对含有硼的硅膜、多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体,对含有所述硼的多晶硅膜进行蚀刻。由此,能够在对含有硼的多晶硅膜进行等离子体蚀刻时,实现蚀刻速率的提高,抑制蚀刻不良。

本发明涉及一种铁氧体表面粗化液及其在铁氧体表面粗化处理和金属化处理的应用。所述铁氧体表面粗化液包括所述铁氧体表面粗化液包括水、酸和盐,所述酸和盐的摩尔比为1：(0.002～11)；酸为有机酸和/或无机酸；盐为碱金属氯化物、碱土金属氯化物、碱金属氟化物和水溶性铵盐中的至少一种；有机酸为甲基磺酸、甲酸、柠檬酸和草酸中的至少一种；无机酸为硫酸、硝酸、硼酸、碘酸、硒酸、亚硫酸、亚硝酸和磷酸中的至少一种；碱金属氯化物为氯化钠和氯化钾中的至少一种；碱土金属氯化物为氯化镁和氯化钙中的至少一种；碱金属氟化物为氟化钠和氟化钾中的至少一种。该铁氧体表面粗化液粗化效果好,非常环保,具有广泛的应用前景。

本发明公开了一种剥膜液及其制备方法,剥膜液组分按重量比例包括复合碱30％-45％、表面活性剂20％-30％、缓蚀剂5％-9％,其余为水,本发明制备方法简单,制得的剥膜液环保性能好,能够提高剥膜处理的效果,且能极大地节水减排,此外能够有效保护金属在剥膜过程中不受攻击。

本发明提出了一种单片层间通孔的制备方法。所述单片层间通孔的制备方法包括以下步骤：(1)掩膜图形的制备：将硅片依次进行旋涂、前烘、曝光、显影和坚膜；(2)去氧化层预处理：将形成掩膜图形的硅片置于酸溶液中浸泡,除去硅片表面氧化的SiO-(2)薄膜；(3)生物化学变温刻蚀：将去氧化层的硅片置于生物化学刻蚀液中浸泡,进行生物化学变温刻蚀,形成单片层间通孔；其中,所述生物化学刻蚀液为含产碱厌氧菌的刻蚀液。本发明提出的基于生物化学方式制单片层间通孔的方法可以保证良好的刻蚀效果以及通孔刻蚀质量的前提下,有效的杜绝现有刻蚀方法中出现的各项问题。

本发明涉及蚀刻组合物,其可用于,例如,从半导体基材选择性地移除氮化钛(TiN),且实质上未形成氧化钴氢氧化物层。本发明基于不可预期地发现：某些蚀刻组合物可选择性地蚀刻TiN且不会在半导体装置的Co层上形成CoOx氢氧化物层,从而使后续Co蚀刻没有延迟。