本发明涉及一种直拉单晶工艺中晶体直径生长的自动控制方法,包括步骤：获取单晶炉的多个当前设备参数；根据多个当前设备参数和预先构建的预测模型预测得到第一预设时间后的预测设备参数,或第二预设时间后的预测晶体直径；根据预测设备参数和预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量；或,根据预测晶体直径和预设目标直径计算得到至少一个控制偏移量；根据至少一个控制偏移量自动调节相应的设备参数。本发明通过预测模型可以预测设备参数或晶体直径的变化趋势,预先设定调整参数,有效减少残次品的产生。相应地,本发明还提供一种自动控制装置、电子设备和存储介质。

本发明涉及一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶硅生长控制方法包括：在放肩过程且进入转肩判断流程后,判断是否达到t-(i+1)时刻；若达到t-(i+1)时刻,获取晶体直径d-(i+1)；根据晶体直径d-(i+1)、t-i时刻获取的晶体直径d-i、以及t-i时刻与t-(i+1)时刻之间的时间间隔,计算晶体直径生长速率v-i；在晶体直径生长速率v-i等于预定生长速率阈值时,判断晶体直径d-(i+1)是否达到第一预定直径；若晶体直径d-(i+1)达到第一预定直径,则启动转肩控制程序。本发明将放肩直径和直径生长速率同时作为转肩工序的触发条件,可以缩小转肩工序结束时晶体的直径与目标直径之间的差值,提高转肩的准确度,提升成棒率。

本发明涉及一种基于提拉法的晶体生长界面形状的探测方法,所述探测方法在晶体生长过程中,同时采集籽晶温度T和界面电动势U,获取界面电动势U随籽晶温度T变化的T-U曲线,通过观测所述T-U曲线与基准线的偏差实时判断晶体生长界面形状的变化趋势；所述基准线是经过所述T-U曲线的起始点、斜率为所述晶体的塞贝克系数的直线。本发明还涉及所述方法使用的装置。本发明所述的探测方法能在晶体生长过程中实时探测晶体生长界面形状的变化趋势,可以应用于铌酸锂、钽酸锂、蓝宝石、钇铝石榴石等多种单晶的提拉法生长设备。