具体实施方式

以下，参考附图对用于实施本发明的技术的实施例进行详细说明。

[第1实施方式]

首先，参考图1对本实施方式所涉及的记录读取系统10的结构进行说明。如图1所示，记录读取系统10包含信息处理装置12及磁带库14。磁带库14与信息处理装置12连接。并且，信息处理装置12和多台终端16与网络N连接，并能够经由网络N进行通信。

磁带库14具备多个插槽(省略图示)及多个磁带驱动器18，在各插槽中存储有磁带T。磁带T为通过顺序存取进行数据的写入或者读取的磁记录介质的一例。另外，作为磁带T的例，可以举出LTO(Linear Tape-Open：线性磁带开放)磁带。

在通过信息处理装置12进行针对磁带T的数据的写入或者读取的情况下，写入或者读取对象的磁带T从插槽被加载到预定的磁带驱动器18。若基于针对被加载到磁带驱动器18的磁带T的信息处理装置12的写入或者读取结束，则磁带T从磁带驱动器18被卸除到原本所存储的插槽中。

本实施方式中，作为记录于磁带T的数据的格式(format)，对适用了包含文书数据及图像数据等由用户作为保存对象的数据和与该数据有关的元数据的目标的实施例进行说明。另外，处理该目标的存储系统被称为目标存储系统。

接着，参考图2对本实施方式所涉及的信息处理装置12的硬件结构进行说明。如图2所示，信息处理装置12包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)20、作为临时存储区域的存储器21及非易失性存储部22。并且，信息处理装置12包括液晶显示器等显示部23、键盘和鼠标等输入部24、与网络N连接的网络I/F(InterFace：接口)25及连接磁带库14的外部I/F26。CPU20、存储器21、存储部22、显示部23、输入部24、网络I/F25及外部I/F26与总线27连接。

存储部22通过HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态驱动器)及闪存内存等来实现。在作为存储介质的存储部22中存储记录程序30及读取程序32。CPU20从存储部22读取记录程序30之后向存储器21扩展，并执行所扩展的记录程序30。并且，CPU20从存储部22读出读取程序32之后向存储器21扩展，并执行所扩展的读取程序32。另外，作为信息处理装置12的例，可以举出服务器计算机等。并且，信息处理装置12为将目标记录于磁带T的记录装置的一例。并且，信息处理装置12也为读取记录于磁带T的目标的读取装置的一例。

接着，参考图3对在将目标记录于本实施方式所涉及的信息处理装置12的磁带T的情况下的功能结构进行说明。如图3所示，信息处理装置12包括接收部40及记录部42。通过由CPU20执行记录程序30来作为接收部40及记录部42而发挥功能。并且，在存储部22的预定的存储区域中，存储有数据高速缓存区44及元数据数据库(DB)46。数据高速缓存区44及元数据DB46存在于每一个磁带T。

接收部40经由网络I/F25接收使用用于对目标进行处理的API(ApplicationProgramming Interface：应用程序编程接口)从终端16发送的数据及与该数据有关的元数据。进而，接收部40将所接收的数据存储于数据高速缓存区44，并将元数据存储于元数据DB46。另外，在从终端16发送的元数据中包含有相对应的数据的数据名等识别信息、数据的尺寸及时间戳等表示数据的属性的属性信息。并且，接收部40将包含所接收的数据及元数据的目标固有的识别信息追加到元数据。

图4中示出在数据高速缓存区44中存储有数据且在元数据DB46中存储有元数据的状态的一例。并且，图4中，磁带T处于刚被格式化而尚未记录有目标的状态。

如图4所示，在数据高速缓存区44中存储有数据，且在元数据DB46中与数据建立对应关联而存储有元数据。并且，本实施方式所涉及的磁带T被格式化时，被分割成参考分区RP和记录目标的数据分区DP这2个分区。并且，参考分区RP及数据分区DP通过包含多条带而构成的保护带GW划分。并且，在参考分区RP及数据分区DP的每一个的开头记录有标签。在该标签中，包含有磁带T的识别信息及与针对磁带T的数据的写入形式有关的格式信息等。

记录部42控制磁带库14，并将目标的记录对象的磁带T加载于预定的磁带驱动器18。并且，记录部42将包含存储于数据高速缓存区44的数据及存储于元数据DB46的相对应的元数据的目标记录于所加载的磁带T的数据分区DP。此时，记录部42在元数据中追加用于管理记录有相对应的目标的磁带T的识别信息及表示磁带T上的记录位置的信息等目标的管理信息。图5中示出2个目标被记录于数据分区DP的状态的一例。

并且，记录部42按每一个预定的定时将所记录的目标的元数据的集合记录于数据分区DP。另外，以下中，将该元数据的集合称为“第1集合数据”。本实施方式中，记录部42每当所记录的目标的尺寸的合计超过预定的尺寸时将所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据记录于数据分区DP。此时，在存在已记录于数据分区DP的第1集合数据的情况下，记录部42将记录之前的第1集合数据之后所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据记录于数据分区DP。即，记录部42按每一个预定的定时执行如下处理，即，在记录了至少1个目标之后，记录目标中所包含的元数据的集合即第1集合数据。进而，记录部42执行上述处理，以使每一个第1集合数据成为在记录之前刚刚记录完成的第1集合数据之后所记录的所有的目标中所包含的元数据的集合。因此，每一个第1集合数据成为在记录之前的第1集合数据与自身之间所记录的所有的目标的元数据的集合。以上处理相当于保证在该第1集合数据之前所记录的目标被正常写入的提交处理。另外，此时的上述预定的尺寸例如预先决定为用于防止该提交处理无法长时间进行的值。并且，例如，此时的上述预定的尺寸为磁带T的记录容量乘以预定的比例而获得的尺寸等可以根据磁带T的记录容量、磁带T的使用环境或者使用条件等来实验性地确定或者变更。

并且，例如，此时的上述预定的尺寸可以根据在通过一次记录指示将目标汇总并记录于数据分区DP的情况下所需的时间(以下，称为“记录时间”)的上限值来决定。例如，在作为系统的要求性能的记录时间的上限值为35秒钟的情况且针对磁带T的数据的记录速度为300MB/sec的情况下，只要记录对象的目标的尺寸的合计值为10GB以下，则记录时间成为35秒钟以下。因此，此时，只要将上述预定的尺寸设为10GB即可。

并且，记录部42在将至少1个第1集合数据记录于数据分区DP之后，将已记录于数据分区DP的第1集合数据的集合记录于数据分区DP。另外，以下中，将该第1集合数据的集合称为“第2集合数据”等。此时，在数据分区DP中已经存在第2集合数据的情况下，记录部42将集合之前的第1集合数据之后所记录的第1集合数据的集合即第2集合数据记录于数据分区DP。因此，每一个第2集合数据成为在记录之前的第2集合数据与自身之间所记录的所有的第1集合数据的集合。

如图6所示，在数据分区DP中未记录有第1集合数据的情况下，记录完成的元数据的集合即第1集合数据从数据分区DP的开头被记录于数据分区DP。并且，在数据分区DP中未记录有第2集合数据的情况下，记录完成的第1集合数据的集合即第2集合数据从数据分区DP的开头被记录于数据分区DP。另外，图6中，将第1集合数据标注为“第1集合”，将第2集合数据标注为“第2集合”。并且，该标注在后述的图7～图9中也相同。

并且，如图6所示，在将第1集合数据及第2集合数据记录于数据分区DP的情况下，记录部42在第1集合数据的前后及第2集合数据的前后记录档案标记。通过使用该档案标记，能够搜索已记录于数据分区DP的第1集合数据及第2集合数据。

并且，如图7所示，在数据分区DP中记录有第1集合数据的情况下，记录之前的第1集合数据之后所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据被记录于数据分区DP。并且，在数据分区DP中记录有第2集合数据的情况下，记录之前的第2集合数据之后所记录的第1集合数据的集合即第2集合数据被记录于数据分区DP。即，本实施方式中，在数据分区DP中所记录的多个第1集合数据中不会重复包含元数据，因此能够抑制磁带T的有效容量的降低。并且，本实施方式中，在数据分区DP中所记录的多个第2集合数据中不会重复包含第1集合数据，因此能够抑制磁带T的有效容量的降低。

并且，当将目标记录于数据分区DP时，之前的第2集合数据的尺寸为预定的尺寸以下的情况下，记录部42将目标覆写到该第2集合数据来进行记录。图7中示出覆写有图6的第2集合数据的例。另外，此时的上述预定的尺寸例如根据磁带T的记录速度来预先决定。并且，例如，此时的上述预定的尺寸为磁带T的记录容量乘以预定的比例而获得的尺寸等可以根据磁带T的记录容量、磁带T的使用环境或者使用条件等来实验性地确定或者变更。

并且，如图8所示，在记录于数据分区DP的第2集合数据的尺寸超过预定的尺寸的情况下，记录部42不删除其第2集合数据而记录(复制)于参考分区RP。此时，记录部42还在参考分区RP的第2集合数据的前后记录档案标记。

并且，如图9所示，即使在存储于数据高速缓存区44的数据在数据分区DP上记录结束之后卸除磁带T的情况下，记录部42也相同地将第1集合数据及第2集合数据记录于数据分区DP。此时，记录部42将第2集合数据也记录于参考分区RP。

接着，对用作本实施方式的磁带T的磁记录介质进行说明。

[磁记录介质]

在本实施方式中所使用的磁记录介质的一方式与如下磁记录介质有关，即，该磁记录介质在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，在上述磁性层的表面上进行正己烷清洗后通过光学干涉法在0.5atm的按压下所测量的间距S_0.5与在上述磁性层的表面上进行正己烷清洗后通过光学干涉法在13.5atm的按压下所测量的间距S_13.5的差分(S_0.5-S_13.5)为3.0nm以下。

