具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。

图1是用于本发明的一个实施方式的电子部件1的结构的大致俯视图。另外，图2是沿着图1的A-A线的大致截面图。

本实施方式的电子部件1为LC滤波器，如图1和图2所示，包括基片2和形成于基片2的主面上的导体层M1、MM、M2、M3、M4和绝缘层6～8。绝缘层6～8由绝缘性高的树脂材料构成。导体层M1～M4和绝缘层6～8交替层叠，由导体层M1至绝缘层8构成的部分构成作为LC滤波器起作用的功能层10。图3表示导体层M1、MM的图案形状，图4表示导体层M2的图案形状，图5表示导体层M3的图案形状，图1表示导体层M4的图案形状。

作为基片2的材料，只要为化学稳定、热稳定且应力产生少，并能够保持表面的平滑性的材料，就没有特别限定，但能够使用硅单晶、氧化铝、蓝宝石、氮化铝、MgO单晶、SrTiO₃单晶、表面氧化硅、玻璃、石英、铁氧体等。基片2的表面由平坦化层3覆盖。作为平坦化层3，能够使用氧化铝和氧化硅等。

导体层M1是位于最下层的导体层，如图3所示，包含导体图案11～17。其中，导体图案11～14为端子电极图案，导体图案15为电容器的下部电极，导体图案16为电感器图案。构成下部电极的导体图案15和构成电感器图案的导体图案16的一端经由导体图案17与导体图案11连接。这些导体图案11～17均由与平坦化层3相接的薄的种子层S和设置于种子层S上且与种子层S相比膜厚大的镀层P构成。位于其它导体层MM、M2、M3、M4的导体图案也同样，由种子层S和镀层P的层叠体构成。导体图案11～17中至少构成电容器的下部电极的导体图案15的上表面和侧面由电介质膜(电容绝缘膜)4覆盖。

在导体图案15的上表面经由电介质膜4形成有导体图案18。导体图案18属于位于导体层M1和导体层M2之间的导体层MM，构成电容器的上部电极。由此，形成将导体图案15设为下部电极，将导体图案18设为上部电极的电容器。导体层M1和导体层MM经由钝化膜5由绝缘层6覆盖。在本实施方式中，电介质膜4和钝化膜5均由无机绝缘材料构成。构成电介质膜4的无机绝缘材料和构成钝化膜5的无机绝缘材料可以为相同的材料，也可以为不同的材料。

导体层M2为设置于绝缘层6的表面的第二层的导体层，如图4所示，包含导体图案21～27。其中，导体图案21～24为端子电极图案，导体图案25为电容器的引出电极，导体图案26为电感器图案。导体图案26具有与导体图案16相同的图案形状，并形成于相同的平面位置。因此，导体图案16、26在俯视时重叠。导体图案25经由贯通绝缘层6而设置的通孔导体25a与作为上部电极的导体图案18连接，并且与导体图案22连接。另外，构成电感器图案的导体图案26的一端经由导体图案27与导体图案21连接。进而，导体图案26的一端经由贯通绝缘层6而设置的通孔导体26a与导体图案16的一端连接，导体图案26的另一端经由贯通绝缘层6而设置的通孔导体27a与导体图案16的另一端连接。另外，导体图案21～24经由贯通绝缘层6而设置的通孔导体21a～24a分别与导体图案11～14连接。导体层M2由绝缘层7覆盖。

导体层M3为设置于绝缘层7的表面的第三层的导体层，如图5所示，包含导体图案31～36。其中，导体图案31～34为端子电极图案，导体图案35为电感器的引出电极，导体图案36为电感器图案。构成电感器图案的导体图案36的一端经由贯通绝缘层7而设置的通孔导体36a与导体图案26的另一端连接，导体图案36的另一端经由导体图案35与导体图案33、34连接。进而，导体图案31～34经由贯通绝缘层7而设置的通孔导体31a～34a分别与导体图案21～24连接。导体层M3由位于最上层的绝缘层8覆盖。

导体层M4为设置于绝缘层8的表面的第四层的导体层，如图1所示，包含端子电极41～44。端子电极41～44经由贯通绝缘层8而设置的通孔导体41a～44a分别与导体图案31～34连接。

