本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法,通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上,沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式,并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式,制备得到铁磁薄膜材料,本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中,引入适当的TiC缓冲层的方式,显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。