在本实施方式中，“正己烷清洗”是指将从磁记录介质所切取的试样片浸渍于液温20～25℃的新鲜的正己烷(200g)中，并进行100秒钟的超声波清洗(超声波输出：40kHz)的情况。在作为清洗对象的磁记录介质为磁带的情况下，切取长度为5cm的试样片并进行正己烷清洗。磁带的宽度及从磁带所切取的试样片的宽度通常为1/2英寸。1英寸＝0.0254米。对于除了1/2英寸宽度以外的磁带，也切取长度为5cm的试样片并进行正己烷清洗即可。在作为清洗对象的磁记录介质为磁盘的情况下，切取5cm×1.27cm尺寸的试样片并进行正己烷清洗。以下进行详细叙述的间距的测量是将进行正己烷清洗后的试样片在温度23℃且相对湿度50％的环境下放置24时间之后进行。

在本实施方式中，磁记录介质的“磁性层(的)表面”的含义与磁记录介质的磁性层侧表面相同。

在本实施方式中，将在磁记录介质的磁性层表面上通过光学干涉法进行测量的间距设为通过以下方法进行测量的值。

在将磁记录介质(详细而言，上述试样片。以下相同。)和透明的板状部件(例如玻璃板等)以磁记录介质的磁性层表面与透明的板状部件对置的方式重迭的状态下，从与磁记录介质的磁性层侧相反的一侧以0.5atm或者13.5atm的压力按压按压部件。在该状态下，经由透明的板状部件向磁记录介质的磁性层表面照射光(照射区域：150000～200000μm²)，并根据通过来自磁记录介质的磁性层表面的反射光与来自透明的板状部件的磁记录介质侧表面的反射光的光程差产生的干涉光的强度(例如，干涉条纹图像的对比度)，求出磁记录介质的磁性层表面与透明的板状部件的磁记录介质侧表面之间的间距(距离)。在此所照射的光并无特别限定。在所照射的光如包含多波长的光的白色光那样遍及较广的波长范围而具有发光波长光的情况下，在透明的板状部件与接受反射光的受光部之间配置干涉过滤器等具有选择性切割特定波长的光或者除了特定波长范围以外的光的功能的部件，并使反射光中的局部波长的光或者局部波长范围的光选择性地入射到受光部。在所照射的光为具有单独的发光峰的光(所谓单色光)的情况下，可以不使用上述部件。关于入射到受光部的光的波长，作为一例，例如能够在500～700nm的范围内。但是，入射到受光部的光的波长并不限定于上述范围。并且，透明的板状部件只要为具有经由该部件向磁记录介质照射光而获得干涉光程度地透射所照射的光的透明性的部件即可。

将通过上述间距的测量所获得的干涉条纹图像分割成300000点并求出各点的间距(磁记录介质的磁性层表面与透明的板状部件的磁记录介质侧表面之间的距离)，将此设为直方图，并将该直方图中的最大频率(Maximum frequency)设为间距。

从相同的磁记录介质切取5个试样片，并对各试样片进行正己烷清洗后以0.5atm的压力按压按压部件来求出间距S_0.5，进一步以13.5atm的压力按压按压部件来求出间距S_13.5。进而，计算出所求出的S_0.5与S_13.5的差分(S_0.5-S_13.5)。将计算出的5个试样片的差分(S_0.5-S_13.5)的算术平均设为该磁记录介质的差分(S_0.5-S_13.5)。

关于以上的测量，例如能够使用Micro Physics公司制Tape Spacing Analyzer等市售的带间距分析仪(TSA；Tape Spacing Analyzer)来进行。关于实施例中的间距测量，使用Micro Physics公司制Tape Spacing Analyzer来实施。

关于在进行磁性层表面与磁头的滑动时的摩擦系数，能够通过在磁性层表面上形成突起并减少在磁性层表面上与磁头接触(所谓真实接触)的部分来使其降低。但是，若由于反复进行与磁头的滑动而有可能磁性层表面的突起的高度变低，则在磁性层表面上与磁头真实接触的部分增加，从而有可能导致摩擦系数上升。

关于上述点，本发明的发明人等反复进行深入研究，认为在反复进行与磁头的滑动时对磁性层表面施加的压力并非为恒定，也存在施加较大压力的情况，由于在施加了较大压力时突起变形或者沉入磁性层内部中而突起的高度变低，这成为在反复进行与磁头的滑动时摩擦系数上升的原因。上述施加较大压力的情况例如可以考虑与磁头的边缘部接触的情况。相对于此，通过上述方法求出的S_0.5与S_13.5的差分(S_0.5-S_13.5)小至3.0nm以下表示即使施加较大压力，磁性层表面的突起的高度也难以产生较大变化。因此，认为即使反复进行与磁头的滑动，上述差分为3.0nm以下的上述磁记录介质的磁性层表面的突起的高度变化少。本发明的发明人等推测，根据上述磁记录介质，此为即使反复进行与磁头的滑动也能够抑制摩擦系数的上升的理由。但是，本发明并不限定于上述推测。

关于在进行上述间距的测量中的按压时的压力，本实施方式中，作为在进行与磁头的滑动时对磁性层表面主要施加的压力的例示的值采用0.5atm，作为在进行与磁头的滑动时对磁性层表面施加的较大压力的例示的值采用13.5atm，在进行与磁头的滑动时对上述磁记录介质施加的压力并不限定于上述压力。本发明的发明人等进行深入研究的结果，新发现通过控制采用上述压力所求出之上述差分，即使反复进行与磁头的滑动也能够抑制摩擦系数的上升。对上述差分的控制方法将进行后述。

以下，对上述磁记录介质进一步进行详细说明。在以下中，将反复进行磁性层表面与磁头的滑动而摩擦系数上升的情况也简单记载为“摩擦系数的上升”。

＜磁性层＞

(差分(S_0.5-S_13.5))

上述磁记录介质的差分(S_0.5-S_13.5)为3.0nm以下，从更进一步抑制摩擦系数的上升的观点考虑，优选为2.9nm以下，更优选为2.8nm以下，进一步优选为2.7nm以下，进一步优选为2.6nm以下，更进一步优选为2.5nm以下。并且，上述差分例如能够为1.0nm以上、1.5nm以上、1.8nm以上或者2.0nm以上。但是，从抑制摩擦系数的上升的观点考虑，上述差分越小越优选，因此当然也能够降低上述所例示之下限。关于上述差分，能够通过能够在磁性层表面上形成突起的非磁性填料(以下，记载为“突起形成剂”。)的种类及磁记录介质的制造条件来进行控制。对该点的详细内容将进行后述。

上述磁记录介质的S_0.5及S_13.5只要差分(S_0.5-S_13.5)为3.0nm以下，则并无特别限定。从提高电磁转换特性的观点考虑，S_0.5优选为50.0nm以下，更优选为40.0nm以下，进一步优选为30.0nm以下，进一步优选为20.0nm以下，更进一步优选为16.0nm以下，又进一步优选为15.5nm以下，又更进一步优选为14.5nm以下。并且，从主要将与磁头的滑动初期的摩擦系数抑制为较低的观点考虑，S_0.5优选为5.0nm以上，更优选为8.0nm以上，进一步优选为10.0nm以上，进一步优选为12.0nm以上。并且，从即使反复进行与磁头的滑动也良好地维持行驶稳定性的观点考虑，S_13.5优选为5.0nm以上，更优选为8.0nm以上，进一步优选为10.0nm以上。并且，从即使反复进行与磁头的滑动也发挥优异的电磁转换特性的观点考虑，S_13.5优选为15.0nm以下，更优选为14.0nm以下，进一步优选为13.5nm以下，进一步优选为13.0nm以下，更进一步优选为12.0nm以下。

(强磁性粉末)

作为磁性层中所包含的强磁性粉末，能够使用在各种磁记录介质的磁性层中通常所使用的强磁性粉末。从提高磁记录介质的记录密度的观点考虑，优选作为强磁性粉末使用平均粒径小的强磁性粉末。根据该点，强磁性粉末的平均粒径优选为50nm以下，更优选为45nm以下，进一步优选为40nm以下，进一步优选为35nm以下，更进一步优选为30nm以下，又进一步优选为25nm以下，再进一步优选为20nm以下。另一方面，从磁化的稳定性的观点考虑，强磁性粉末的平均粒径优选为5nm以上，更优选为8nm以上，进一步优选为10nm以上，进一步优选为15nm以上，更进一步优选为20nm以上。

作为强磁性粉末的优选地具体例，能够举出六方晶铁氧体粉末。关于六方晶铁氧体粉末的详细内容，例如能够参考日本特开2011-225417号公报的0012～0030段、日本特开2011-216149号公报的0134～0136段、日本特开2012-204726号公报的0013～0030段及日本特开2015-127985号公报的0029～0084段。作为六方晶铁氧体粉末，尤其优选为六方晶钡铁氧体粉末及六方晶锶铁氧体粉末。

作为强磁性粉末使用六方晶锶铁氧体粉末的情况下的优选方式为如下。

六方晶锶铁氧体粉末的活化体积优选为在800～1500nm³的范围内。表示上述范围的活化体积的被微粒化的六方晶锶铁氧体粉末适用于发挥优异的电磁转换特性的磁带的制作。六方晶锶铁氧体粉末的活化体积优选为800nm³以上，例如也能够为850nm³以上。并且，从进一步提高电磁转换特性的观点考虑，更优选为六方晶锶铁氧体粉末的活化体积为1400nm³以下，进一步优选为1300nm³以下，进一步优选为1200nm³以下，更进一步优选为1100nm³以下。

