具体实施方式

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对在理解本申请的公开内容之后知晓的特征的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本公开的范围。

在此，注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有示例和实施例不限于此。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。

虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提到的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，可在此使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件在“上方”或“上面”的元件将相对于所述另一元件在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式定位(例如，旋转90度或者处于其他方位)，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，附图中示出的形状可发生改变。因此，在此描述的示例不限于附图中示出的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状的变化。

在此描述的示例的特征可以以在理解本申请的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造是可行的。

除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本公开所属技术领域的普通技术人员在理解本申请的公开内容之后通常理解的含义相同的含义。术语(诸如，在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关技术和本申请的公开内容的上下文中的含义一致的含义，并且除非在此明确如此定义，否则不应被解释为理想化或过于形式化的意义。

附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。

图1示出了根据一个或更多个实施例的示例声波谐振器滤波器。

参照图1，根据示例的声波谐振器滤波器100a可包括至少一个串联声波谐振器110a、分支节点161、第一分路声波谐振器120a和第二分路声波谐振器130a，并且可基于射频(RF)信号的频率而使RF信号在第一端口P1与第二端口P2之间通过或者在第一端口P1与第二端口P2之间阻挡RF信号。

至少一个串联声波谐振器110a、第一分路声波谐振器120a和第二分路声波谐振器130a均可包括压电层22以及设置在压电层22的两侧上的多个电极21和23，并且可具有压电性质。

压电层22可包括产生将电能转换成弹性波形式的机械能的压电效应的压电材料。作为非限制性示例，压电材料可包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT；PbZrTiO)中的一种，并且作为非限制性示例，压电材料还可包括稀土金属和过渡金属中的至少一种，并且作为非限制性示例，压电材料还可包括作为二价金属的镁(Mg)。作为非限制性示例，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种，并且作为非限制性示例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。

在示例中，多个电极21和23可利用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成，以改善与压电层22的键合效率，但是其材料不限于此。例如，多个电极21和23利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或它们的合金的导电材料形成。

至少一个串联声波谐振器110a、第一分路声波谐振器120a和第二分路声波谐振器130a可分别将RF信号的电能转换为机械能，并且可通过压电特性执行反向转换。信号频率越接近声波谐振器的谐振频率，多个电极之间的能量传递率可越高。RF信号的频率越接近声波谐振器的反谐振频率，多个电极之间的能量传递率可越低。基于压电特性，反谐振频率可高于谐振频率。

至少一个串联声波谐振器110a可电连接在第一端口P1与第二端口P2之间。RF信号的频率越接近至少一个串联声波谐振器110a的谐振频率，RF信号在第一端口P1与第二端口P2之间的通过率可越高，并且RF信号的频率越接近至少一个串联声波谐振器110a的反谐振频率，RF信号在第一端口P1与第二端口P2之间的通过率可越低。

分支节点161可电连接到至少一个串联声波谐振器110a，并且可具有朝向地GND的第一分路连接路径SH1和第二分路连接路径SH2。作为非限制性示例，分支节点161可使用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金和铝(Al)、铝合金等的材料来实现。

第一分路声波谐振器120a可与第一分路连接路径SH1串联电连接，并且RF信号的频率越接近第一分路声波谐振器120a的谐振频率，RF信号在分支节点161与地(GND)之间的通过率可越高。此外，随着RF信号的频率接近第一分路声波谐振器120a的反谐振频率，RF信号在分支节点161与地(GND)之间的通过率可降低。

RF信号在第一端口P1与第二端口P2之间的通过率可随着RF信号在分支节点161与地(GND)之间的通过率增加而降低，并且可随着RF信号在分支节点161与地(GND)之间的通过率降低而增加。

在示例中，当RF信号的频率接近第一分路声波谐振器120a的谐振频率或至少一个串联声波谐振器110a的反谐振频率时，RF信号在第一端口P1与第二端口P2之间的通过率可较低。

由于反谐振频率高于谐振频率，因此声波谐振器滤波器100a可具有在与第一分路声波谐振器120a的谐振频率对应的最低频率和与至少一个串联声波谐振器110a的反谐振频率对应的最高频率之间形成的通带。

通带宽度可随着第一分路声波谐振器120a的谐振频率与至少一个串联声波谐振器110a的反谐振频率处的最高频率之间的差增大而加宽。然而，如果差太大，则通带宽度可能被分割(split)。

当至少一个串联声波谐振器110a的谐振频率略高于第一分路声波谐振器120a的反谐振频率时，声波谐振器滤波器100a的带宽相对宽的同时不会被分割。

声波谐振器中的谐振频率与反谐振频率之间的差可基于声波谐振器的物理特性(kt²(机电耦合系数))来确定，并且当声波谐振器的尺寸或形状改变时，谐振频率和反谐振频率可随其一起改变。

