本发明涉及一种单晶生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶生长控制方法包括：在单晶硅的放肩过程中,实时监测单晶硅的长度、对应直径以及对应时刻；当单晶硅的长度达到D-i时,根据单晶硅的对应直径以及对应时刻,计算单晶硅的直径变化速率；将直径变化速率输入至PID函数,得到晶体控制速度,利用晶体控制速度控制单晶硅的提升。本发明通过直径变化速率控制放肩过程,通过PID去调节晶棒的拉速,使晶棒的实际直径尽可能按预设的晶体直径进行生长,从而大幅度增加了单晶放肩工艺的稳定性,使其适用于大尺寸单晶的生长。

本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质,该方法包括：获取晶体需要生长到的目标直径；实时采集晶体在生长过程中的实际直径；将目标直径和实际直径作为PID控制的输入,得到PID输出值；根据目标直径和实际直径,确定速度计算公式；根据PID输出值以及速度计算公式,计算晶体的提升速度；根据提升速度,对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。

本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质；该方法可以包括：从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系；在单晶硅棒生长过程中,获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离；基于所述实测像素间距离以及所述对应关系,确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离；基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距,获取所述熔体液面的实测位置。

本发明涉及激光晶体制造技术领域,尤其涉及一种采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法,采用提拉法籽晶定向生长,包括如下步骤：接种、放肩、等径生长、收尾及降温,最终得到翠绿宝石晶体,所得到翠绿宝石晶体利用率达到80％。本发明中当收尾结束后停止旋转和提拉并开始降温,通过P I D调节功率实现对晶体生长速率的控制,从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点,适合工业化生产翠绿宝石晶体。