性等离子体流452经由频率为至少约1MHz的直接阻障放电(direct barrier discharge)产生，所述频率如从约1MHz至约25MHz，并且进一步如从约5MHz至约15MHz。

在某些示例性实施方式中，线性等离子体装置450的最靠近第一主表面162的部分之间的间隙距离为至少约1毫米，如至少约5毫米，并且进一步如至少约10毫米，如从约1毫米至约25毫米，包含从约5毫米至约20毫米。

在某些示例性实施方式中，线性等离子体装置450与第一主表面162之间的扫描速度可在从每秒约1毫米至每秒约100毫米的范围内，如从每秒约10毫米至每秒约70毫米，并且进一步如从每秒约20毫米至每秒约40毫米。

尽管图3～图6示出经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向玻璃片62的第一主表面162，但应理解，本文公开的实施方式包含经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向玻璃片62的第二主表面164的实施方式，如其中等离子体流导向玻璃片62的第一主表面162和第二主表面164两者的实施方式。例如，本文公开的实施方式包含其中经由大气压等离子体喷流或大气压线性流将等离子体流同时或分别导向玻璃片62的第一主表面162和第二主表面164的实施方式。

在某些示例性实施方式中，在将等离子体流导向主表面之前，第一主表面162和第二主表面164中的至少一个可例如通过电阻加热器或感应加热器加热至至少约100℃的温度，如至少约200℃，并且进一步如至少约300℃，并且再进一步如至少约400℃，并且又再进一步如至少约500℃，包含从约100℃至约600℃的温度范围。示例性实施方式还包含其中在将等离子体流导向主表面之后将主表面的温度维持在上述范围内达一段时间的实施方式。

在某些示例性实施方式中，经由等离子体喷流402或线性流452的等离子体包括选自由以下组成的群组的至少一种成分，如至少两种成分，并且进一步如至少三种成分：氮、氩、氧、氦和CDA，其被激发并且至少部分转变成等离子体态。在某些示例性实施方式中，等离子体包括氮和选自由以下组成的群组的至少一种成分：氩、氧、氦和CDA。在某些示例性实施方式中，等离子体包括氮和选自氩和氦的至少一种成分。

在某些示例性实施方式中，经由等离子体喷流402或线性流452的等离子体包括至少约80mol％的氮，如至少从约80mol％至约100mol％的氮，并且进一步如从约85mol％至约95mol％的氮。在某些示例性实施方式中，等离子体包括至少约80mol％的氮和至少2mol％(如至少5mol％)的选自由以下组成的群组的至少一种成分：氩、氧、氦和CDA。在某些示例性实施方式中，等离子体包括至少约80mol％的氮和至少2mol％(如至少5mol％)的选自由以下组成的群组的至少一种成分：氩和氦。

在某些示例性实施方式中，经由等离子体喷流402或线性流452的等离子体实质上不含本领域技术人员已知的实质上蚀刻玻璃的成分，如实质上不含酸蚀刻剂。在某些示例性实施方式中，经由等离子体喷流402或线性流452的等离子体实质上不含氟，包含任何含氟化合物。例如，本文公开的实施方式包含其中经由等离子体喷流402或线性流452的等离子体实质上不含HF、CF4和SF6的实施方式。

根据本文的实施方式经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向第一主表面162可将第一主表面上的绝对测量电压与未承受等离子体处理的玻璃表面相比减少至少约35％，如至少约40％，并且进一步如至少约50％，并且再进一步如至少约100％。

例如，根据本文的实施方式经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向第一主表面162可造成第一主表面162上的绝对测量电压小于约0.25kV，如小于约0.20kV，并且进一步如小于约0.15kV，并且再进一步如小于约0.10kV，并且又再进一步如小于约0.05kV，包含从约0kV至约0.25kV，并且进一步包含从约0.05kV至约0.20kV，并且更进一步包含从约0.10kV至约0.15kV。

此外，根据本文的实施方式经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向第一主表面162可将第一主表面的平均表面粗糙度Ra改变少于约20％，如少于约15％，并且进一步如少于约10％，并且再进一步如少于约5％，包含从约0％至约20％，并且进一步包含从约5％至约15％。

例如，根据本文的实施方式经由等离子体喷流402或线性流452将等离子体流导向第一主表面162可造成第一主表面162的平均表面粗糙度Ra小于约0.3nm，如小于约0.25nm，包含从约0.15nm至约0.3nm，并且进一步包含从约0.20nm至约0.25nm。

实例

参照以下非限制性实例进一步说明本文的实施方式：

实例1

通过如表1所记载的通过大气压等离子体喷流或通过线性大气压等离子体流使具有约0.5毫米的厚度和约100毫米乘以约100毫米的第一和第二主表面尺寸的Eagle玻璃片的样品承受主表面处理。在大气压等离子体表面处理之前，每个样品由含有约2.5wt％的可从Parker Hannifin获得的Parker250或Semiclean KG洗涤剂的水溶液洗涤，然后在去离子水中进行六次快速倾洗(quick dump rinse；QDR)。

具有由大气压等离子体喷流(在表1中称为“喷流”)处理的主表面的每个样品以与图4所绘示的类似的方式来扫描，其中等离子体喷头扫描速度每秒约100毫米，交流电源的频率约50KHz，功率范围从约500瓦至约650瓦。

具有由线性大气压等离子体流(在表1中称为“线性”)处理的主表面的每个样品以与图6所绘示的类似的方式来扫描，其中扫描速度约每秒30毫米，每个样品扫描四次，使用13.56MHz电源，功率范围从约550瓦至约650瓦。

对于各种处理允许间隙距离(在表1中称为“间隙”)变化，如表1中所记载的等离子体组成和单位为标准升/分钟(SLM)的流率也允许变化。

电压测量技术(VMT)

使用电压测量技术(VMT)测定每个处理样品的主表面上的测量电压，其中每个样品与不锈钢真空台以每秒约10毫米的分离速率分离，所述不锈钢真空台施加约20Pa的相对负压并且具有至少与样品的经处理表面相同的表面积。一旦样品与真空台分离了约80毫米的距离，使用Monroe Electronics静电场仪在离样品约1英寸的距离处进行电压测量。此测量在表1中称为V80。在此测量之后，维持样品与真空台之间的80毫米距离，并且大约1分钟后进行第二次测量，在表1中称为V稳定。

处理结果记载于表1中(其中绝对测量电压为表中列出的每个测量电压的绝对值)。未经处理的Eagle

玻璃对照样品也进行上述VMT并且具有约-0.35kV的主表面测量电压(对应于约0.35kV的主表面绝对测量电压)。

表1

尽管已参照熔融下拉工艺描述了以上实施方式，但应理解，上述实施方式也可应用于其他玻璃成型工艺，如浮式工艺、流孔拉制工艺、上拉工艺、管拉制工艺和压辊工艺。

对于本领域技术人员而言将显而易见的是，可在不脱离本公开案的精神和范围的情况下对本公开案的实施方式作各种修改和变化。因此，预期本公开案涵盖上述修改和变化，只要上述修改和变化在所附权利要求书及其均等物的范围内。