第二分路声波谐振器130a可与第二分路连接路径SH2串联电连接，并且第二分路声波谐振器130a的谐振频率可高于第一分路声波谐振器120a的谐振频率。第二分路声波谐振器130a的反谐振频率也可高于第一分路声波谐振器120a的反谐振频率。

在示例中，第二分路连接路径SH2的电感可大于第一分路连接路径SH1的电感。

在示例中，根据示例的声波谐振器滤波器100a还可包括与第二分路连接路径SH2串联电连接的电感器140，以进一步增加第二分路连接路径SH2的电感。

分路连接路径的附加电感可对分路连接路径的谐振频率有贡献。另一方面，分路连接路径的附加电感基本上不会对分路连接路径的反谐振频率有贡献。例如，具有相对较大电感的分路连接路径的特性可与具有相对较大kt²的声波谐振器的分路连接路径的特性相似。

因此，当分路连接路径的电感增大时，分路连接路径的谐振频率与反谐振频率之间的差可增大。

由于第二分路连接路径SH2的谐振频率与反谐振频率之间的差相对较大，并且第二分路声波谐振器130a的谐振频率高于第一分路声波谐振器120a的谐振频率，因此第二分路连接路径SH2的谐振频率和反谐振频率可补偿由于第一分路声波谐振器120a的谐振频率与至少一个串联声波谐振器110a的反谐振频率之间的差过度增大而引起的通带宽度的分割。

因此，可进一步加宽根据示例的声波谐振器滤波器100a的通带宽度。

此外，当将电感器140添加到第二分路连接路径SH2时，第二分路连接路径SH2的阻抗特性可确保第二分路连接路径SH2的谐振频率更有效地移动到相对低的频带。

因此，根据示例的声波谐振器滤波器100a可使用电感器140来增加第二分路连接路径SH2的电感，从而更有效地增大第二分路连接路径SH2的谐振频率与反谐振频率之间的差，并且更有效地加宽第一端口P1与第二端口P2之间的通带宽度。

在示例中，电感器140的电感可大于1nH且小于10nH。

因此，由于第二分路连接路径SH2的阻抗特性可更有效地降低第二分路连接路径SH2的谐振频率，因此可进一步有效地加宽第一端口P1与第二端口P2之间的通带宽度。

例如，第一分路声波谐振器120a的谐振频率和第二分路声波谐振器130a的谐振频率均可高于2.3GHz且低于2.9GHz。例如，第一分路声波谐振器120a和第二分路声波谐振器130a可有效地实现为薄膜体声波谐振器(FBAR)，以具有高于2.3GHz且低于2.9GHz的有效谐振频率。

在示例中，第一分路连接路径SH1的电感可小于1nH。因此，第一分路连接路径SH1与第二分路连接路径SH2之间的电感差可进一步增大，并且根据示例的声波谐振器滤波器100a可更有效地加宽通带宽度。

图2是示出根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的S参数的曲线图。

参照图2，第一端口与第二端口之间的S参数101可在第一频率f1、第二频率f2和第三频率f3处具有相对低的值。第一端口与第二端口之间的S参数102可在第四频率f4、第五频率f5、第六频率f6、第七频率f7和第八频率f8处具有相对低的值。

第一端口与第二端口之间的S参数101可指示RF信号的通过特性，并且可具有包括2496MHz至2690MHz的频带的通带。具有通带内的频率的RF信号可在第一端口与第二端口之间通过，并且具有偏离通带的频率的RF信号可不在第一端口与第二端口之间通过。

第一频率f1可对应于第一分路连接路径的谐振频率，并且第三频率f3可对应于至少一个串联声波谐振器的反谐振频率。

第一端口与第二端口之间的S参数102可表示RF信号的反射特性，并且RF信号的反射率可在第四频率f4和第五频率f5处较低，并且可在第六频率f6和第七频率f7处较低，其中，第四频率f4和第五频率f5相对接近第一分路连接路径的谐振频率，第六频率f6和第七频率f7相对接近第二分路连接路径的谐振频率。

在示例中，第二分路声波谐振器的谐振频率可被配置为比第一分路声波谐振器的谐振频率更接近至少一个串联声波谐振器的谐振频率。

因此，通带中的第一端口与第二端口之间的S参数101可具有稳定的值，并且根据示例的声波谐振器滤波器可使通带稳定，例如，可减小纹波幅值。

例如，第二分路声波谐振器的谐振频率可高于第一分路声波谐振器的反谐振频率。例如，第二分路声波谐振器的谐振频率可与至少一个串联声波谐振器的谐振频率基本上相同。

因此，根据示例的声波谐振器滤波器可形成更优化的通带。

另一方面，第一端口与第二端口之间的S参数102中的与极大偏离通带的频率对应的值可由其他频率选择结构(诸如，第一阻抗匹配电路和/或第二阻抗匹配电路)的影响来确定。

再次参照图1，至少一个串联声波谐振器110a可包括电连接在分支节点161与第一端口P1之间的第一串联声波谐振器111a以及电连接在分支节点161与第二端口P2之间的第二串联声波谐振器112a，并且还可包括第三串联声波谐振器113a。