“活化体积”为磁化反转的单位，是表示粒子的磁强度的指标。本发明及本说明书中所记载的活化体积及后述的异向性常数Ku为如下值，即，该值使用振动试样型磁力计测量3分钟和30分钟的保磁力Hc测量部的磁场扫描速度(测量温度：23℃±1℃)，并根据以下Hc和活化体积V的关系式求出。另外，关于异向性常数Ku的单位，为1erg/cc＝1.0×10^-1J/m³。Hc＝2Ku/Ms{1-[(kT/KuV)ln(At/0.693)]^1/2}

[上述式中，Ku：异向性常数(单位：J/m³)、Ms：饱和磁化(单位：kA/m)、k：波兹曼常数(Boltzmann constant)、T：绝对温度(单位：K)、V：活化体积(单位：cm³)、A：自旋进动频率(单位：s^-1)、t：磁场反转时间(单位：s)]

作为热震动的减少，换言之，作为热稳定性的提高的指标，能够举出异向性常数Ku。六方晶锶铁氧体粉末优选为能够具有1.8×10⁵J/m³以上的Ku，更优选为能够具有2.0×10⁵J/m³以上的Ku。并且，六方晶锶铁氧体粉末的Ku例如能够为2.5×10⁵J/m³以下。但是，Ku越高意味着热稳定性越高因而优选，因此并不限定于上述所例示的值。

从提高在再生磁带上所记录的数据时的再生输出的观点考虑，期望磁带中所包含的强磁性粉末的质量磁化σs高。关于这一点，可以观察到虽然包含稀土类原子但是不具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末与不包含稀土类原子的六方晶锶铁氧体粉末相比趋于σs大幅度降低。相对于此，认为在抑制这种σs的大幅度降低方面，也优选为具有稀土类原子表层部偏在性的六方晶锶铁氧体粉末。一方式中，六方晶锶铁氧体粉末的σs能够为45A·m²/kg以上，也能够为47A·m²/kg以上。另一方面，从降低噪音的观点考虑，σs优选为80A·m²/kg以下，更优选为60A·m²/kg以下。关于σs，能够使用振动试样型磁力计等能够测量磁性的公知的测量装置进行测量。在本发明及本说明书中，除非另有说明，则将质量磁化σs设为在磁场强度15kOe下测量的值。1[kOe]＝10⁶/4π[A/m]。

在上述磁带在磁性层中包含六方晶锶铁氧体粉末的情况下，磁性层的异方性磁场Hk优选为14kOe以上，更优选为16kOe以上，进一步优选为18kOe以上。并且，上述磁性层的异方性磁场Hk优选为90kOe以下，更优选为80kOe以下，进一步优选为70kOe以下。

本发明及本说明书中的异方性磁场Hk是指在沿难磁化轴(hard axis)方向施加磁场时磁化饱和的磁场。关于异方性磁场Hk，能够使用振动试样型磁力计等能够测量磁性的公知的测量装置进行测量。在包含六方晶锶铁氧体粉末的磁性层中，磁性层的难磁化轴方向为面内方向。

作为强磁性粉末的优选地具体例，也能够举出金属粉末。关于金属粉末的详细内容，例如能够参考日本特开2011-216149号公报的0137～0141段及日本特开2005-251351号公报的0009～0023段。

作为强磁性粉末的优选地具体例，也能够举出ε-氧化铁粉末。作为ε-氧化铁粉末的制造方法，已知有由针铁矿(goethite)制作的方法及反微胞法(Reverse micellemethod)等。上述制造方法均为公知。并且，关于制造Fe的一部分经Ga、Co、Ti、Al、Rh等取代原子取代的ε-氧化铁粉末的方法，例如能够参考“J.Jpn.Soc.Powder MetallurgyVol.61Supplement,No.S1,pp.S280-S284,J.Mater.Chem.C,2013,1,pp.5200-5206”等。但是，在上述磁性层中能够用作强磁性粉末的ε-氧化铁粉末的制造方法并没有限定。

作为强磁性粉末使用ε-氧化铁粉末的情况下的优选方式为如下。

ε-氧化铁粉末的活化体积优选为在300～1500nm³的范围内。表示上述范围的活化体积的被微粒化的ε-氧化铁粉末适用于发挥优异的电磁转换特性的磁带的制作。ε-氧化铁粉末的活化体积优选为300nm³以上，例如也能够为500nm³以上。并且，从进一步提高电磁转换特性的观点考虑，更优选为ε-氧化铁粉末的活化体积为1400nm³以下，进一步优选为1300nm³以下，进一步优选为1200nm³以下，更进一步优选为1100nm³以下。

作为热震动的减少，换言之，作为热稳定性的提高的指标，能够举出异向性常数Ku。ε-氧化铁粉末优选为能够具有3.0×10⁴J/m³以上的Ku，更优选为能够具有8.0×10⁴J/m³以上的Ku。并且，ε-氧化铁粉末的Ku例如能够为3.0×10⁵J/m³以下。但是，Ku越高意味着热稳定性越高因而优选，因此并不限定于上述所例示的值。

从提高在再生磁带上所记录的数据时的再生输出的观点考虑，期望磁带中所包含的强磁性粉末的质量磁化σs高。关于这一点，一方式中，ε-氧化铁粉末的σs能够为8A·m²/kg以上，也能够为12A·m²/kg以上。另一方面，从降低噪音的观点考虑，ε-氧化铁粉末的σs优选为40A·m²/kg以下，更优选为35A·m²/kg以下。

在上述磁带在磁性层中包含ε-氧化铁粉末的情况下，磁性层的异方性磁场Hk优选为18kOe以上，更优选为30kOe以上，进一步优选为38kOe以上。并且，磁性层的异方性磁场Hk优选为100kOe以下，更优选为90kOe以下，进一步优选为75kOe以下。在包含ε-氧化铁粉末的磁性层中，磁性层的难磁化轴方向为面内方向。

在本实施方式中，除非另有说明，则将强磁性粉末等各种粉末的平均粒径设为使用透射型电子显微镜并通过以下方法进行测量的值。

使用透射型电子显微镜以100000倍的拍摄倍率拍摄粉末，并将其打印到相纸上以使其总倍率成为500000倍，从而获得构成粉末的粒子的像片。利用从所获得的粒子的像片选择目标粒子的数字转换器(Digitizer)跟踪粒子的轮廓并测量粒子(一次粒子)的尺寸。一次粒子是指没有凝聚的独立的粒子。

对随机抽取的500个粒子进行以上的测量。将如此所获得的500个粒子的粒径的算术平均设为粉末的平均粒径。作为上述透射型电子显微镜，例如能够使用Hitachi,Ltd.制透射型电子显微镜H-9000型。并且，关于粒径的测量，能够使用公知的图像解析软件(例如，Carl Zeiss Co.,Ltd.制图像解析软件KS-400)来进行。除非另有说明，则后述的实施例所示的平均粒径为作为透射型电子显微镜使用Hitachi,Ltd.制透射型电子显微镜H-9000型且作为图像解析软件使用Carl Zeiss Co.,Ltd.制图像解析软件KS-400来测量的值。在本发明及本说明书中，粉末是指多个粒子的集合。例如，强磁性粉末是指多个强磁性粒子的集合。并且，多个粒子的集合并不限定于构成集合的粒子直接接触的方式，也包括后述的粘结剂及添加剂等介于粒子彼此之间的方式。所谓粒子的术语有时用于表示粉末。

作为为了测量粒径而从磁记录介质采取试样粉末的方法，例如能够采用日本特开2011-048878号公报的0015段中所记载的方法。

在本实施方式中，除非另有说明，则关于构成粉末的粒子的尺寸(粒径)，在上述粒子像片中所观察的粒子的形状为

(1)针状、纺锤状、柱状(但是，高度大于底面的最大长径)等的情况下，由构成粒子的长轴的长度即长轴长度表示，

(2)在为板状或者柱状(但是，厚度或者高度小于板面或者底面的最大长径)的情况下，由其板面或者底面的最大长径表示，

(3)在为球形、多面体状及未指定形状等且无法从形状确定构成粒子的长轴的情况下，由当量圆直径表示。当量圆直径是使用圆投影法求出的直径。

并且，粉末的平均针状比是指在上述测量中测量粒子的短轴的长度即短轴长度并求出各粒子的(长轴长度/短轴长度)的值来对上述500个粒子所获得的值进行算术平均。在此，除非另有说明，则根据上述粒径的定义，短轴长度在(1)的情况下是指构成粒子的短轴的长度，相同地在(2)的情况下分别是指厚度或者高度，在(3)的情况下长轴与短轴没有区别，因此方便起见将(长轴长度/短轴长度)视为1。

进而，除非另有说明，则当粒子的形状为特定时，例如，根据上述粒径的定义为(1)的情况下，平均粒径为平均长轴长度，根据相同定义为(2)的情况下，平均粒径为平均板径。根据相同定义为(3)的情况下，平均粒径为平均直径(也称为平均粒径、平均粒子径)。

磁性层中的强磁性粉末的含量(填充率)优选为在50～90质量％的范围内，更优选为在60～90质量％的范围内。磁性层的除了强磁性粉末以外的成分至少为粘结剂，能够任意包含一种以上的其他添加剂。从提高记录密度的观点考虑，优选为在磁性层中强磁性粉末的填充率高。

(粘结剂、固化剂)

