本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi-2Te-4薄膜的制备方法,属于发光材料制备及应用技术领域,包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后,将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下,利用磁控多靶共溅射法,将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后,原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中,退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi-2Te-4薄膜的制备方法,仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到,工艺简单,可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本,使效率最大化,适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本,有利于工业化生产。
