本发明公开了一种生长梯度掺杂Yb:YAG单晶的方法,先配置不同掺杂浓度的Yb:YAG胚料,再将不同胚料按照浓度由高到低的顺序依次由前至后放置于舟型钼坩埚中,舟型钼坩埚头部放入籽晶,再将舟型钼坩埚放入晶体生长炉内的可移动分体式加热器中。加热器由多个独立加热单元组成,加热器中部加热功率最高,每个加热单元的位置和加热功率可分别控制。利用此加热器可以较精细调节胚料周围轴向温度梯度并形成可控的窄熔区,坩埚不动,移动加热器使窄熔区按需移动从而实现晶体生长。本发明实现了分凝系数接近于1的Yb:YAG梯度掺杂,材料内部微结构满足其功能要求,并且浓度梯度可控。

本发明公开了一种锗晶体生长设备防辐射隔热机构,包括底柱,底杆表面设置有隔热防辐射机构,隔热防辐射机构的内部设置有两个夹紧机构,本发明的有益效果是：通过将两个隔热防辐射筒紧密闭合,减少热量外泄,有效保护工作人员的安全,同时隔热防辐射筒可以方便取下,方便对坩埚进行处理,在需要进行隔热防护时,双头电机带动第二转杆旋转,第二转杆通过铰接杆带动隔热防辐射筒上升,将坩埚置于其中,坩埚进行加热时,高温使得金属管内部的气体膨胀,几百度的温差使金属管内部的气体膨胀,形成较大的压力,密封滑块带动支杆上移,支杆通过斜面推动外延块,使两个隔热防辐射筒紧密闭合。