本发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种提高碳化硅晶片平整度的退火方法,包括以下步骤：S1:将碳化硅晶片置于退火炉内；S2:对所述退火炉抽真空,通入保护气体,保持所述退火炉内的压力稳定；S3:缓慢匀速的提升所述退火炉内温度至退火温度,控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值；S4:对所述碳化硅晶片施加压力并保持；S5:去除所述碳化硅晶片上的压力,继续进行保温；S6:缓慢匀速的将所述退火炉内温度降至室温,控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值。本发明中的退火方法既能减少碳化硅晶片内应力又能降低碳化硅晶片的BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),提高了碳化硅晶片的质量,为后续加工提供便利,提高了良品率。

本发明公开了一种用于光-力协同催化的单晶纳米片材料及其制备方法,该材料组分为(1-x)BiScO-(3)-xPbTiO-(3)-yBiFeO-(3)-zBiMnO-(3),其中0.61≤x≤0.65,0≤y≤0.03,0≤z≤0.03,通过特殊的水热法获得,所获得的单晶纳米片表面为(001)-(c)伪立方晶面,且自发的宏观铁电极化方向垂直于(001)-(c)晶面。通过该方法制备的单晶纳米片具有优异的光-力协同催化性能,厚度可达12.2纳米,长度与厚度之比为92.6,该单晶纳米片在光-力协同催化作用(光照和超声振动同时进行)60分钟后,降解罗丹明B的K-(obs)值可达86.55×10～(-3) min～(-1),是单独光照的2.5倍,超声振动的2.3倍。水分解产氢速率可达4954μmol·h～(-1)·g～(-1),是单独光照的2.0倍,超声振动的1.7倍。

本发明提供了一种碳化硅晶体的二次退火方法,包括：将碳化硅晶体放置在坩埚中在退火炉内进行退火处理；所述坩埚包括：大坩埚；设置在所述大坩埚内的小坩埚；设置在所述小坩埚内的环形石墨毡；所述晶体水平方向放置在环形石墨毡的中心。本发明在二次退火阶段使用“双坩埚”模式加“环形石墨毡”,减少温度梯度,使温度梯度保持在2～6℃,使晶体内部应力得到缓慢释放,同时避免晶体在退火过程中产生新的应力。本发明提供的二次退火的方法可对坩埚高度和晶体厚度进行合理配置,同时放置多块晶体,增加效率。

本发明公开了一种用于半导体设备的水冷电极,包括铜电极、连接电极、绝缘筒和水冷套,所述铜电极的一端与所述连接电极的一端相连,所述绝缘筒套设于所述连接电极上；所述水冷套套设于绝缘筒的外部,所述水冷套的内部设置有水冷腔,所述水冷套上设有与所述水冷腔连通的进水孔和出水孔。本发明具有结构简单紧凑、工作安全可靠、成本低、拆装维护方便、节能降耗等优点。

本发明属于合金技术领域,特别涉及一种Ni-(3)Al基单晶高温合金及其制备方法。本发明提供的Ni-(3)Al基单晶高温合金,以质量百分含量计,包括以下元素：Al 7.0～8.1％、Mo 8.0～9.5％、Ta 3.0～5.0％、Re 2～3.5％、Hf0.05～0.1％、Y 0.0005～0.001％、Ce 0.001～0.005％、C 0.001～0.005％、余量的Ni和不可避免的杂质。本发明提供的Ni-(3)Al基单晶高温合金具有承温能力高的特点,高温拉伸强度高且稳定,高温抗氧化性能优异。

本发明涉及铁磁性材料及异质结薄膜的制备技术领域,公开了一种磁性拓扑异质结薄膜的制备方法,包括以下步骤：a、Bi-(2)Se-(3)薄膜的制备：将片清洗后固定在磁控溅射设备样品台上；于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99％的Bi-(2)Se-(3)靶材3～5min；b、Bi-(2)Se-(3)薄膜的退火处理：将按照a步骤制备完成的Bi-(2)Se-(3)薄膜封存于石英管中,并将石英管置于管式炉中,进行退火成相处理；c、Fe-(7)Se-(8)/Bi-(2)Se-(3)异质结薄膜的制备：将经b步骤退火处理后的Bi-(2)Se-(3)薄膜固定在磁控设备样品台上,于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99％的Fe-(7)Se-(8)靶材5～10min；d、Fe-(7)Se-(8)/Bi-(2)Se-(3)异质结薄膜的退火处理：在400～450℃的管式炉中退火2h。本发明制备的异质结薄膜制备成本低,对环境污染少,制备工艺简单易实现,适于大批量生产。

本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法,包括：提供坩埚,在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片,形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片,以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层,以形成(AB)-(n)排布形式的架空结构,其中,A为垫片层,B为支撑片层,n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶,形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构,可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本,并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。

本发明公开了一种蓝宝石晶体生长工艺,包括化料、引晶、放肩、等径、退火阶段；所述放肩阶段的晶体生长过程按照以下三个阶段进行：第一阶段晶体重量低于0.3kg,以0.2～2.5mm/h的上升速率旋转提拉籽晶,以5～7℃/h的速率降温；第二阶段晶体重量达到0.3～3.6kg,以0.3～3mm/h的上升速率旋转提拉籽晶,以10～14℃/h的速率降温,第三阶段晶体重量达到3.6kg以上,以0.5～4.5mm/h的上升速率旋转提拉籽晶,以16～20℃/h的速率降温,直至晶体距离反应炉的坩埚内壁5～10mm时完成放肩。本申请的制备方法制得的蓝宝石质量高,内应力小,无明显裂纹等缺陷。

本发明提供一种改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料电学性能的方法,其包括如下步骤：将金属氢化物与待处理的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料置于石英玻璃管的不同位置处,然后将放置有金属氢化物与待处理的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的石英玻璃管抽真空并密封,最后对密封的石英玻璃管进行退火处理,即得到电学性能改变的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料。由于本发明的方法采用固固反应改变单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的电学性能,因此,本发明的方法既简单又清洁无污染。在本发明的方法中,通过调节退火温度和时间可以控制发生还原反应后的单晶钙钛矿氧化物薄膜材料的电学性能。

本发明提供一种柔性BFMO/BFCO超晶格薄膜及其制备方法,包括：将Bi(NO-(3))-(3)·5H-(2)O、Fe(NO-(3))-(3)·9H-(2)O、C-(4)H-(6)MnO-(4)·4H-(2)O溶于溶剂中,得到前驱液A；将Bi(NO-(3))-(3)·5H-(2)O、Fe(NO-(3))-(3)·9H-(2)O、Cr(NO-(3))-(3)·9H-(2)O溶于溶剂中,得到前驱液B；在单晶氟金云母衬底上将前驱液A和前驱液B交替制膜,得到BiFe-(0.95)Mn-(0.05)O-(3/)BiFe-(0.95)Cr-(0.05)O-(3)超晶格薄膜；剥离F-Mica衬底得柔性BiFe-(0.95)Mn-(0.05)O-(3/)BiFe-(0.95)Cr-(0.05)O-(3)超晶格薄膜。所得薄膜具有优异铁磁性和各向异性磁化强度现象,且表现出优异的柔性。