本发明公开了一种增强氮化镓单晶生长温度场稳定性的方法,包括：复合保温屏和设置在复合保温屏内的生长炉,生长炉内含有真空腔体,真空腔体外部设置有加热装置,加热装置包括上感应加热线圈和下感应加热线圈,使用时在真空腔体内通入氮气；复合保温屏包括括钨屏、钨螺栓和钨丝卡扣,复合保温屏由6～7个单层复合保温屏通过数个钨螺栓固定连接组成,且各单层复合保温屏之间用钨丝卡扣间隔固定,间距为6-8mm,的单层复合保温屏由钨屏和其上沉积的AlN纤维层构成,本发明中复合保温屏的设置能为氮化镓单晶生长提供一个稳定的温场。

本发明提供一种碳化硅的结晶界面控制结构、生长设备及制备方法,其中,所述结晶界面控制结构包括石墨托盘、分布在所述石墨托盘上的多个石墨杆、与所述多个石墨杆对应连接的多个换热管及多个电信号接收器,所述换热管内设有进气管,所述进气管内有冷媒气体流通；所述电信号接收器的一端通过连接导线与所述换热管相连,另一端通过连接导线与所述石墨杆相连；所述石墨杆与所述换热管及所述电信号接收器构成热电偶测温系统,通过所述电信号接收器可判断所述石墨杆的温度；通过调节所述冷媒气体的流量可调节所述石墨托盘的温度分布,进而实现结晶界面的控制。采用包含本发明的结晶界面控制结构的生长设备可获得的低密度缺陷的碳化硅单晶衬底。

本发明提供一种单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置,包括：反应腔室,具备有内部空间；基板安装单元,配置于所述内部空间,能够安装基板；金属氧化物处理单元,处理金属氧化物,并使在所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板上；砷供应单元,与所述基板相对,将砷离子供应至所述基板；其中,所述金属氧化物处理单元包括：安装台,配置于所述内部空间,与所述基板相对,并且还设置有所述金属氧化物的氧化锌板；以及电子束照射器,向所述氧化锌板以直射的方式照射电子束,使所述氧化锌板上蒸发的锌离子和氧离子向所述基板移动。