本发明公开了一种MOCVD系统反应腔清理装置,包括自带加热装置的反应腔,反应腔上设置有氯气进气口和清扫进气口,氯气进气口与氯气储存瓶联通,清扫进气口与吹扫系统连通,反应腔上还设置有出气口,该出气口连接有过滤器,过滤器包括箱体,箱体上设置有分隔板,分隔板将箱体分隔成为进气腔室和出气腔室,分隔板上设置有连通孔,分隔板上位于进气腔室内固定有滤芯组件,出气腔室上设置有排气口且内部固定有抽气风机,滤芯组件的内腔与连通孔相互连通,所述进气腔室上设置有补气口,该补气口与补气冷却系统相互连通。该清理装置能够对反应腔进行在线清理,从而减少停机次数,提高生产效率,保证产品的一致性。

于此描述用于外延腔室的热屏蔽组件。所述热屏蔽组件具有热屏蔽构件及预热构件。热屏蔽构件设置于预热构件上。热屏蔽构件具有切口部分,所述切口部分暴露预热构件的一部分。预热构件具有凹陷部分以接收热屏蔽构件。

本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备,其中加热装置设置于半导体工艺腔室上方,该加热装置包括：多个加热元件,多个加热元件在同一平面上；反射屏组件,设置于加热元件的上方,反射屏组件用于将加热元件朝向反射屏组件发出的光进行反射后照向工艺腔室,反射屏组件包括固定部和可动部；调整机构,调整机构与可动部连接,且调整机构能够调整可动部与加热元件之间的相对位置,以调节半导体工艺腔室中不同区域位置的温度。本发明提高了温场的温度可调性,调节待加工件不同区域的温度,从而能够使温场的温度更均匀,或在温场的不同区域实现不同的温度,实现不同电阻率需求的外延片的制作。

本发明属于外延生长装置技术领域,本发明提供了一种超薄衬底外延生长装置及制备方法,包括装置主体,装置主体的呈立方体结构,且左右两侧方分别设置有进气口和出气口,装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘,凸缘顶部并排设置有两块凹透镜,两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分,一种超薄衬底外延生长设备的制备方法,包括以下步骤：步骤一、将晶圆底衬放入支撑拖架内,并使所述支撑拖架旋转；步骤二、通过驱动电动伸缩杆调整调域加热装置照射加热所述晶圆底衬,使得两个所述调域加热装置的照射面积一之和正好覆盖整个所述晶圆底衬表面,从而使得晶圆底衬的受热更加的均匀,使得外延生长厚度更加的均匀。

本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座,包括基板支架和内嵌基板,所述内嵌基板设置在基板支架的内侧,内嵌基板的表面环形阵列开设有多个嵌入开口。该用于气相外延反应腔结构的自公转基座,工艺气体通过空腔基板主体与嵌入开口内侧壁之间缝隙溢出时,环形阻流坡能够有效阻止工艺气体垂直向下的溢出,而环形阻流槽的设置对向下垂直溢出回流的工艺气体进行阻流,同时环形限流坡和环形限位槽的设置,进一步的减少溢出回流气体通过环形嵌入圈和环形嵌入槽之间的缝隙导出,在保障结构之间配合活动稳定的前提下,最大限度的减少工艺气体的溢出,从而有效保障工艺气体的供给反应效率。

本发明提供了外延生长装置,其特征在于包括反应腔室和真空锁,反应腔室具有若干个加热器排列成圆圈,反应腔室具有进气和排气通路,反应腔室还设有分隔装置能够喷出气体来屏蔽每个加热器,反应腔室还设有晶圆装卸器装卸加热器上的晶圆；真空锁中具有晶圆匣用于运送晶圆。本发明提高了外延工艺的产能通量。

单晶CVD金刚石材料,包含至少5ppm的总氮浓度和至少0.7的中性单一替位氮N-s～0与总单一替位氮N-s之比。尽管氮的浓度相对高,但观察到这样的金刚石具有相对少量的棕色着色。还公开了制造单晶金刚石的方法,该方法包括在工艺气体中生长CVD金刚石,所述工艺气体除含碳气体和氢之外还包含60至200ppm氮,其中含碳气体中的碳原子与氢气中的氢原子之比为0.5至1.5％。