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单晶生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质
本发明涉及一种单晶生长控制方法、装置、设备及计算机存储介质。单晶生长控制方法包括:在单晶硅的放肩过程中,实时监测单晶硅的长度、对应直径以及对应时刻;当单晶硅的长度达到D-i时,根据单晶硅的对应直径以及对应时刻,计算单晶硅的直径变化速率;将直径变化速率输入至PID函数,得到晶体控制速度,利用晶体控制速度控制单晶硅的提升。本发明通过直径变化速率控制放肩过程,通过PID去调节晶棒的拉速,使晶棒的实际直径尽可能按预设的晶体直径进行生长,从而大幅度增加了单晶放肩工艺的稳定性,使其适用于大尺寸单晶的生长。
2021-10-01
访问量:34
晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质
本发明提供了晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质,该方法包括:获取晶体需要生长到的目标直径;实时采集晶体在生长过程中的实际直径;将目标直径和实际直径作为PID控制的输入,得到PID输出值;根据目标直径和实际直径,确定速度计算公式;根据PID输出值以及速度计算公式,计算晶体的提升速度;根据提升速度,对晶体进行拉升处理。本方案能够提高在晶体生长过程中对提升速度进行控制的精度。
2021-10-01
访问量:39
一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质
本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质;该方法可以包括:从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系;在单晶硅棒生长过程中,获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离;基于所述实测像素间距离以及所述对应关系,确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离;基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距,获取所述熔体液面的实测位置。
2021-09-17
访问量:49
采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法
本发明涉及激光晶体制造技术领域,尤其涉及一种采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法,采用提拉法籽晶定向生长,包括如下步骤:接种、放肩、等径生长、收尾及降温,最终得到翠绿宝石晶体,所得到翠绿宝石晶体利用率达到80%。本发明中当收尾结束后停止旋转和提拉并开始降温,通过P I D调节功率实现对晶体生长速率的控制,从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点,适合工业化生产翠绿宝石晶体。
2021-09-17
访问量:52
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技术分类
电解法
盐溶剂,例如助熔剂生长
金属溶剂
使用其他溶剂的
使用晶体组成之一种组分作溶剂的
熔融溶液冷却法
熔融态溶剂的蒸发法
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
电解法
加压法,例如水热法
溶液冷却法
用非水溶剂的
用水溶剂的
溶剂蒸发法
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
添加掺杂材料的
凝胶的单晶生长
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
在气体气氛或等离子体内
在溶液或熔体内
侵蚀
晶体的接合
用电场或磁场或粒子辐射
热处理
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
离子注入法
电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
控制或调节
气体供给或排出的装置;气流的变换
衬底夹持器或基座
反应室的加热
反应室;其所用材料的选择
扩散材料为被扩散元素之化合物的
同气态扩散材料接触的
同液态扩散材料接触的
同固态扩散材料接触的
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
在微重力或零重力条件下的
用机械振荡的
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