一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法,属于半导体材料制备领域,特别是在静态磁场作用下,采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚,使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场,调节温度梯度,开始合成；D、合成完毕后,进行晶体生长。采用本发明提供的方法,红磷以固体的形式沉入熔体,气化后从坩埚底部上浮,克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率,同时抑制温度梯度方向的熔体对流,使合成过程更加平稳、迅速。