本发明提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明的碳纳米管组合物是包含具有(1)～(2)的特征的碳纳米管,且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm～1100nm的范围内的吸收光谱中,在波长600nm～700nm的范围显示最低的吸光度,并且在波长900nm～1050nm的范围显示最高的吸光度,上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析,以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高度比((D/G)D/G×100的值)为3.33以下。

一种片上连续可控间隙的石墨烯纳米电极对阵列的制备方法,涉及到的石墨烯芯片由压电片、聚酰亚胺和石墨烯电极组成,以压电片和聚酰亚胺作为基底,石墨烯电极通过吸附力固定在聚酰亚胺上方,所述石墨烯电极是通过镂空掩膜版和镀膜加工工艺将电极图形转移到石墨烯/PMMA上,利用反应离子刻蚀技术将石墨烯刻蚀成电极形状；通过调控施加在压电片上的电压使其沿水平方向膨胀伸长从而将石墨烯电极拉伸,同时利用电迁移法将石墨烯电极烧断形成间隙,通过压电片的膨胀和收缩来精密调节电极间的距离。该方法工艺简单、成本低廉,实现了可控间隙的石墨烯电极的片上大规模集成,为碳基分子电子器件的发展奠定了基础。

描述了用于操作混合计算系统的系统和方法,这些系统和方法使用聚类收缩来将较大的密集输入转换为可以容易地映射到量子处理器中的简化输入。该简化输入表示问题的全局结构。技术涉及将输入变量划分为多个聚类并对每个聚类进行收缩。可以使用不加权算术平均组对方法算法来划分这些输入变量。该量子处理器基于该简化输入返回样本,并且这些样本被扩展以对应于原始输入。

本发明提供了一种LED灯芯覆盖材料、LED灯珠及其制作方法,属于LED发光装置技术领域。本发明提供的LED灯芯覆盖材料包括硅胶、荧光粉、纳米氧化钛和纳米氧化锌；所述硅胶的体积与荧光粉、纳米氧化钛、纳米氧化锌的质量比为85～95L：8～10kg：6～8kg：1～3kg。本发明提供的覆盖材料能有效消除LED灯芯发出的蓝光,将上述覆盖材料点胶覆盖至蓝光芯片支架内,得到灯珠,通电后测量灯珠的光谱,测量结果表明：本发明提供的LED灯芯覆盖材料在有效去除蓝光的同时,还能有效保留LED既有的红光及黄绿光,增加显色性指数。

本发明公开了一种基于p-GaN/CsPbBr-(3)/n-ZnO异质结的发光二极管及制备方法,二极管包括：n-ZnO纳米棒阵列、CsPbBr-(3)量子点、p-GaN薄膜和合金电极；制备方法具体为：在硅衬底上生长ZnO纳米棒阵列,将CsPbBr-(3)量子点均匀旋涂在ZnO纳米棒阵列上,然后在CsPbBr-(3)量子点/ZnO阵列复合结构顶部加上GaN薄膜,并分别在n-ZnO和p-GaN上制备合金电极,构建p-GaN/CsPbBr-(3)/n-ZnO异质结,构成完整的器件。本发明构建了p-GaN/CsPbBr-(3)/n-ZnO异质结发光二极管,发光中心位于375nm和520nm,CsPbBr-(3)量子点的引入抑制了ZnO的表面态,改变了异质结发光二极管的发光颜色,随着注入电流的变化,其发光颜色也发生了改变。

本发明涉及一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法、一种半导体器件,所述堆叠纳米线/片器件,其特征在于：包括：衬底；纳米线/片堆栈部,其设置在所述衬底上,由半导体材料形成的多个纳米线/片的叠层形成多个导电沟道；环绕式栅极,其环绕于多个纳米线/片周围；所述环绕式栅极包括界面钝化层。界面钝化层可以显著改善堆栈纳米线/片器件的界面特性,减少器件的沟道界面态,从而改善亚阈值器件亚阈值摆幅(SS)特性和漏致势垒降低(DIBL),并可以有效减小器件的关态漏电特性。

器件包括器件层,该器件层包括第一晶体管、器件层正面上的第一互连结构和器件层背面上的第二互连结构。第二互连结构包括在器件层背面的第一介电材料、穿过第一介电材料延伸到第一晶体管的第一源极/漏极区的接触件,以及包括通过接触件电连接到第一源极/漏极区的第一导电线的第一导电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

本发明公开一种半导体结构,包括：第一半导体叠层和第二半导体叠层,该第一半导体叠层和该第二半导体叠层中的每一个包括：沟道层,位于该基板上方且在第三方向上彼此间隔开,其中该第三方向垂直于该第一方向和该第二方向；以及栅极结构,包括：在对应的该沟道层周围形成的栅极介电层；以及形成在该栅极介电层上以围绕该沟道层的栅电极,其中,该第一半导体叠层中的沟道层的数量与该第二半导体叠层中的沟道层的数量不同。本发明有选择地减少低功率器件的沟道层数以减小泄漏电流,从而改善器件的电性能。

一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括：在所述第一区上形成横跨所述第一初始鳍部结构的第一伪栅极结构；刻蚀一个或若干所述第一初始纳米线,在所述第一初始纳米线的一侧或两侧侧壁形成凹槽；形成所述凹槽之后,去除所述第一伪栅极结构两侧的第一初始鳍部结构,在第一区上形成第一鳍部结构,使所述第一初始纳米线形成第一纳米线,所述第一鳍部结构延伸方向两侧具有第一源漏开口,所述第一源漏开口侧壁暴露出所述凹槽,且所述凹槽所在的第一纳米线的侧壁相对凹槽底部的第一纳米线侧壁凹陷；在所述凹槽内形成隔离结构,所述隔离结构位于一个或若干第一纳米线和第一源漏开口之间。所述方法能够改变半导体结构中的沟道数量,从而满足性能需求。

一种芯片制程技术的微电池,所述微电池由奈米级的单元组成,可以按照具体需求通过逻辑电路设计扩展成几十万个或者几百个单元串并联。所述微电池单元包括微电极(606,607)以及2N+1(2≦N≦50,N为自然数)层磁性物质(602,603)和N层电介质构成(601)；所述电介质(601)被夹持在两个极化方向相反的磁性物质(602,603)之间,均为奈米级厚度构成。