上述磁记录介质为涂布型磁记录介质，在磁性层中包含粘结剂。粘结剂是指一种以上的树脂。作为粘结剂，能够使用作为涂布型磁记录介质的粘结剂通常所使用的各种树脂。例如，作为粘结剂，能够单独使用选自聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、氯乙烯树脂、共聚苯乙烯、丙烯腈及甲基丙烯酸甲酯等而得的丙烯酸树脂、硝基纤维素等纤维素树脂、环氧树脂、苯氧基树脂、聚乙烯缩醛及聚乙烯醇缩丁醛等聚乙烯烷醚树脂等的树脂，或者混合多个树脂来进行使用。这些之中，优选为聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、纤维素树脂及氯乙烯树脂。这些树脂可以为均聚物，也可以为Copolymer(共聚物)。这些树脂在后述的非磁性层和/或背涂层中也能够用作粘结剂。关于以上粘结剂，能够参考日本特开2010-24113号公报的0028～0031段。并且，粘结剂也可以为电子束固化型树脂等放射线固化型树脂。关于放射线固化型树脂，能够参考日本特开2011-048878号公报的0044～0045段。

关于用作粘结剂的树脂的平均分子量，作为重均分子量，例如能够为10,000以上且200,000以下。本发明及本说明书中的重均分子量为使用凝胶渗透色谱法(GPC)对在下述测量条件下所测量的值进行聚苯乙烯换算来求出的值。后述的实施例所示的粘结剂的重均分子量为对在下述测量条件下所测量的值进行聚苯乙烯换算来求出的值。

GPC装置：HLC-8120(TOSOH CORPORATION制)

管柱：TSK gel Multipore HXL-M(TOSOH CORPORATION制，7.8mmID(InnerDiameter：内径)×30.0cm)

洗脱液：四氢呋喃(THF)

并且，除了粘结剂以外也能够使用固化剂。关于固化剂，一方式中能够为通过加热而进行固化反应(交联反应)的化合物即热固化性化合物，另一方式中能够为通过光照射而进行固化反应(交联反应)的光固化性化合物。通过在磁记录介质的制造工序中进行固化反应，固化剂的至少一部分能够以与粘结剂等其他成分进行了反应(交联)的状态包含于磁性层。优选的固化剂为热固化性化合物，优选为聚异氰酸酯。关于聚异氰酸酯的详细内容，能够参考日本特开2011-216149号公报的0124～0125段。在磁性层形成用组合物中，固化剂相对于粘结剂100.0质量份例如能够以0～80.0质量份的量进行使用，从提高磁性层等各层的强度的观点考虑，优选为能够以50.0～80.0质量份的量进行使用。

(其他成分)

在磁性层中，除了上述各种成分以外，根据需要也可以包含有一种以上的添加剂。关于添加剂，能够根据所期望的性质适当选择市售品来进行使用。并且，也能够将使用公知的方法合成的化合物用作添加剂。作为添加剂的一例，可以举出上述固化剂。并且，作为能够包含于磁性层中的添加剂，能够举出非磁性填料、润滑剂、分散剂、分散助剂、抗菌剂、抗静电剂及抗氧化剂等。非磁性填料的含义与非磁性粒子或者非磁性粉末相同。作为非磁性填料，能够举出能够作为突起形成剂及研磨剂而发挥功能的非磁性填料(以下，记载为“研磨剂”)。并且，作为添加剂，也能够使用日本特开2016-051493号公报的0030～0080段中所记载的各种聚合物等公知的添加剂。

作为非磁性填料的一方式的突起形成剂，能够使用无机物质的粒子，也能够使用有机物质的粒子，还能够使用无机物质与有机物质的复合粒子。作为无机物质，能够举出金属氧化物等无机氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物及金属硫化物等，优选为无机氧化物。一方式中，突起形成剂能够为无机氧化物系粒子。在此，“系”以“包含”的含义被使用。无机氧化物系粒子的一方式为由无机氧化物组成的粒子。并且，无机氧化物系粒子的另一方式为无机氧化物与有机物质的复合粒子，作为具体例，能够举出无机氧化物与聚合物的复合粒子。作为这种粒子，例如能够举出在无机氧化物系粒子的表面上键合有聚合物的粒子。

上述S_0.5主要能够通过突起形成剂的粒径来进行控制。突起形成剂的平均粒径例如为30～300nm，优选为40～200nm。并且，通过磁记录介质的制造条件，主要能够控制S_0.5。另一方面，关于S_13.5，除了突起形成剂的粒径以外，能够通过突起形成剂的形状来进行控制。粒子的形状越接近真球的粒子，在施加了较大压力时所产生的按压阻力越小，因此变得容易按压于磁性层内部，S_13.5容易变小。相对于此，若粒子的形状为脱离真球的形状、例如所谓被称为异形的形状，则在施加了较大压力时容易产生较大按压阻力，因此变得难以按压于磁性层内部，S_13.5容易变大。并且，即使是粒子表面不均匀且表面平滑性低的粒子，在施加了较大压力时也容易产生较大按压阻力，因此变得难以按压于磁性层内部，S_13.5容易变大。进而，通过控制S_0.5及S_13.5，能够将差分(S_0.5-S_13.5)设为3.0nm以下。

作为非磁性填料的另一方式的研磨剂优选莫氏硬度超过8的非磁性粉末，更优选莫氏硬度为9以上的非磁性粉末。相对于此，突起形成剂的莫氏硬度例如能够为8以下或者7以下。另外，莫氏硬度的最大值为金刚石的10。具体而言，能够举出矾土(Al₂O₃)、碳化硅、碳化硼(B₄C)、SiO₂、TiC、氧化铬(Cr₂O₃)、氧化铈、氧化锆(ZrO₂)、氧化铁及金刚石等粉末，其中，优选为α-矾土等矾土粉末及碳化硅粉末。并且，研磨剂的平均粒径例如在30～300nm的范围内，优选为在50～200nm的范围内。

并且，从突起形成剂及研磨剂能够更加良好地发挥它们的功能的观点考虑，磁性层中的突起形成剂的含量相对于强磁性粉末100.0质量份优选为1.0～4.0质量份，更优选为1.5～3.5质量份。另一方面，研磨剂在磁性层中的含量相对于强磁性粉末100.0质量份优选为1.0～20.0质量份，更优选为3.0～15.0质量份，进一步优选为4.0～10.0质量份。

作为能够用于包含研磨剂的磁性层中的添加剂的一例，能够举出将日本特开2013-131285号公报的0012～0022段中所记载的分散剂作为用于提高磁性层形成用组合物中的研磨剂的分散性的分散剂。并且，关于分散剂，能够参考日本特开2012-133837号公报的0061及0071段。分散剂可以包含于非磁性层。关于能够包含于非磁性层的分散剂，能够参考日本特开2012-133837号公报的0061段。

作为能够包含于磁性层的添加剂的一方式的润滑剂，能够举出选自由脂肪酸、脂肪酸酯及脂肪酸酰胺组成的组中的一种以上的润滑剂。上述S_0.5及S_13.5为进行正己烷清洗后测量的值。若在进行间距测量时被按压的磁性层的表面上存在润滑剂的液膜，则所测量的间距会变窄与该液膜的厚度相对应的量。相对于此，推测在按压时能够作为液膜存在的润滑剂能够通过正己烷清洗来去除。因此，认为通过在进行正己烷清洗后测量间距，能够作为与磁性层表面的突起的存在状态(突起的高度)良好地对应的值获得间距的测量值。

作为脂肪酸，例如能够举出月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚麻油酸、亚麻酸、二十二酸、芥酸及反油酸等，优选为硬脂酸、肉豆蔻酸及棕榈酸，更优选为硬脂酸。脂肪酸也可以以金属盐等盐的形态包含于磁性层。

作为脂肪酸酯，例如能够举出月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚麻油酸、亚麻酸、二十二酸、芥酸及反油酸等酯。作为具体例，例如能够举出肉豆蔻酸丁酯、棕榈酸丁酯、硬脂酸丁酯(硬酯酸丁酯(Butyl stearate))、季戊烷乙二醇双十八稀酸盐(neopentylglycol dioleate)、脱水山梨糖醇单硬脂酸酯、脱水山梨糖醇二硬脂酸酯、脱水山梨糖醇三硬脂酸酯、油酸油烯基、硬脂酸异癸酯、硬脂酸异三癸酯、硬脂酸辛酯、硬脂酸异辛酯、硬脂酸戊酯及硬脂酸丁氧基乙基等。

作为脂肪酸酰胺，能够举出上述各种脂肪酸的酰胺、例如月桂酸酰胺、肉豆蔻酸酰胺、棕榈酸酰胺及硬脂酸酰胺等。

关于脂肪酸和脂肪酸的衍生物(酰胺及酯等)，优选为脂肪酸衍生物的来自于脂肪酸的部位具有与同时使用的脂肪酸相同或者类似的结构。例如，作为一例，在作为脂肪酸使用硬脂酸的情况下，优选为使用硬脂酸酯和/或硬脂酸酰胺。

磁性层形成用组合物的脂肪酸含量相对于强磁性粉末100.0质量份例如为0～10.0质量份，优选为0.1～10.0质量份，更优选为1.0～7.0质量份。磁性层形成用组合物的脂肪酸酯含量相对于强磁性粉末100.0质量份例如为0～10.0质量份，优选为0.1～10.0质量份，更优选为1.0～7.0质量份。磁性层形成用组合物的脂肪酸酰胺含量相对于强磁性粉末100.0质量份例如为0～3.0质量份，优选为0～2.0质量份，更优选为0～1.0质量份。

并且，在上述磁记录介质在非磁性支撑体与磁性层之间具有非磁性层的情况下，非磁性层形成用组合物的脂肪酸含量相对于非磁性粉末100.0质量份例如为0～10.0质量份，优选为1.0～10.0质量份，更优选为1.0～7.0质量份。非磁性层形成用组合物的脂肪酸酯含量相对于非磁性粉末100.0质量份例如为0～15.0质量份，优选为0.1～10.0质量份。非磁性层形成用组合物的脂肪酸酰胺含量相对于非磁性粉末100.0质量份例如为0～3.0质量份，优选为0～1.0质量份。