图6是本实施方式的电子部件1的等效电路图。

如图6所示，本实施方式的电子部件1具有在端子电极41和端子电极42之间连接电容器C，在端子电极41和端子电极43、44之间连接电感器L的电路结构。电容器C由作为下部电极的导体图案15、作为上部电极的导体图案18、位于导体图案15、18之间的电介质膜4构成。另一方面，电感器L具有由导体图案16、26构成的并联线圈和由导体图案36构成的线圈串联连接的电路结构。

如图2所示，在本实施方式中，导体层M1的导体厚H1比导体层M2的导体厚H2薄。如果减薄导体层M1的导体厚H1，则电介质膜4和钝化膜5的台阶降低，所以得到应力被缓和，且难以产生电介质膜4和导体层M1的界面的剥离的之类的效果。另一方面，如果减薄导体层M1的导体厚H1，则导体层M1的电阻值变高，所以如果单纯使用属于导体层M1的导体图案16作为电感器图案，则LC滤波器的特性有可能降低。考虑这一点，在本实施方式的电子部件1中，将属于导体层M1的导体图案16和属于导体层M2的导体图案26并联连接，从而，降低电阻值。由此，能够防止电介质膜4和导体层M1的界面的剥离，同时降低电感器L的电阻值。

导体层M3、M4的导体厚没有特别限定，但优选设为与导体层M2的导体厚H2同等程度。

如图1所示，位于最上层的绝缘层8的平面形状为大致矩形。绝缘层8具有从俯视时的各边E1～E4起在平面方向上突出的突出部81～84。具体而言，在将俯视时的绝缘层8的各边中在x方向延伸的边设为E1、E2，将在y方向延伸的边设为E3、E4的情况下，在边E1、E2的大致中央部分别存在在y方向突出的突出部81、82，在边E3、E4的大致中央部分别存在在x方向突出的突出部83、84。另外，突出部81的x方向位置未与端子电极41、42重叠，突出部82的x方向位置未与端子电极43、44重叠，突出部83的y方向位置未与端子电极41、43重叠，突出部84的y方向位置未与端子电极42、44重叠。即，在将边E1中与端子电极41、42相邻的区间(与端子电极41、42在y方向上重叠的区间)分别设为S1、S2的情况下，突出部81位于区间S1与区间S2之间。其它突出部82～84也同样。

突出部81～84的突出量抑制为不超过基片2的范围。即，突出部81～84在俯视时与基片2重叠，未超过基片2且未突出。因此，没有因突出部81～84的存在而电子部件1的平面尺寸增大的情况。突出部81～84的边缘也可以构成与基片2的侧面同一平面。

图7是表示将本实施方式的电子部件1装载于母板50的状态的示意性截面图。

在图7所示的截面中，在母板50上呈现焊盘图案51、52，并以经由焊锡53分别将端子电极41、42与焊盘图案51、52连接方式，装载电子部件1。而且，以可靠性提高为目的，在母板50和电子部件1的间隙填充有底填材料UF。底填材料UF的填充在将电子部件1安装于母板50后，通过向母板50的表面供给低粘度的底填材料UF来进行。该情况下，如果母板50和电子部件1的间隙窄，则底填材料UF难以浸入，但在本实施方式中，因为在安装时位于最下层的绝缘层8设置有突出部81～84，所以如作为示意性的俯视图的图8中箭头所示，通过以突出部81～84为起点的表面张力，底填材料UF容易浸入母板50与电子部件1的间隙。

但是，在本实施方式中，因为在绝缘层8的各边E1～E4的大致中央部分别设置有突出部81～84，所以底填材料UF从4个方向浸入。另外，因为突出部81～84设置于与端子电极41～44不干涉的位置，所以以突出部81～84为起点浸入的底填材料UF在母板50和电子部件1的间隙整体中容易扩散。

接着，对本实施方式的电子部件1的制造方法进行说明。

图9～图21是用于说明本实施方式的电子部件1的制造方法的工序图。在电子部件1的制造工艺中，使用集合基片获取多个电子部件1，但图9～图21所示的制造工艺着眼于一个电子部件1。

