本发明涉及一种碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法,是以聚偏氟乙烯为基体,以石墨烯和碳纳米管为导电填料,石墨烯、碳纳米管和聚偏氟乙烯的三相复合而成,石墨烯、碳纳米管和聚偏氟乙烯的质量比为：1：1：1000～1：1：16,以聚偏氟乙烯为基质,导电填料的重量百分比为0.1～3％。制备方法包括氧化石墨烯的制备、碳纳米管的表面改性和碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料的制备。本发明复合材料的介电常数相比纯聚偏氟乙烯和石墨烯/聚偏氟乙烯、碳纳米管/聚偏氟乙烯的二元体系有了较大增长,并在较低的渗透阈值下保持了相对低的介电损耗。

本发明提供一种电子部件,其具有底填材料容易浸入的结构。电子部件(1)包括：形成在基片(2)上的、将导体层(M1～M4)和绝缘层(6～8)交替层叠而成的功能层(10)；和设置在绝缘层(8)上的端子电极(41～44)。位于最上层的绝缘层(8),其平面形状为大致矩形,且具有在俯视时从各边(E1～E4)起在平面方向上突出的突出部(81～84)。由此,当在上下反转装载于母板后,供给底填材料时,底填材料因以突出部(81～84)为起点的表面张力而浸入到母板与电子部件的间隙。因此,即使在母板和电子部件的间隙窄的情况下,也能够使底填材料容易浸入。