本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法,包括：S1)多晶硅铸锭：硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭,将80wt％-95wt％高纯硅粉、1-10wt％含镁粉末、1-10％稀土元素粉末混匀后装入底部喷涂有石英砂成核层的石英坩埚内,并装入铸锭炉膛内,铸锭后控制降温速率,形成晶粒大小为0.5μm-100μm的超细微晶多晶硅锭；S2)多晶硅片制备：将硅锭切割制成厚度为0.1mm-1mm的多晶硅片；S3)硅片氮化：将多晶硅片堆叠在烧结炉中,硅片间使用带有BN涂层的石墨板隔开,抽真空后,氮气气氛下在氮化温度为1350℃-1400℃、升温速率为20-100℃/h、保温时间为1h-12h的条件下进行氮化,并随炉冷降温；S4)硅片坯体烧结：经氮化烧结的硅片坯体连同治具放置在烧结炉中,采用氮气气氛,在烧结温度1700-1900℃、氮气压力0.5MPa-20MPa条件下进行烧结。

本发明公开了一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,涉及晶体生长技术领域。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,所述工艺是将回料进行筛分、加工分段得到圆饼料、锥形料和边角料,然后根据原料种类选择相应的装料的方式进行装料,装料完成后,真空封管,进行长晶。本发明的一种利用全回料生长磷化铟单晶的工艺,在后续单晶生长工艺不变的情况下,使用全回料长晶,和现有的长晶工艺相比,成晶率有一定提升,同时减少了回料库存,大大的降低了生产成本。