＜非磁性层＞

接着，对非磁性层进行说明。上述磁记录介质可以在非磁性支撑体上具有直接磁性层，也可以在非磁性支撑体与磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层。在非磁性层中所使用的非磁性粉末可以为无机物质的粉末(无机粉末)，也可以为有机物质的粉末(有机粉末)。并且，也能够使用碳黑等。作为无机物质，例如可以举出金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物及金属硫化物等。这些非磁性粉末能够作为市售品而获得，也能够使用公知的方法来制造。关于其详细内容，能够参考日本特开2011-216149号公报的0146～0150段。关于能够使用于非磁性层的碳黑，也能够参考日本特开2010-24113号公报的0040～0041段。非磁性层中的非磁性粉末的含量(填充率)优选为在50～90质量％的范围内，更优选为在60～90质量％的范围内。

关于非磁性层的粘结剂、添加剂等其他详细内容，能够适用与非磁性层有关的公知技术。并且，例如，关于粘结剂的种类及含量、添加剂的种类及含量等，也能够适用与磁性层有关的公知技术。

在上述磁记录介质的非磁性层中，除了非磁性粉末以外，例如还包含作为杂质或者有意地包含少量的强磁性粉末的实质上非磁性的层。在此，将实质上非磁性的层设为该层的残留磁通密度为10mT以下或保磁力为7.96kA/m(100Oe)以下、或者残留磁通密度为10mT以下并且保磁力为7.96kA/m(100Oe)以下的层。非磁性层优选为不具有残留磁通密度及保磁力。

＜非磁性支撑体＞

接着，对非磁性支撑体进行说明。作为非磁性支撑体(以下，也简单记载为“支撑体”。)，可以举出进行了二轴延伸的聚对酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺基及芳香族聚酰胺等公知的物质。这些之中，优选为聚对酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚酰胺。在这些支撑体中，也可以预先进行电晕放电、等离子体处理、易接着处理及加热处理等。

＜背涂层＞

上述磁记录介质也能够在非磁性支撑体的与具有磁性层的表面侧相反的一侧的表面侧具有包含非磁性粉末及粘结剂的背涂层。在背涂层中，优选为含有碳黑及无机粉末中的一个或者两个。关于背涂层中所包含的粘结剂、能够任意包含的各种添加剂，能够适用与背涂层有关的公知技术，也能够适用与磁性层和/或非磁性层的配方有关的公知技术。例如，关于背涂层，能够参考日本特开2006-331625号公报的0018～0020段及美国专利第7，029，774号说明书的第4栏第65行～第5栏第38行的记载。

＜各种厚度＞

非磁性支撑体的厚度例如在3.0～80.0μm的范围内，优选为在3.0～50.0μm的范围内，更优选为在3.0～10.0μm的范围内。

从近年来要求的高密度记录化的观点考虑，磁性层的厚度优选为100nm以下。磁性层的厚度更优选为在10nm～100nm的范围内，进一步优选为在20～90nm的范围内。磁性层至少具有一层即可，也可以将磁性层分离成具有不同的磁性的2层以上，能够适用公知的与多层磁性层有关的结构。将在分离成2层以上的情况下的磁性层的厚度设为这些层的合计厚度。

非磁性层的厚度例如为0.1～1.5μm，优选为0.1～1.0μm。

背涂层的厚度优选为0.9μm以下，进一步优选为在0.1～0.7μm的范围内。

关于磁记录介质的各层及非磁性支撑体的厚度，能够通过公知的膜厚测量法来求出。作为一例，例如，通过离子束、切片机等公知的方法使磁记录介质的厚度方向的截面暴露之后，在所暴露的截面中，使用扫描型电子显微镜进行截面观察。在截面观察中，对在1个部位中所求出的厚度或者随机抽取的2个部位以上的多个部位、例如在2个部位中所求出的厚度进行算术平均，从而能够求出各种厚度。并且，各层的厚度可以作为根据制造条件计算出的设计厚度而求出。

＜制造方法＞

(各层形成用组合物的制备)

关于用于形成磁性层、非磁性层或者背涂层的组合物，除了先前所说明的各种成分以外，通常包含溶剂。作为溶剂，能够使用为了制造涂布型磁记录介质而通常所使用的各种有机溶剂。其中，从在涂布型磁记录介质中通常所使用的粘结剂的溶解性的观点考虑，在各层形成用组合物中，优选为包含有丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、二异丁基酮、环己酮、异佛尔酮及四氢呋喃等酮溶剂的一种以上。各层形成用组合物中的溶剂量并无特别限定，能够设为与通常的涂布型磁记录介质的各层形成用组合物相同。并且，关于制备各层形成用组合物的工序，通常至少能够包括混练工序、分散工序及在这些工序的前后根据需要设置的混合工序。各个工序分别可以分为2阶段以上。在各层形成用组合物的制备中所使用的成分可以在任一工序的开始或者中途添加。并且，可以在2个以上的工序中分开添加各个成分。例如，可以在混练工序、分散工序及用于分散后的粘度调整的混合工序中分开投入粘结剂。磁记录介质的制造工序中，能够在一部分或者所有的工序中使用以往公知的制造技术。混练工序中，优选为使用开放式混练机(open kneader)、连续混练机、加压混练机、挤出机等具有强混练力的混练机。关于这些混练处理的详细内容，记载于日本特开平1-106338号公报及日本特开平1-79274号公报中。并且，为了分散各层形成用组合物，能够使用玻璃珠和/或其他珠。作为这种分散珠，优选为作为高比重的分散珠的二氧化锆珠、二氧化钛珠及钢珠。关于这些分散珠，优选为使粒径(珠直径)和填充率优化来进行使用。分散机能够使用公知的分散机。可以在进行涂布工序之前通过公知的方法过滤各层形成用组合物。关于过滤，例如能够通过过滤器过滤来进行。作为用于过滤的过滤器，例如能够使用孔径为0.01～3μm的过滤器(例如，玻璃纤维制过滤器、聚丙烯制过滤器等)。

(涂布工序)

关于磁性层，例如能够通过将磁性层形成用组合物直接涂布于非磁性支撑体上、或者将磁性层形成用组合物与非磁性层形成用组合物依次或者同时多层涂布于非磁性支撑体上来形成。进行取向处理的方式中，在磁性层形成用组合物的涂布层处于湿润状态时，在取向区域中相对于涂布层进行取向处理。关于取向处理，能够适用以日本特开2010-24113号公报的0052段的记载为首的各种公知技术。例如，关于垂直取向处理，能够通过使用相对极磁铁的方法等公知的方法来进行。取向区域中，能够通过干燥风的温度、风量和/或取向区域中的输送速度来控制涂布层的干燥速度。并且，可以在输送到取向区域之前对涂布层进行预先干燥。

关于背涂层，能够通过将背涂层形成用组合物涂布于非磁性支撑体的与具有磁性层的(或者追加设置磁性层)一侧相反的一侧来形成。关于用于形成各层的涂布的详细内容，能够参考日本特开2010-231843号公报的0066段。

(其他工序)

进行了上述涂布工序之后，通常，为了提高磁记录介质的表面平滑性而实施压光处理。趋于越强化压光条件，在所制造的磁记录介质中通过突起形成剂形成的磁性层表面的突起的高度变得越低。由此，例如能够使S_0.5降低。作为压光条件，能够举出压光辊的种类及级数、压光压力、压光温度(压光辊的表面温度)、压光速度等。压光压力例如为200～500kN/m，优选为250～350kN/m，压光温度例如为70～120℃，优选为80～100℃，压光速度例如为50～300m/min，优选为80～200m/min。并且，趋于作为压光辊越使用表面硬的辊且越增加级数，磁性层表面越平滑化，因此也能够通过压光辊的组合及级数来调整磁性层表面的突起的高度。

关于用于制造磁记录介质的其他各种工序，能够参考日本特开2010-231843号公报的0067～0070段。

(伺服图案的形成)

在如上述所制造的磁带上，为实现成能够进行磁记录再生装置中的磁头的追踪控制及磁带的行驶速度的控制等，能够通过公知的方法来形成伺服图案。“伺服图案的形成”也能够称为“伺服信号的记录”等。以下，对伺服图案的形成进行说明。

伺服图案通常沿磁带的长边方向形成。作为利用伺服信号的控制(伺服控制)的方式，可以举出时基伺服(TBS：Timing based servo)、振幅伺服、频率伺服等。

如ECMA(European Computer Manufacturers Association：欧洲计算机制造商协会)-319所示，以LTO(Linear Tape-Open：开放线性磁带)规格为基准的磁带(通常被称为“LTO磁带”。)中，采用了时基伺服方式。在该时基伺服方式中，伺服图案构成为相互不平行的一对磁条(也称为“伺服条”。)沿磁带的长边方向连续配置多个。在本发明及本说明书中，“时基伺服图案”是指设为能够进行时基伺服方式的伺服系统中的磁头追踪的伺服图案。如上述，由相互不平行的一对磁条构成伺服图案的原因在于，是为了向通过伺服图案上的伺服信号读取元件通知其通过位置。具体而言，上述一对磁条形成为其间隔沿磁带的宽度方向连续变化，通过伺服信号读取组件读取其间隔，能够知道伺服图案与伺服信号读取元件的相对位置。该相对位置的信息能够追踪数据磁道。因此，在伺服图案上，通常沿磁带的宽度方向设定有多个伺服磁道。

