存储器器件及其制造方法

存储器器件包括底部电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件、顶部电极和侧壁间隔件。MTJ堆叠件位于底部电极上方。顶部电极位于MTJ堆叠件上方。侧壁间隔件横向地围绕MTJ堆叠件和顶部电极。侧壁间隔件具有从底部电极的最外侧壁横向地回缩的最外侧壁。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。

2021-11-02

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磁隧道结器件及其形成方法

磁隧道结器件包括：柱结构,从底部到顶部包括底部电极和磁隧道结结构；顶部电极,位于磁隧道结结构上面；以及介电金属氧化物层,从柱结构的侧壁延伸至顶部电极的侧壁。磁隧道结结构包含包括第一铁磁材料的参考磁化层、隧道阻挡层和包括第二铁磁材料的自由磁化层。顶部电极包括包含非磁性金属元素的金属材料。可以通过在聚焦离子束蚀刻工艺之后执行氧化残留金属膜的氧化工艺来形成介电金属氧化物层,并且从柱结构的表面消除导电路径。本发明的实施例还涉及磁隧道结器件的形成方法。

2021-11-02

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磁阻元件及磁传感器

磁阻元件(10)具备包含第一单位元件(13)的第一元件部(11)和包含第二单位元件(14)的第二元件部(12),第一元件部(11)与第二元件部(12)串联连接,第一单位元件(13)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第一参考层以及被磁化为旋涡状的第一自由层,第二元件部(12)包含磁化被固定在面内方向上的规定的方向的第二参考层以及被磁化为旋涡状的第二自由层,第一参考层中的被固定的磁化所朝向的方向与第二参考层中的被固定的磁化所朝向的方向为相反的方向。

2021-10-29

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半导体装置和包括半导体装置的电子设备

提供了：半导体装置,能够有效地增加所安装的存储元件的容量同时节省空间；以及包括该半导体装置的电子设备。半导体装置包括：存储元件,具有第一导电层、第二导电层和绝缘层,第一导电层和第二导电层至少隔着绝缘层而堆叠,并且具有纤丝,纤丝通过改变第一导电层的状态、第二导电层的状态和绝缘层的状态的组合来获得至少三个可识别的电阻状态；以及写入部,写入部通过向存储元件施加烧熔电流产生至少三个可识别的电阻状态。

2021-10-29

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选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构

本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构,其中,选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种,也就是说,选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物,进一步,可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能,本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点,有助于实现高密度的三维信息存储。

2021-10-29

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一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法

本发明公开了一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法,涉及隧穿磁电阻领域,包括在放置的晶圆衬底片表面完成磁隧道结多层膜堆结构生长后继续进行硬掩模生长,以此增强整体磁阻结构稳定性,避免发生钨塞损伤或膜堆翘起,硬掩模生长完成后进行退火处理,过程中对于退火条件选取,仅需依照对磁阻功能稳定性进行考虑,由于未对退火温度和退火时间进行降低调整,使MTJ制备过程处于稳定状态,性能未受负向影响,且仅改变退火作业顺序,对后制程进行性问题影响性较小,具备可实施性。

2021-10-29

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磁性隧道结器件及方法

本公开涉及磁性隧道结器件及方法。在实施例中,一种器件包括磁阻式随机存取存储器单元,该磁阻式随机存取存储器单元包括：底部电极；基准层,位于底部电极之上；隧道阻挡层,位于基准层之上,隧道阻挡层包括镁和氧的第一组合物；自由层,位于隧道阻挡层之上,自由层具有比基准层更小的矫顽力；帽盖层,位于自由层之上,帽盖层包括镁和氧的第二组合物,镁和氧的第二组合物具有比镁和氧的第一组合物更高的氧原子浓度和更小的镁原子浓度；以及顶部电极,位于帽盖层之上。

2021-10-29

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半导体元件及其制作方法

本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该制作半导体元件的方法为,首先形成一第一金属间介电层于基底上,然后形成一接触洞于第一金属间介电层内,形成一下电极层于接触洞内,形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于下电极层上,再去除MTJ堆叠结构以形成一MTJ于一下电极上,其中下电极突出于第一金属间介电层顶部。

2021-10-29

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一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法

本发明公开了一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法,涉及隧穿磁电阻领域,步骤包括：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；构建混合式重金属层；构建剩余隧穿磁隧道结膜层结构；构建加工隧穿磁隧道结。所述方法通过在底层衬底结构上表面构建混合式重金属层,在不同材质金属层上表面溅射生成完整磁隧道结,针对重金属层通入电流,利用不同材质的自旋霍尔角角度和大小不同的性质,使所述重金属层在通入电流时实现多模态翻转动作。结合其磁性随机存储器本身良好的存储性能,可实现计算机的“逻辑存储一体化”,从而实现对计算机运算速度的提升。

2021-10-26

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一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法

本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法,方法包括：清洗衬底层,所述衬底层包括n～(+)SiC衬底层和位于所述n～(+)SiC衬底层上的n-SiC衬底层；将石墨烯转移到所述衬底层上；在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极；对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理,以得到SiC基石墨烯器件。本发明所提供的SiC基石墨烯器件的制备方法工艺简单,价格低廉,非常适用于商用化应用,并且所获得的石墨烯保持着比较完美的晶体结构,缺陷含量比较低。

2021-10-26

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