本发明提供一种提纯六硼化镧的方法,包括以下步骤：(1)在感应等离子球化设备对六硼化镧原料粉末进行第一次纯化；(2)将从步骤(1)得到的粉末置于放电等离子炉中,利用脉冲电流在粉末颗粒间均匀放电,对六硼化镧粉末进行第二次纯化得到六硼化镧料棒；(3)将步骤(2)中得到的六硼化镧料棒置于光学区熔炉中,对材料进行局部熔化,区熔结束后切掉两端,进行一次或多次区熔,从而获得高纯六硼化镧阴极材料。经过本发明的方法提纯后获得的六硼化镧阴极材料的热发射性能有了显著提高,从而使得该阴极材料在未来大功率、长寿命的真空器件中的应用成为可能。

本发明公开了一种生长梯度掺杂Yb:YAG单晶的方法,先配置不同掺杂浓度的Yb:YAG胚料,再将不同胚料按照浓度由高到低的顺序依次由前至后放置于舟型钼坩埚中,舟型钼坩埚头部放入籽晶,再将舟型钼坩埚放入晶体生长炉内的可移动分体式加热器中。加热器由多个独立加热单元组成,加热器中部加热功率最高,每个加热单元的位置和加热功率可分别控制。利用此加热器可以较精细调节胚料周围轴向温度梯度并形成可控的窄熔区,坩埚不动,移动加热器使窄熔区按需移动从而实现晶体生长。本发明实现了分凝系数接近于1的Yb:YAG梯度掺杂,材料内部微结构满足其功能要求,并且浓度梯度可控。