本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本发明公开了一种MOCVD系统反应腔清理装置,包括自带加热装置的反应腔,反应腔上设置有氯气进气口和清扫进气口,氯气进气口与氯气储存瓶联通,清扫进气口与吹扫系统连通,反应腔上还设置有出气口,该出气口连接有过滤器,过滤器包括箱体,箱体上设置有分隔板,分隔板将箱体分隔成为进气腔室和出气腔室,分隔板上设置有连通孔,分隔板上位于进气腔室内固定有滤芯组件,出气腔室上设置有排气口且内部固定有抽气风机,滤芯组件的内腔与连通孔相互连通,所述进气腔室上设置有补气口,该补气口与补气冷却系统相互连通。该清理装置能够对反应腔进行在线清理,从而减少停机次数,提高生产效率,保证产品的一致性。

本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置,该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状,然后安置在升降式旋转支架,升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下,金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中,使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长,从而生长出大直径金刚石圆片,通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度,通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。

本发明提供高品质的基底基板,其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层,该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板是具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层的基底基板,取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成,取向层包含：选自由α－Cr-(2)O-(3)、α－Fe-(2)O-(3)、α－Ti-(2)O-(3)、α－V-(2)O-(3)及α－Rh-(2)O-(3)构成的组中的材料、或者含有选自由α－Al-(2)O-(3)、α－Cr-(2)O-(3)、α－Fe-(2)O-(3)、α－Ti-(2)O-(3)、α－V-(2)O-(3)及α－Rh-(2)O-(3)构成的组中的2种以上的固溶体,刚玉型结晶结构的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec.以下。

本发明公开了一种样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统。所述样品生长装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分,旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于旋转机构上的基片,旋转机构设置于旋转台上且驱动基片绕旋转台周向公转；倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与倾斜调节机构相连的分子束源炉,倾斜调节机构在基片公转的过程中调整分子束源炉的倾斜角度,使分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片。本发明的结构简单紧凑,成本较低,且装卸方便,定位精度高,生产多片样品可通过单个分子束源炉调整角度,进行喷射位置的改变,很好地保证喷射的均匀性。

本发明公开了一种制备InGaN外延层的方法,其单个周期内的生长源通入时序包括以下三个不分先后的步骤：在第一时间段内,持续通入In源,Ga源和N源,生长一段时间t1的InGaN；在第二时间段内,保持N源通入,In源与Ga源中断一段时间t2；在第三时间段t-(N)内,中断N源；再经过一段时间tGa和tIn后,分别通入Ga源和In源。本发明结合了表面吸附原子的调控过程,以及Ga原子表面迁移的增强过程,既通过控制生长源的中断调控了表面吸附原子的含量,抑制了失配位错的产生,又通过中断N源途中引入金属源的方法增强Ga原子迁移,阻止了堆垛层错和沟槽缺陷的形成,从而获得了缺陷密度大幅降低,结晶质量显著提高,光学性质优越的InGaN外延层。

本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种,或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环,经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性；将限域生长环置于反应炉生长区中,生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制,从而阻止晶体的边缘生长,遏制生长过程中产生边缘效应,减少生长过程中产生的应力,最终实现厘米级GaN体晶生长；本发明实现方法简单,根据现有的技术水平能够容易实现,并大量推广；限域生长环能够经过热清洗后重复使用,节约了限域生长环的制作成本,经济实用；限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计,通用性强。

本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件,所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应,生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应,生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大,结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料,采用HTCVD方法生长制备碳化硅,显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度,避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题,提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。

本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法,通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面,来缓解AlGaN厚膜的应力,显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小,后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并,形成原子级平整表面,进而生长得到高质量的紫外激光器结构。

单晶CVD金刚石材料,包含至少5ppm的总氮浓度和至少0.7的中性单一替位氮N-s～0与总单一替位氮N-s之比。尽管氮的浓度相对高,但观察到这样的金刚石具有相对少量的棕色着色。还公开了制造单晶金刚石的方法,该方法包括在工艺气体中生长CVD金刚石,所述工艺气体除含碳气体和氢之外还包含60至200ppm氮,其中含碳气体中的碳原子与氢气中的氢原子之比为0.5至1.5％。