本发明涉及一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶硅生长控制方法包括:在放肩过程且进入转肩判断流程后,判断是否达到t-(i+1)时刻;若达到t-(i+1)时刻,获取晶体直径d-(i+1);根据晶体直径d-(i+1)、t-i时刻获取的晶体直径d-i、以及t-i时刻与t-(i+1)时刻之间的时间间隔,计算晶体直径生长速率v-i;在晶体直径生长速率v-i等于预定生长速率阈值时,判断晶体直径d-(i+1)是否达到第一预定直径;若晶体直径d-(i+1)达到第一预定直径,则启动转肩控制程序。本发明将放肩直径和直径生长速率同时作为转肩工序的触发条件,可以缩小转肩工序结束时晶体的直径与目标直径之间的差值,提高转肩的准确度,提升成棒率。