本发明公开了一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片,该扩散工艺包括：在扩散炉管内,将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮,在第一温度下沉积磷源,并在第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结；通入携带三氯氧磷的小氮,二次沉积磷源,进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层；通入大氮对进行吹扫,结束扩散,在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。本发明采用两步通源沉积的方式,使三氯氧磷均在低温环境下沉积,可以使硅片表面浓度充分降低,同时通过控制磷源沉积的大氮、氧气和小氮的气体流量比来保证PN结的均匀性,可以有效提高太阳能电池的转换效率。