伺服带由沿磁带的长边方向连续的伺服信号构成。通常，在磁带上设置多条该伺服带。例如，在LTO磁带上，其数量为5条。夹在相邻的2条伺服带之间的区域被称为数据带。数据带由多个数据磁道构成，各数据磁道对应于各伺服磁道。

并且，一方式中，如日本特开2004-318983号公报所示，在各伺服带上嵌入有表示伺服带的号码的信息(也称为“伺服带ID(identification：标识)”或者“UDIM(UniqueDataBand Identification Method：唯一数据带标识方法)信息”。)。该伺服带ID通过使在伺服带上具有多个的一对伺服条中的特定的一对以其位置沿磁带的长边方向相对位移的方式移动来进行记录。具体而言，在每一个伺服带改变具有多个的一对伺服条中的特定的伺服带的移动方法。由此，所记录的伺服带ID针对每一个伺服带都是唯一的，因此仅通过使用伺服信号读取组件读取一个伺服带，就能够唯一地(uniquely)确定该伺服带。

另外，在唯一地确定伺服带的方法中，还存在使用了如ECMA-319所示的交错(Staggered)方式的方法。该交错方式中，将沿磁带的长边方向连续配置多个的相互不平行的一对磁条(伺服条)的组记录为在每一个伺服带上沿磁带的长边方向移动。相邻的伺服带之间的该移动方式的组合在磁带整体中是唯一的，因此在通过2个伺服信号读取元件读取伺服图案时，也能够唯一地确定伺服带。

并且，在各伺服带上，如ECMA-319所示，通常也嵌入有表示磁带的长边方向的位置的信息(也称为“LPOS(Longitudinal Position：纵向方位)信息”。)。该LPOS信息也与UDIM信息相同地，通过沿磁带的长边方向移动来记录一对伺服条的位置。但是，与UDIM信息不同，该LPOS信息中，在各伺服带上记录有相同的信号。

也能够将与上述UDIM信息及LPOS信息不同的其他信息嵌入到伺服带。此时，所嵌入的信息可以如UDIM信息那样针对每一个伺服带不同，也可以如LPOS信息那样针对所有的伺服带都是公用的。并且，作为在伺服带上嵌入信息的方法，也能够采用除了上述以外的方法。例如，可以设成通过从一对伺服条的组中减去预定的一对来记录预定的代码。

伺服图案形成用磁头被称为伺服写头。伺服写头仅具有伺服带的数量程度的与上述一对磁条对应的一对间隙。通常，在各一对间隙中，分别连接有芯和线圈，能够通过向线圈供给电流脉冲，使芯中所产生的磁场在一对间隙之间产生泄露磁场。在形成伺服图案时，通过一边使磁带在伺服写头上行驶一边输入电流脉冲，能够将与一对间隙对应的磁图案转印到磁带上来形成伺服图案。关于各间隙的宽度，能够根据所形成的伺服图案的密度适当设定。各间隙的宽度例如能够设定为1μm以下、1～10μm、10μm以上等。

在磁带上形成伺服图案之前，通常，对磁带实施消磁(抹除(Erase))处理。关于该抹除处理，能够通过使用直流磁铁或者交流磁铁对磁带施加均匀的磁场来进行。在抹除处理中，具有DC(Direct Current：直流电)抹除和AC(Alternating Current：交流电)抹除。关于AC抹除，通过一边使施加于磁带的磁场的方向反转一边缓慢降低该磁场的强度来进行。另一方面，关于DC抹除，通过对磁带施加一个方向的磁场来进行。在DC抹除中，进一步具有2个方法。第一方法为沿磁带的长边方向施加一个方向的磁场的水平DC抹除。第二方法为沿磁带的厚度方向施加一个方向的磁场的垂直DC抹除。抹除处理可以对磁带整体进行，也可以对磁带的每一个伺服带进行。

所形成的伺服图案的磁场的方向根据抹除的方向来确定。例如，在对磁带实施水平DC抹除的情况下，伺服图案的形成以磁场的方向成为与抹除的方向相反的方向的方式进行。由此，能够增大读取伺服图案而获得的伺服信号的输出。另外，如日本特开2012-53940号公报所示，在对经垂直DC抹除的磁带进行使用了上述间隙的磁图案的转印的情况下，读取所形成的伺服图案而获得的伺服信号成为单极脉冲形状。另一方面，在对经水平DC抹除的磁带进行使用了上述间隙的磁图案的转印的情况下，读取所形成的伺服图案而获得的伺服信号成为双极脉冲形状。

接着，参考图10，对在将目标记录于本实施方式的信息处理装置12的磁带T的情况下的作用进行说明。通过由CPU20执行记录程序30来执行图10所示的记录处理。关于图10所示的记录处理，例如，在通过接收部40接收从终端16发送的数据及元数据且将数据及元数据分别存储于数据高速缓存区44及元数据DB46之后执行。另外，在此，这里假定记录对象的磁带T被加载到磁带驱动器18中。

图10的步骤S10中，记录部42获取存储于数据高速缓存区44的数据及存储于元数据DB46的相对应的元数据。在反复执行本步骤S10时，记录部42获取目前为止尚未获取的数据及元数据。

步骤S12中，记录部42判定在紧接于磁带T的数据分区DP上的目标的记录位置的位置上记录有第2集合数据且该第2集合数据的尺寸是否为预定的尺寸以下。在该判定成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S16，在成为否定判定的情况下，处理转移到步骤S14。

步骤S14中，记录部42不删除数据分区DP的第2集合数据而记录包含通过步骤S10的处理所获取的数据及元数据的目标。另一方面，步骤S16中，记录部42将包含通过步骤S10的处理所获取的数据及元数据的目标覆写到预定的尺寸以下的第2集合数据来进行记录。

步骤S18中，记录部42通过反复进行从步骤S10至步骤S16的处理来判定数据分区DP中所记录的目标的尺寸的合计是否超过了预定的尺寸。在该判定成为否定判定的情况下，处理返回到步骤S10，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S20。

步骤S20中，如前述，记录部42将在上一次的步骤S20中所记录的之前的第1集合数据之后所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据记录于数据分区DP。步骤S22中，如前述，记录部42将在上一次的步骤S22中所记录的之前的第2集合数据之后在数据分区DP中所记录的第1集合数据的集合即第2集合数据记录于数据分区DP。

步骤S24中，记录部42判定通过步骤S22的处理所记录的第2集合数据的尺寸是否超过预定的尺寸。在该判定成为否定判定的情况下，处理转移到步骤S28，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S26。步骤S26中，记录部42将通过步骤S22的处理所记录的第2集合数据记录于(复制)参考分区RP。

步骤S28中，记录部42判定是否已将存储于数据高速缓存区44的所有的数据记录于数据分区DP。在该判定成为否定判定的情况下，处理返回到步骤S10，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S30。步骤S30中，记录部42将第1集合数据及第2集合数据记录于数据分区DP并将第2集合数据记录于参考分区RP。

步骤S32中，记录部42控制磁带库14，将磁带T从磁带驱动器18卸除。若步骤S32的处理结束，则记录处理结束。

接着，参考图11对如上说明那样从记录有目标的磁带T读取目标的情况下的信息处理装置12的功能结构进行说明。如图11所示，信息处理装置12包含读取部50、接收部52、确定部54及发送部56。通过由CPU20执行读取程序32来作为读取部50、接收部52、确定部54及发送部56而发挥功能。

在从故障恢复时等，信息处理装置12的管理者使磁带T加载到磁带驱动器18。若磁带T被加载到磁带驱动器18，则如下所示，读取部50将元数据存储于元数据DB46。即，此时，读取部50依次参考所加载的磁带T的参考分区RP中所记录的第2集合数据、数据分区DP中所记录的第2集合数据、数据分区DP中所记录的第1集合数据及数据分区DP中所记录的元数据来将元数据存储于元数据DB46。

具体而言，读取部50读取参考分区RP中所记录的第2集合数据并将所读取的第2集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。并且，在参考分区RP中不存在第2集合数据的情况下，读取部50读取数据分区DP中所记录的第2集合数据并将所读取的第2集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。

并且，在参考分区RP及数据分区DP中不存在第2集合数据的情况下，读取部50读取数据分区DP中所记录的第1集合数据并将所读取的第1集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。

并且，在参考分区RP及数据分区DP中不存在第2集合数据及第1集合数据的情况下，读取部50读取数据分区DP中所记录的元数据并将所读取的元数据存储于元数据DB46。另外，读取部50在读取被记录于磁带T上的元数据时，也可以不读取通过散列值等的比较而已经存在于元数据DB46中的元数据。

并且，读取部50读取通过后述的确定部54确定的磁带T上的位置中所记录的目标。

接收部52经由网络I/F25接收从终端16经由网络N发送的目标的读取指示。在该读取指示中，包含有目标固有的识别信息。

确定部54参考元数据DB46并使用包含通过接收部52接收的识别信息的元数据来确定其识别信息所示的目标在磁带T上的位置。

发送部56将通过读取部50读取的目标经由网络I/F25发送到终端16。

接着，参考图12及图13对从本实施方式所涉及的信息处理装置12的磁带T读取目标的情况下的作用进行说明。通过由CPU20执行读取程序32来执行图12所示的元数据存储处理及图13所示的目标读取处理。图12所示的元数据存储处理例如在磁带T被加载到磁带驱动器18的情况下执行。并且，图13所示的目标读取处理例如在由信息处理装置12接收从终端16经由网络N发送的目标的读取指示的情况下执行。

图12的步骤S40中，读取部50判定在所加载的磁带T的参考分区RP中是否存在第2集合数据。在该判定成为否定判定的情况下，处理转移到步骤S44，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S42。步骤S42中，读取部50读取参考分区RP中所记录的第2集合数据并将所读取的第2集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。

