本发明涉及晶体合成技术领域,尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置,该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状,然后安置在升降式旋转支架,升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下,金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中,使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长,从而生长出大直径金刚石圆片,通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度,通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。

本发明属于外延生长装置技术领域,本发明提供了一种超薄衬底外延生长装置及制备方法,包括装置主体,装置主体的呈立方体结构,且左右两侧方分别设置有进气口和出气口,装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘,凸缘顶部并排设置有两块凹透镜,两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分,一种超薄衬底外延生长设备的制备方法,包括以下步骤：步骤一、将晶圆底衬放入支撑拖架内,并使所述支撑拖架旋转；步骤二、通过驱动电动伸缩杆调整调域加热装置照射加热所述晶圆底衬,使得两个所述调域加热装置的照射面积一之和正好覆盖整个所述晶圆底衬表面,从而使得晶圆底衬的受热更加的均匀,使得外延生长厚度更加的均匀。

本发明公开了一种半导体腔室的进排气结构和半导体腔室,其中进排气结构设置于半导体腔室的上下盖之间,其特征在于,进排气结构包括：环形主体和朝向半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部,其中,环形支撑部的内缘用于承载半导体腔室的预热环,且环形支撑部的上方为上腔室,环形支撑部的下方为下腔室；环形主体具有向上腔室通气的进气通道以及将上腔室气体排出的排气通道；环形支撑部靠近排气通道的一侧具有连通上腔室和下腔室的纵向贯穿孔,下腔室中的气体经纵向贯穿孔沿排气通道排出。本发明纵向贯通孔与排气通道距离更近,压力更低,下腔室的氢气会趋向于流向压力更低的纵向贯通孔,避免出现下腔室的氢气与工艺气体碰撞产生紊流的情况。