本发明提供了一种太阳能电池选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片,所述制备方法通过对硅片基底在真空蒸镀装置中进行掺杂源定域沉积,并通过对掺杂源定域沉积区域进行高温扩散,实现重掺杂,再向扩散炉中通入气态源的分步扩散,实现全表面浅掺杂的工艺制得选择性掺杂结构。不会给太阳能电池单晶硅基底带来损伤和开压损失,有效地保证了电池的性能；并且不会引入其他杂质,使得电池性能不会因污染而受到影响,有利于持续生产；整个操作简单,适合大规模生产,不会造成过多的资源浪费。