步骤S44中，读取部50判定在所加载的磁带T的数据分区DP中是否存在第2集合数据。在该判定成为否定判定的情况下，处理转移到步骤S48，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S46。步骤S46中，读取部50读取数据分区DP中所记录的第2集合数据并将所读取的第2集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。

步骤S48中，读取部50判定在所加载的磁带T的数据分区DP中是否存在第1集合数据。在该判定成为否定判定的情况下，处理转移到步骤S52，在成为肯定判定的情况下，处理转移到步骤S50。步骤S50中，读取部50读取数据分区DP中所记录的第1集合数据并将所读取的第1集合数据中所包含的元数据存储于元数据DB46。

步骤S52中，读取部50读取数据分区DP中所记录的元数据并将所读取的元数据存储于元数据DB46。若步骤S42、步骤S46、步骤S50或者步骤S52的处理结束，则元数据存储处理结束。

图13的步骤S60中，如前述，接收部52经由网络I/F25接收从终端16经由网络N发送的目标的读取指示。步骤S62中，确定部54参考元数据DB46并使用包含通过步骤S60的处理而接收的识别信息的元数据来确定其识别信息所示的目标在磁带T上的位置。

步骤S64中，读取部50读取通过步骤S62的处理而确定的磁带T上的位置中所记录的目标。步骤S66中，发送部56将通过步骤S64的处理读取的目标经由网络I/F25发送到终端16。步骤S68中，读取部50控制磁带库14，将磁带T从磁带驱动器18卸除。若步骤S68的处理结束，则目标读取处理结束。

如以上所说明，根据本实施方式，能够抑制磁带T的有效容量的降低。并且，根据本实施方式，元数据被记录于参考分区RP内的第2集合数据和数据分区DP内的第2集合数据、第1集合数据及元数据中，因此能够提高耐故障性。并且，根据本实施方式，通过避免第1集合数据之间的元数据的重复及各分区内的第2集合数据之间的元数据的重复，抑制第1集合数据及第2集合数据的尺寸的增加。因此，能够抑制针对磁带T的第1集合数据及第2集合数据的记录所耗费的时间增加的结果，能够抑制有效记录速度的降低。进而，根据本实施方式，分割成第2集合数据不超过预定的尺寸。因此，可抑制记录一次的第1集合数据及第2集合数据的尺寸的增加的结果，能够抑制有效记录速度的降低。另外，在此所说的有效记录速度是指开始将由用户作为记录对象的数据记录于磁带T至结束为止的记录速度(即，也包含元数据的记录的记录速度)。并且，该有效记录速度为通过将由用户作为记录对象的数据的尺寸除以开始将该数据记录于磁带T至结束为止的时间来求出的速度。

[第2实施方式]

对本发明的技术的第2实施方式进行说明。另外，本实施方式所涉及的记录读取系统10及信息处理装置12的结构与第1实施方式相同，因此省略说明。并且，本实施方式所涉及的信息处理装置12的作用也与第1实施方式相同，因此省略说明。

本实施方式中，如图14所示，假定输送通过信息处理装置12记录目标的磁带T并在其他系统中进行使用。第1实施方式中，使目标固有的识别信息包含于元数据中，此时，若是系统内固有的识别信息，则认为在其他系统中也使用相同的识别信息。另外，图14中，将目标固有的识别信息标注为“ObjectID”。

因此，本实施方式中，如图15所示，在生成包含从终端16发送的数据及元数据的目标时，信息处理装置12除了目标固有的识别信息以外还使系统固有的识别信息包含于元数据。另外，图15中，将目标固有的识别信息标注为“ObjectID”，将系统固有的识别信息标注为“SystemID”。

如图16所示，还使系统固有的识别信息包含于元数据中，由此在将通过信息处理装置12而记录有目标的磁带T在其他系统中进行使用的情况下，能够如下所示那样识别目标。即，此时，即使在目标的识别信息重复的情况下，除了目标固有的识别信息以外还使用系统固有的识别信息，由此能够识别目标。

另外，上述各实施方式中，对每当所记录的目标的尺寸的合计超过预定的尺寸时将所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据记录于数据分区DP的情况进行了说明，但是并不限定于此。例如，也可以设为每当所记录的目标的数量超过预定数量时将所记录的目标的元数据的集合即第1集合数据记录于数据分区DP的形态。并且，例如，也可以设为在最后记录目标之后经过了预定的时间的定时将第1集合数据记录于数据分区DP的形态。

并且，上述各实施方式中，对作为磁记录介质适用了磁带的情况进行了说明，但并不限定于此。作为磁记录介质可以设为适用除了磁带以外的磁记录介质的形态。作为在滑动型磁记录再生装置中所使用的各种磁记录介质(磁带、盘状的磁记录介质(磁盘)等)，优选为本实施方式的磁记录介质。上述滑动型装置是指在进行磁记录介质上的信息的记录及所记录的信息的读取时磁性层表面与磁头接触并滑动的装置。

并且，在上述实施方式中，对信息处理装置12和磁带库14作为单独的组件进行说明，但是并不限定于此。也能够作为具备信息处理装置12和磁带库14的磁记录读取装置而提供。

并且，在上述实施方式中，可以由除了CPU以外的各种处理器执行通过由CPU执行软件(程序)来执行的各种处理。作为此时的处理器，例示出FPGA(Field-ProgrammableGate Array：可编程门阵列)等在制造后能够变更电路结构的PLD(Programmable LogicDevice：可编程逻辑器件)及ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)等具有为了执行特定的处理而专门设计的电路结构的处理器即专用电路等。并且，可以由这些各种处理器中的1个来执行上述各种处理，也可以由相同种类或者不同种类的2个以上的处理器的组合(例如，多个FPGA及CPU与FPGA的组合等)来执行。并且，更具体而言，这些各种处理器的硬件结构为组合了半导体元件等电路元件的电路。

并且，上述实施方式中，对记录程序30及读取程序32预先存储(安装)在存储部22的方式进行了说明，但并不限定于此。记录程序30及读取程序32也可以以CD-ROM(CompactDisk Read Only Memory：只读光盘内存)、DVD-ROM(Digital Versatile Disk Read OnlyMemory：数字多功能光盘只读存储器)及USB(Universal Serial Bus：通用串行总线)内存等记录介质中所记录的形态提供。并且，记录程序30及读取程序32也可以为经由网络从外部装置下载的形态。

实施例

以下，根据实施例对本发明进行说明。但是，本发明并不限定于实施例所示的方式。以下中所记载的“份”表示“质量份”。并且，除非另有说明，则以下中所记载的工序及评价是在环境气氛温度为23℃±1℃的环境下进行。以下中所记载的“eq”为当量(equivalent)，且为不能够换算成SI单位的单位。首先，对磁记录介质的实施例进行说明。

用于实施例及比较例的磁记录介质的制造的突起形成剂为如下。突起形成剂1及突起形成剂3为粒子表面的表面平滑性低的粒子。突起形成剂2的粒子形状为茧状(cocoon)的形状。突起形成剂4的粒子形状为所谓不规则形状。突起形成剂5的粒子形状为接近真球的形状。

突起形成剂1：Cabot Corporation制ATLAS(二氧化硅与聚合物的复合粒子)，平均粒径100nm

突起形成剂2：Cabot Corporation制TGC6020N(二氧化硅粒子)，平均粒径140nm

突起形成剂3：JGC Catalysts and Chemicals Ltd.制Cataloid(二氧化硅粒子的水分散溶胶；作为用于制备后述的突起形成剂液的突起形成剂，使用对上述水分散溶胶进行加热来去除溶剂而获得的干物质)，平均粒径120nm

突起形成剂4：ASAHI CARBON CO.,LTD.制ASAHI#50(碳黑)，平均粒径300nm

突起形成剂5：FUSO CHEMICAL CO.,LTD.制PL-10L(二氧化硅粒子的水分散溶胶；作为用于制备后述的突起形成剂液的突起形成剂，使用对上述水分散溶胶进行加热来去除溶剂而获得的干物质)，平均粒径130nm

[实施例1]

＜磁性层形成用组合物＞

(磁性液)

强磁性粉末(六方晶钡铁氧体粉末)：100.0份

(保磁力Hc：196kA/m，平均粒径(平均板径)24nm)

油酸：2.0份

氯乙烯共聚物(KANEKA CORPORATION制MR-104)：10.0份

含有SO₃Na基的聚氨酯树脂：4.0份

(重均分子量70000，SO₃Na基：0.07meq/g)

添加剂A：10.0份

甲基乙基酮：150.0份

环己酮：150.0份

(研磨剂液)

α-矾土(平均粒径：110nm)：6.0份

氯乙烯共聚物(KANEKA CORPORATION制MR110)：0.7份

环己酮：20.0份

(突起形成剂液)

突起形成剂(参考图17)：1.3份

甲基乙基酮：9.0份

环己酮：6.0份

(润滑剂及固化剂液)

硬脂酸：3.0份

硬脂酸酰胺：0.3份

硬脂酸丁酯：6.0份

甲基乙基酮：110.0份

环己酮：110.0份

聚异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制Coronate(注册商标)L)：3.0份

上述添加剂A为通过日本特开2016-051493号公报的0115～0123段中所记载的方法来合成的聚合物。

＜非磁性层形成用组合物＞

非磁性无机粉末(α-氧化铁)：80.0份

(平均粒径：0.15μm，平均针状比：7，BET(Brunauer-Emmett-Teller：布厄特)比表面积：52m²/g)

碳黑(平均粒径：20nm)：20.0份

电子束固化型氯乙烯共聚物：13.0份

电子束固化型聚氨酯树脂：6.0份

苯基膦酸：3.0份

环己酮：140.0份

甲基乙基酮：170.0份

硬酯酸丁酯：2.0份

硬脂酸：1.0份

＜背涂层形成用组合物＞

非磁性无机粉末(α-氧化铁)：80.0份

(平均粒径：0.15μm，平均针状比：7，BET比表面积：52m²/g)

