本申请涉及体声波谐振器技术领域,公开一种用于体声波谐振器制作的方法,包括：提供衬底片,衬底片包括待移除层和在待移除层上形成的压电层；压电层由铌酸锂晶体或钽酸锂晶体制成；在压电层远离待移除层的一侧形成下电极结构；在下电极结构远离压电层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；在压电层远离下电极结构的一侧形成上电极结构；在谐振载体、下电极结构之间形成空腔。这样,通过利用具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体作为压电层,对压电层进行双面制作形成的体声波谐振器,从而能够由具有压电特性的铌酸锂晶体或钽酸锂晶体构成的压电层形成体声波谐振器。本申请还公开一种体声波谐振器、滤波器。

公开了一种高功率薄膜滤波器,其包括基板,该基板在第一表面与第二表面之间在Z方向上具有基板厚度。薄膜电容器可以形成于第一表面之上。薄膜电感器可以至少以基板的厚度与薄膜电容器间隔开。可以在基板中形成电连接薄膜电容器和薄膜电感器的过孔。过孔可以包括聚合组合物。

本发明提供一种滤波器及包括滤波器的前端模块,所述滤波器可包括：一个或更多个串联单元；及分路单元,设置在所述一个或更多个串联单元与地之间。所述一个或更多个串联单元包括选择性地操作的多个串联谐振器,所述多个串联谐振器中的每个包括薄膜体声波谐振器。

一种电容性交叉耦合声学滤波器,包括：串联主回路,在输入端子和输出端子之间,由m个第一声学谐振器串联构成；n个并联支路,一端连接至相邻的第一声学谐振器之间的m-1个节点处和/或串联主回路首末端,另一端接地；n个并联支路依次编号,每个并联支路包括至少一个第二声学谐振器；至少2个耦合支路,连接n个并联支路的一端,第一端所连接的并联支路的编号与第二端所连接的并联支路的编号之间的差值大于等于2；至少一条耦合支路的的第一端连接在另一条耦合支路的第一端和第二端之间,且第二端连接在该另一条耦合支路的第一端和第二端之外。依照本发明的声学滤波器,增加额外的传输零点,通带两侧的抑制增加并且带内插损优化。

本公开提供一种声波谐振器滤波器,所述声波谐振器滤波器包括：至少一个串联声波谐振器,电连接在射频(RF)信号通过的第一端口与第二端口之间；分支节点,电连接到所述至少一个串联声波谐振器,并且具有均朝向地延伸的相应的第一分路连接路径和第二分路连接路径；第一分路声波谐振器,与所述第一分路连接路径串联电连接；以及第二分路声波谐振器,与所述第二分路连接路径串联电连接,并且所述第二分路声波谐振器的谐振频率高于所述第一分路声波谐振器的谐振频率。所述第二分路连接路径的电感高于所述第一分路连接路径的电感。

本申请涉及一种基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法。所述装置包括：功率分配模块、FBAR滤波器延时模块、自适应滤波处理模块、幅相加权模块以及对消模块,其中功率分配模块将单路射频信号转化为多路射频信号,并输入到FBAR滤波器延时模块中得到不同延时的时延射频信号,自适应滤波处理模块对时延射频信号进行自适应滤波,最优权值,幅相处理单元根据最优权值对各路射频信号进行加权,然后再经过反相对消处理,得到饱和干扰抑制后的单路射频信号。本装置通过FBAR滤波延时装置替代繁重的同轴线延时结构和复杂的光纤延时结构,在确保单通道射频抗饱和功能的前提下,极大的减小了延时结构的尺寸。

本发明属于射频微机电系统技术领域,涉及横向激励薄膜体声波谐振器,具体提供一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器,用以解决现有横向激励薄膜体声波谐振器在悬梁系绳处的侧边能量泄漏问题。本发明在Freestanding型结构或SMR布拉格反射结构的宽带活塞模式谐振器的基础上,在叉值换能器的电极指条与宽带活塞结构之间引入声子晶体作为侧边能量辐射抑制结构,并匹配设计声子晶体的具体单元结构：贯穿压电薄膜的“十”字型孔或设置于压电薄膜上的圆形金属柱,从而将声波能量约束在叉指电极对谐振腔内,即解决侧边能量泄漏问题,显著提升带内品质因数,使得本发明谐振器尤其适用于做成5G频段(N77、N78、N79等高频大带宽频段)高品质因数滤波器。

本公开内容涉及一种滤波器,包括：衬底,一个或多个谐振器,其特征在于,衬底上设有围绕所述一个或多个谐振器的堤坝结构,所述堤坝结构伸入衬底内部。此外,本公开内容还涉及一种滤波器的制造方法,包括如下步骤：提供衬底,在衬底上形成一个或多个谐振器；在衬底上形成一个堤坝结构,所述堤坝结构围绕所述一个或多个谐振器设置,且堤坝结构伸入衬底内部。