声波谐振器滤波器100a的通带的最高频率附近的滚降特性可随着串联声波谐振器的数量增加而得到进一步改善。

声波谐振器滤波器100a的插入损耗可随着至少一个串联声波谐振器110a的串联声波谐振器的数量增加而增加。

分支节点161可被配置为不引起第一串联声波谐振器111a与第二串联声波谐振器112a之间的自谐振。在示例中，可不在第一串联声波谐振器111a与第二串联声波谐振器112a之间设置声波谐振器。

由于第一分路连接路径SH1的频率特性和第二分路连接路径SH2的频率特性的差异，即使分支节点161包括用于产生自谐振并且增加插入损耗的声波谐振器，与第一串联声波谐振器111a和第二串联声波谐振器112a相比，分支节点161的自谐振也可几乎不影响声波谐振器滤波器100a的滚降特性。

因此，根据示例的声波谐振器滤波器100a可被配置为不引起第一串联声波谐振器111a与第二串联声波谐振器112a之间的自谐振，从而在确保滚降特性的同时减少插入损耗。

参照图1，根据示例的声波谐振器滤波器100a还可包括第三分路声波谐振器123a、第四分路声波谐振器124a、第二分支节点162、第三分支节点163、第一阻抗匹配电路191和第二阻抗匹配电路192中的至少一个。

第二分支节点162可电连接在第一串联声波谐振器111a与第一端口P1之间，并且可具有朝向地GND的第三分路连接路径SH3。

第三分路声波谐振器123a可与第三分路连接路径SH3串联电连接，并且第三分路声波谐振器123a的谐振频率可低于第二分路声波谐振器130a的谐振频率。第二分路连接路径SH2的电感可大于第三分路连接路径SH3的电感。

声波谐振器滤波器100a的通带的最低频率附近的滚降特性可随着分路声波谐振器的数量增加而得到进一步改善。

第三分支节点163可电连接在第二串联声波谐振器112a与第二端口P2之间，并且可具有朝向地GND的第四分路连接路径SH4。

第四分路声波谐振器124a可与第四分路连接路径SH4串联电连接，并且第四分路声波谐振器124a的谐振频率可低于第二分路声波谐振器130a的谐振频率。第二分路连接路径SH2的电感可大于第四分路连接路径SH4的电感。

第一阻抗匹配电路191可电连接在第三串联声波谐振器113a与第一端口P1之间，并且可阻挡频率显著超出声波谐振器滤波器100a的通带的RF信号。

第二阻抗匹配电路192可电连接在第二串联声波谐振器112a与第二端口P2之间，并且可阻挡频率显著偏离声波谐振器滤波器100a的通带的RF信号。

图3A至图3C是示出根据一个或更多个实施例的变型示例声波谐振器滤波器的示图。

参照图3A，根据示例的声波谐振器滤波器100b可包括多个第一分路声波谐振器120b、多个第二分路声波谐振器130b、多个第三分路声波谐振器123b和多个第四分路声波谐振器124b。

参照图3B，根据示例的声波谐振器滤波器100c可包括多个串联声波谐振器110b，并且多个串联声波谐振器110b可包括彼此并联连接的多个第一串联声波谐振器111b、彼此并联连接的多个第二串联声波谐振器112b和彼此并联连接的多个第三串联声波谐振器113b。参照图3C，根据示例的声波谐振器滤波器100d可包括多个串联声波谐振器110c，并且多个串联声波谐振器110c可包括彼此串联连接的多个第一串联声波谐振器111c、彼此串联连接的多个第二串联声波谐振器112c和彼此串联连接的多个第三串联声波谐振器113c。

图4示出了根据一个或更多个实施例的声波谐振器滤波器的简化示例。

参照图4，根据示例的声波谐振器滤波器100e可具有省略了图1中所示的第三串联声波谐振器、第三分路声波谐振器和第四分路声波谐振器的结构。声波谐振器滤波器100e可具有相对有效的较宽的通带宽度。参照图4，根据示例的声波谐振器滤波器100e可包括多个串联声波谐振器110e，并且多个串联声波谐振器110e可包括第一串联声波谐振器111e和第二串联声波谐振器112e。

如以上所阐述的，根据示例，声波谐振器滤波器可有效地具有相对较宽的通带宽度。

虽然本公开包括具体示例，但是对于本领域普通技术人员而言将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此所描述的示例将仅被认为描述性意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，和/或用其他组件或者它们的等同物来替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变型将被解释为被包括在本公开中。