首先，如图9所示，使用溅射法等在基片(该时刻为集合基片)2上形成平坦化层3，并对其表面进行研磨或CMP等镜面化处理使其平滑化。然后，使用溅射法等在平坦化层3的表面形成种子层S。接着，如图10所示，在种子层S上旋涂了抗蚀剂层R1后，对抗蚀剂层R1进行图案形成，以使应形成导体层M1的区域的种子层S露出。在该状态下，通过进行以种子层S为供电体的电解镀，如图11所示，在种子层S上形成镀层P。种子层S和镀层P的层叠体构成导体层M1。在图11所示的截面上，在导体层M1上含有导体图案11、12、15、17。而且，如图12所示，如果在除去了抗蚀剂层R1后，除去在表面露出的种子层S，则导体层M1完成。种子层S的除去能够通过蚀刻法或离子铣削来进行。

图22是表示形成导体层M1之后的状态的大致俯视图。图22中由虚线1a包围的区域为最终成为一个电子部件1的区域。虚线1a的外侧的区域为通过切割进行单片化时的切割余量。如图22所示，在成为切割余量的部分和虚线1a的稍内侧的区域形成作为导体层M1的一部分的牺牲图案19。

接着，如图13所示，在包含导体层M1的上表面和侧面的整面上形成电介质膜4。作为电介质膜4，例如能够利用除氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)等普通电介质材料以外的公知的强介电体材料等。作为电介质膜4的成膜方法，能够使用溅射法、等离子体CVD法、MOCVD法、溶胶-凝胶法、电子束蒸镀法等。

接着，如图14所示，通过使用与导体层M1的形成方法同样的方法，在导体图案15的上表面经由电介质膜4形成导体图案18。导体图案18也由种子层S和镀层P的层叠体构成。由此，导体层MM完成，形成将导体图案15设为下部电极，将导体图案18设为上部电极的电容器。图23是表示形成导体层MM之后的状态的大致俯视图。

接着，如图15所示，在形成覆盖导体层M1、MM的钝化膜5后，形成绝缘层6。接着，如图16所示，通过对绝缘层6进行图案形成，在绝缘层6上形成通孔21b～28b。图24是表示在绝缘层6形成通孔21b～28b之后的状态的大致俯视图。由此，覆盖导体层M1或MM的钝化膜5分别在通孔21b～28b的底部露出。

接着，如图17所示，在绝缘层6上形成抗蚀剂层R2后，在抗蚀剂层R2形成与通孔21b、22b、25b重叠的开口部21c、22c、25c，并在该状态下进行离子铣削等。由此，除去在开口部25c露出的钝化膜5，并且除去在开口部21c、22c露出的钝化膜5和电介质膜4，使导体层M1、MM的上表面露出。在图17中未出现的其它通孔23b、24b、26b～28b也形成同样的开口部。由此，牺牲图案19在通孔28b的底部露出。

接着，在除去了抗蚀剂层R2后，如图18所示，通过与导体层M1的形成方法同样的方法在绝缘层6上形成导体层M2。图25是表示形成了导体层M2之后的状态的大致俯视图。如图25所示，在成为切割余量的部分和虚线1a的稍内侧的区域形成作为导体层M2的一部分的牺牲图案29。

接着，如图19所示，在形成了覆盖导体层M2的绝缘层7后，通过对绝缘层7进行图案形成，在绝缘层7上形成通孔31b～36b。图26是表示在绝缘层7上形成通孔31b～36b之后的状态的大致俯视图。由此，导体层M2分别在通孔31b～36b的底部露出。牺牲图案29在通孔35b的底部露出。

接着，如图20所示，通过与导体层M1、M2的形成方法同样的方法在绝缘层7上形成导体层M3。图27是表示形成导体层M3之后的状态的大致俯视图。如图27所示，在成为切割余量的部分的一部分和虚线1a的稍内侧的区域形成作为导体层M3的一部分的牺牲图案39。在此，牺牲图案39设置为在俯视时与成为电子部件的各边的部分的大致中央部重叠。

