本发明公开了一种清洗绕镀多晶硅的碱腐蚀辅助剂及其应用,碱腐蚀辅助剂中各组分的质量百分含量为:2%~5%的聚醚,1%~2.5%的阴离子表面活性剂,1%~2.5%分散剂,余量为去离子水。本发明采用配入了碱腐蚀辅助剂的碱腐蚀液去除绕镀多晶硅,代替酸腐蚀或TMAH,提高了产品良率降低了化学成本,且不存在氮排等环保问题,对人体无伤害;碱腐蚀辅助剂具有选择性吸附与缓蚀作用,可在保护金字塔结构不被破坏的情况下腐蚀去除边缘绕镀多晶硅;本发明工艺窗口宽、效率稳定,可适用于多种设备,槽式机、链式机均可使用,便于产线使用现有机台实现量产。