碳黑(平均粒径：20nm)：20.0份

碳黑(平均粒径：100nm)：3.0份

氯乙烯共聚物：13.0份

含有磺酸基的聚氨酯树脂：6.0份

苯基膦酸：3.0份

环己酮：140.0份

甲基乙基酮：170.0份

硬脂酸：3.0份

聚异氰酸酯(TOSOH CORPORATION制Coronate)：5.0份

甲基乙基酮：400.0份

＜各层形成用组合物的制备＞

通过以下方法制备了磁性层形成用组合物。

通过开放式混练机对上述磁性液的成分进行混练及稀释处理之后，通过卧式珠磨机分散机，并使用粒径为0.5mm的二氧化锆(ZrO2)珠(以下，记载为“Zr珠”)，在珠填充率为80体积％及转子尖端圆周速度为10m/秒钟的条件下，将每次的滞留时间设为2分钟，并进行了12次的分散处理。

关于研磨剂液，对上述研磨剂液的成分进行混合之后，与粒径1mm的Zr珠一同投入到立式混砂机分散机中而调整为珠体积/(研磨剂液体积+珠体积)成为60％，且进行180分钟的混砂机分散处理，提取处理后的液，并使用流动式超声波分散过滤装置实施了超声波分散过滤处理。

将磁性液、研磨剂液、突起形成剂液以及润滑剂及固化剂液导入到溶解搅拌机中，并以圆周速度10m/秒钟搅拌30分钟之后，通过流动式超声波分散机以流量7.5kg/分钟进行3次处理之后，利用孔径为1μm的过滤器进行过滤来制备了磁性层形成用组合物。

通过以下方法制备了非磁性层形成用组合物。

通过开放式混练机对除了润滑剂(硬酯酸丁酯及硬脂酸)以外的上述成分进行混练及稀释处理之后，通过卧式珠磨机分散机实施了分散处理。之后，添加润滑剂(硬酯酸丁酯及硬脂酸)，并利用溶解搅拌机进行搅拌来实施混合处理，从而制备了非磁性层形成用组合物。

通过以下方法制备了背涂层形成用组合物。

通过开放式混练机对除了润滑剂(硬脂酸)、聚异氰酸酯及甲基乙基酮(400.0份)以外的上述成分进行混练及稀释处理之后，通过卧式珠磨机分散机实施了分散处理。之后，添加润滑剂(硬脂酸)、聚异氰酸酯及甲基乙基酮(400.0份)，并利用溶解搅拌机进行搅拌来实施混合处理，从而制备了背涂层形成用组合物。

＜磁带的制作＞

在厚度为6.0μm的聚萘二甲酸乙二酯支撑体上以干燥后的厚度成为1.0μm的方式涂布非磁性层形成用组合物并使其干燥之后，照射了电子束以使在125kV的加速电压下成为40kGy的能量。在其上以干燥后的厚度成为50nm的方式涂布磁性层形成用组合物，在涂布层处于湿润(未干燥)状态时，实施对涂布层的表面沿垂直方向施加磁场强度为0.3T的磁场的垂直取向处理并使其干燥。进而，在支撑体的与形成有非磁性层和磁性层的表面相反的一侧的表面上以干燥后的厚度成为0.5μm的方式涂布背涂层形成用组合物并使其干燥。

之后，使用仅由金属辊构成的7段压光辊，以压光速度80m/min、线压294kN/m及图17所示的压光温度进行了压光处理。之后，在环境气氛温度为70℃的环境下进行了36小时的加热处理。在加热处理后，将其切割成1/2英寸(1英寸＝0.0254米)宽度，并利用在具有切割品的送出且卷取装置的装置上以使不织布和刮刀抵压磁性层表面的方式进行安装的磁带清洁装置进行磁性层的表面的清洁，从而获得了磁带。

[实施例2～7、比较例1～9]

除了将突起形成剂的种类和/或压光温度变更为如图17所示那样的点以外，通过与实施例1相同的方法获得了磁带。另外，在图17中，突起形成剂为“无”表示未使用突起形成剂。并且，在图17中，“记录控制”表示有无本发明的数据记录的控制。

[评价方法]

(1)差分(S_0.5-S_13.5)

使用TSA(Tape Spacing Analyzer(Micro Physics公司制))，通过以下方法，测量进行正己烷清洗后的间距S_0.5及S_13.5，并从所测量的值计算出差分(S_0.5-S_13.5)。

从实施例及比较例的各磁带切取5个长度为5cm的试样片，通过先前所记载的方法对各试样片进行正己烷清洗之后，并通过以下方法测量了S_0.5及S_13.5。

在磁带(即上述试样片)的磁性层表面上配置TSA中所具备的玻璃板(Thorlabs,Inc.公司制玻璃板(型号：WG10530))的状态下，使用TSA所具备的氨酯制的半球来作为按压部件，并将该半球以0.5atm的压力按压在磁带的背涂层表面上。在该状态下，将白色光从TSA所具备的频闪仪通过玻璃板照射于磁带的磁性层表面的恒定区域(150000～200000μm²)中，将所获得的反射光通过干涉过滤器(选择性透射波长为633nm的光的过滤器)并利用CCD(Charge-Coupled Device：电荷耦合器件)进行受光，由此获得了在该区域凹凸形成的干涉条纹图像。

将该图像分割成300000点并求出从各点的玻璃板的磁带侧的表面至磁带的磁性层表面的距离(间距)，将此设为直方图，并将直方图的最大频率作为间距S_0.5来求出。

进一步按压相同的试样片，在13.5atm的按压下通过与上述相同的方法求出了间距S_13.5。

对于上述5个试样片，计算出通过以上所求出的S_0.5与S_13.5的差分(S_0.5-S_13.5)，并将计算出的值的算术平均作为差分(S_0.5-S_13.5)示于图17。

(2)摩擦系数(μ值)

在环境气氛温度为23℃且相对湿度为50％的环境下，将从IBM公司制LTO(注册商标)G5(Linear Tape-Open Generation 5：开放线性磁带第五代)驱动器卸下的磁头安装于磁带行驶系上，一边施加0.6N(牛顿)的张力一边进行后述的数据读取的评价，并从评价后的磁带切取了磁带长度为20m的磁带。进而，使所切取的磁带长度为20m的磁带进行来自送出辊的送出及向卷取辊的卷取的同时，一边使磁性层表面与磁头接触并滑动一边使其以行驶速度4.0m/s行驶。在第1次的行驶中，在行驶过程中使用应变计(Strain gauge)测量磁头所涉及的摩擦力，并从所测量的摩擦力求出了摩擦系数μ值。图17中的值为对第1次的行驶求出的μ值，因此表示为“μ值(1p)”。

[数据读取的评价]

准备了用于数据读取评价的磁带。作为磁带，使用了上述磁记录介质的实施例1。

为了进行评价，通过以下的2个方式R1、R2，将索引记录于磁带。方式R2为本发明的记录方式。

方式R1：每记录10个数据，就对迄今为止的所有数据的索引进行记录。

方式R2：每记录10个数据，就对10个份的索引进行记录。将数据及索引的记录的方式示于图18中。

另外，方式R1，R2均在数据的末尾记录所有数据的索引。并且，1个数据及数据1个份的索引具有1单位尺寸。进而，对方式R1，R2分别按照每一个写入的数据数量求出了磁带上的总数据尺寸。

在将数据数量设为d的情况下的总数据尺寸为以下。其中，假设为d mod10＝b。

方式R1＝(1/20)*(d²+30*d+b²-2*b*d+10*b)

方式R2＝3*d-b

将针对数据数量的总数据尺寸的结果示于图19中。

根据图17所示的结果，能够确认到实施例的磁带与比较例的磁带相比μ值小，即即使反复进行与磁头的滑动，摩擦系数的上升幅度也小。并且，根据图19所示的结果，能够确认到在数据数量为100个的情况下，方式R2相对于方式R1的总数据尺寸成为约46％左右。在此时，在按顺序读取的情况下的磁头的总移动量减少54％左右。并且，能够确认到随着数据数量增加而减少率增加。并且，本发明的实施例中，使用了六方晶钡铁氧体粉末来作为强磁性粉末，但是确认到即使在使用了六方晶锶铁氧体粉末及ε-氧化铁粉末来作为强磁性粉末的情况下，与使用了六方晶钡铁氧体粉末的情况相同地，可获得良好的结果。

在此所使用的六方晶锶铁氧体粉末的平均粒径为19nm，活化体积为1102nm³，异向性常数Ku为2.0×10⁵J/m³，质量磁化σs为50A·m²/kg。并且，包含六方晶锶铁氧体粉末的磁性层的异方性磁场Hk为25kOe。相同地，ε-氧化铁粉末的平均粒径为12nm，活化体积为746nm³，异向性常数Ku为1.2×10⁵J/m³，质量磁化σs为16A·m²/kg。包含ε-氧化铁粉末的磁性层的异方性磁场Hk为30kOe。

符号说明

10-记录读取系统，12-信息处理装置，14-磁带库，16-终端，18-磁带驱动器，20-CPU，21-存储器，22-存储部，23-显示部，24-输入部，25-网络I/F，26-外部I/F，27-总线，30-记录程序，32-读取程序，40、52-接收部，42-记录部，44-数据高速缓存区，46-元数据DB，50-读取部，54-确定部，56-发送部，DP-数据分区，GW-保护带，N-网络，RP-参考分区，T-磁带，R1-方式1，R2-方式2。