接着，如图21所示，在形成了覆盖导体层M3的绝缘层8后，通过对绝缘层8进行图案形成，在绝缘层8上形成通孔41b～48b。图28是表示在绝缘层8上形成通孔41b～48b之后的状态的大致俯视图。由此，导体图案31～34分别在通孔41b～44b的底部露出，牺牲图案29、39在通孔45b～48b的底部露出。

图29是沿着图28所示的B-B线的示意性截面图。

如图28和图29所示，位于最上层的绝缘层8在各电子部件的全外周上没有开口，而具有将相邻的电子部件之间局部地连接的桥接结构部91～94。具体而言，属于位于图28的中央的电子部件的绝缘层8与属于位于上侧的电子部件的绝缘层8在桥接结构部91连接，与属于位于下侧的电子部件的绝缘层8在桥接结构部92连接，与属于位于左侧的电子部件的绝缘层8在桥接结构部93连接，与属于位于右侧的电子部件的绝缘层8在桥接结构部94连接。

接着，如图2所示，通过与导体层M1～M3的形成方法同样的方法在绝缘层8上形成导体层M4。在形成导体层M4的工序中，在形成绝缘层8后，通过在全面上形成种子层S，并进行以种子层S为供电体的电解镀，形成端子电极41～44。在绝缘层8上形成通孔41b～48b后的固化工序中产生收缩，所以有可能在形成种子层S的阶段，在绝缘层8与导体层M3的界面上产生剥离。如果在绝缘层8和导体层M3的界面上产生剥离，则有时种子层S在剥离部分被分断，由于剥离状态，种子层S的一部分有可能被电分断。

但是，在本实施方式中，因为绝缘层8具有桥接结构部91～94，所以假设即使在绝缘层8与导体层M3的界面上产生部分的剥离的情况下，也通过形成于桥接结构部91～94的表面的种子层S确保电连接。因此，能够通过以种子层S为供电体的电解镀可靠地形成端子电极41～44。

而且，如果在由未图示的抗蚀剂层覆盖端子电极41～44的状态下，使用酸等蚀刻剂除去牺牲图案19、29、39后，通过以将桥接结构部91～94分断的方式切断基片2进行单片化，则本实施方式的电子部件1完成。如果通过切割将桥接结构部91～94分断，则在绝缘层8上形成图1所示的突出部81～84。突出部81～84分别为桥接结构部91～94的一部分。

如以上说明，在本实施方式的电子部件1的制造工艺中，在位于最上层的绝缘层8上形成通孔时，不通过通孔将绝缘层8分离成各个电子部件，而形成将属于相邻的电子部件的部分通过桥接结构部91～94相连的状态，所以能够防止种子层S的分断引起的电解镀不良。

图30是用于说明第1变形例的电子部件1A的结构的大致俯视图。

第1变形例的电子部件1A在俯视时突出部81～84为锥形状这一点上，与上述实施方式的电子部件1不同。因为其它基本的结构与上述实施方式的电子部件1相同，所以对相同的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。如第1变形例的电子部件1A例示，突出部81～84的平面形状没有特别限定。

图31是用于说明第2变形例的电子部件1B的结构的大致俯视图。

第2变形例的电子部件1B在分别设置有多个突出部81～84这一点上，与上述实施方式的电子部件1不同。因为其它基本的结构与上述实施方式的电子部件1相同，所以对相同的要素标注相同的符号，并省略重复的说明。在第2变形例中，位于长边E1、E2的突出部81、82的数分别为3个，位于短边E3、E4的突出部83、84的数分别为2个。如第2变形例的电子部件1B例示，突出部81～84的数没有限定。

以上，对本发明优选的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行各种变更，不用说这些也包含在本发明的范围内。

例如，在上述实施方式中，以将本发明应用于LC滤波器的情况为例进行了说明，但成为本发明的对象的电子部件不限定于LC滤波器，也可以应用于其它种类的电子部件。

另外，在上述实施方式中，在位于最上层的绝缘层8设置桥接结构部91～94，但不仅绝缘层8，也可以在其它绝缘层6、7设置桥接结构部。